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最新专利技术
  • 一种具氧化锑无机缓冲层的钙钛矿太阳能电池及制备方法
    一种具氧化锑无机缓冲层的钙钛矿太阳能电池及制备方法_上虞半导体材料研究中心_202510673212.4
    本发明一种具氧化锑无机缓冲层的钙钛矿太阳能电池及制备方法， 该电池依次包括空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层、氧化锑无机缓冲层和顶电极。本发明制备方法采用热蒸发工艺制备Sb2O3无机缓冲层， 不仅能够有效抑制钙钛矿层与电极之间的离子互扩散...
    2025-10-27
  • 太阳能电池及其制造方法、用电装置和发电装置
    太阳能电池及其制造方法、用电装置和发电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202411244219.6
    本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、用电设备和发电设备。太阳能电池包括由下至上依次层叠的第一导电电极、钝化层、吸光层、电子传输层以及第二导电电极， 所述钝化层包括式I所示的钝化剂。本申请提供的太阳能电池兼顾优异的光电转换效率和稳定性。
    2025-10-27
  • 选择性电荷传输层、前驱体液、钙钛矿电池及其制备方法
    选择性电荷传输层、前驱体液、钙钛矿电池及其制备方法_北京曜能科技有限公司_202410361994.3
    本申请公开了一种选择性电荷传输层、前驱体液、钙钛矿电池及其制备方法， 涉及太阳能电池技术领域， 本申请的选择性电荷传输层用于太阳能电池， 包括作为母体材料的高分子聚合物， 掺杂于母体材料中的选择性电荷传输聚合物， 和/或， 所述高分子聚合物...
    2025-10-27
  • 一种局域场增强的柔性二维光谱芯片
    一种局域场增强的柔性二维光谱芯片_中国电子科技集团公司第四十一研究所_202510670510.8
    本发明公开了一种局域场增强的柔性二维光谱芯片， 属于芯片设计技术领域， 自上而下依次为石墨烯栅极、介电层、金电极、功能层和衬底， 功能层为二维材料， 采用InSe和MoTe2材料， 衬底为柔性有机铁电材料PVDF；本发明所采用的铁电有机衬底...
    2025-10-27
  • 一种具有Ag反射镜的Micro-LED微显示芯片及其制备方法
    一种具有Ag反射镜的Micro-LED微显示芯片及其制备方法_南昌大学_202510926032.2
    本发明公开了一种具有Ag反射镜的Micro‑LED微显示芯片及其制备方法， 本发明的技术方案能有效抑制金属银(Ag)的迁移、氧化、球聚， 显著提升Micro‑LED微显示芯片的亮度和可靠性。本发明的Micro‑LED微显示芯片包括：外延层，...
    2025-10-27
  • 一种内置IC高效散热四合一支架
    一种内置IC高效散热四合一支架_广东良友科技有限公司_202510960799.7
    本发明公开了一种内置IC高效散热四合一支架， 包括基板和固设在基板上的碗杯， 碗杯内腔设有若干隔条， 将其内腔分隔成四个独立的腔室；第一焊盘位于第一腔室中， 位于第一腔室中还具有第二焊盘和第三焊盘；第四焊盘和第五焊盘横跨第一腔室和第二腔室，...
    2025-10-27
  • 一种显示面板和显示装置
    一种显示面板和显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510893177.7
    本发明提供一种显示面板和显示装置， 显示面板包括电路设置区和透光区， 电路设置区包括像素电路和发光元件；显示面板包括：位于衬底一侧的像素电路、第一连接部和第一转接部；在像素电路中， 驱动晶体管的第一极与发光控制晶体管的第一极连接；发光控制晶...
    2025-10-27
  • 一种红光Micro-LED芯片的巨量转移方法
    一种红光Micro-LED芯片的巨量转移方法_深圳市化讯半导体材料有限公司_202510978217.8
    本发明提供一种红光Micro‑LED芯片的巨量转移方法， 所述巨量转移方法包括以下步骤：(1)在基板1的一个表面涂覆多功能胶， 固化， 得到表面设置有多功能胶层的第一基板；(2)提供表面设置有芯片的晶圆， 将步骤(1)得到的第一基板与晶圆键...
    2025-10-27
  • 一种用于控制芯片方向的流体界面自组装巨量排布方法
    一种用于控制芯片方向的流体界面自组装巨量排布方法_合肥工业大学_202510948213.5
    本发明公开了一种用于控制芯片方向的流体界面自组装巨量排布方法， 方法包括：清洁目标基板的表面杂质和污染物， 对表面洁净的目标基板表面进行低表面能处理；采用激光加工系统扫描处理当前目标基板表面的结合位点区域；将Micro‑LED芯片单侧与低密...
    2025-10-27
  • 微型发光器件及其制作方法
    微型发光器件及其制作方法_深圳市思坦科技有限公司_202510916577.5
    本申请涉及一种微型发光器件及其制作方法， 包括：提供包括基底和多个发光芯片的发光阵列结构以及包括多个驱动芯片的驱动阵列结构， 驱动芯片具有键合区和非键合区并包括设于非键合区内驱动芯片一侧的外围电极；在非键合区内驱动芯片设有外围电极的一侧上形...
    2025-10-27
  • LED灯板及其制作方法
    LED灯板及其制作方法_深圳市雷迪奥视觉技术有限公司_202411251135.5
    本发明实施例提供一种LED灯板及其制作方法， 其LED灯板制作方法包括在PCB板上点阵式排布多个LED灯珠；将具有多个通孔的面罩放置在所述PCB板上， 使每个所述通孔内均容纳有所述LED灯珠；在所述通孔内灌密封胶， 使每个所述通孔内的所述密...
    2025-10-27
  • 一种测试背板及其制作方法
    一种测试背板及其制作方法_重庆康佳光电科技有限公司_202410288671.6
    本申请涉及一种测试背板及其制作方法， 测试背板包括：基板；设于所述基板上的多个焊盘组单元， 所述焊盘组单元包括第一焊盘单元和第二焊盘， 一个所述第一焊盘单元包括至少两个第一焊盘， 且一个所述第一焊盘单元中的各所述第一焊盘与对应的所述第二焊盘...
    2025-10-27
  • 提升顶部光提取效率的倒装微型发光二极管
    提升顶部光提取效率的倒装微型发光二极管_苏州大学_202511037071.3
    本发明公开了一种提升顶部光提取效率的倒装微型发光二极管， 包括直接在微型发光二极管的GaN表面制备得到的出光面结构， 所述出光面结构包括具有n级斜面的斜面结构， n大于或等于2；所述斜面与水平面的夹角沿所述出光方向逐渐减小；所述斜面的垂直高...
    2025-10-27
  • 发光器件、发光装置及其制备方法
    发光器件、发光装置及其制备方法_佛山市国星光电股份有限公司_202510888810.3
    发明公开一种发光器件、发光装置及其制备方法， 该发光器件包括第一金属线路、第一阻焊层、第二金属线路、发光芯片以及封装胶结构， 第一金属线路的一侧具有外接表面， 第一金属线路的另一侧设有第一金属柱， 第一阻焊层覆盖第一金属线路除外接表面之外的...
    2025-10-27
  • 发光器件、发光装置及其制备方法
    发光器件、发光装置及其制备方法_佛山市国星光电股份有限公司_202510887476.X
    本发明公开一种发光器件、发光装置及其制备方法， 该发光器件包括金属线路、发光芯片以及封装胶结构， 金属线路的一侧具有外接表面， 发光芯片电连接于金属线路， 且设置于金属线路远离外接表面的一侧， 封装胶结构覆盖发光芯片以及金属线路除外接表面之...
    2025-10-27
  • 深紫外Micro-LED芯片及其制备方法
    深紫外Micro-LED芯片及其制备方法_武汉大学_202510659481.5
    本申请公开了深紫外Micro‑LED芯片及其制备方法， 该深紫外Micro‑LED芯片包括基底， 基底包括第一区域和环绕第一区域设置的第二区域；第一区域内和第二区域内包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、离位溅射AlN成核层、AlN缓冲层模板、Al...
    2025-10-27
  • 薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法
    薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511026941.7
    本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法， 涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括：由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极；其中， n‑AlGaN层开...
    2025-10-27
  • 一种深紫外发光二极管及其外延生长方法
    一种深紫外发光二极管及其外延生长方法_湖北优炜芯科技有限公司_202510865579.6
    本发明提供一种深紫外发光二极管及其外延生长方法， 该深紫外发光二极管通过在电流扩展层与量子阱有源层之间设置AlGaN基叠层结构的前置应力调控层， 且其中Al组分较低的第一子层存在显著厚度不均匀性(最高点与最低点厚度差大于平均厚度1/10)，...
    2025-10-27
  • 一种深紫外LED外延片及其外延生长方法
    一种深紫外LED外延片及其外延生长方法_湖北优炜芯科技有限公司_202510865576.2
    本发明提供一种深紫外LED外延片及其外延生长方法， 该深紫外LED外延片通过在本征层与电子注入层之间设置故意掺杂氧元素的AlGaN基复合结构的位错屏蔽层(氧含量高于背景水平)， 一方面利用氧掺杂对晶格缺陷的散射作用减少向上延伸的位错密度， ...
    2025-10-27
  • 紫外LED器件结构、其制作方法及应用
    紫外LED器件结构、其制作方法及应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510296747.4
    本发明提供了一种紫外LED器件结构、其制作方法及应用。所述器件结构包括异质衬底、前置层， 应力过渡层、n型氮化物层、氮化物多量子阱层、p型氮化物层以及后置层；其中， 将所述n型氮化物层分为第一亚层和第二亚层， 第一亚层的Si掺杂浓度小于第二...
    2025-10-27
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