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最新专利技术
  • 一种PCB板元件的引线自动排线组装系统
    一种PCB板元件的引线自动排线组装系统_胡孟然_202510784695.5
    本发明涉及PCB板生产线技术领域， 具体为一种PCB板元件的引线自动排线组装系统， 包括一号传送带和二号传送带， 一号传送带用于输送待组装的接线元件， 二号传送带用于输送PCB板本体， 一号传送带与二号传送带分别通过一号电机和二号电机进行驱...
    2025-10-31
  • 一种带有移动校准结构的SMT贴片机
    一种带有移动校准结构的SMT贴片机_柏兆(吉安)电子有限责任公司_202510979831.6
    本发明提供了一种带有移动校准结构的SMT贴片机， 包括底座， 其顶端四个边角处均设置有立柱， 底座顶端设置有四个导向柱， 同侧的两个导向柱之间共同滑动设置有承托板。本公开属于带有移动校准结构的SMT贴片机技术领域。本发明在对PCB基板进行安...
    2025-10-31
  • 一种双面集成电路板贴片辅助工装
    一种双面集成电路板贴片辅助工装_广州智慧自动化科技有限公司_202511048190.9
    本发明涉及集成电路板贴片辅助工装技术领域， 具体为一种双面集成电路板贴片辅助工装， 包括：机台， 机台的两侧分别设置有多组主动轴与从动轴， 主动轴与从动轴对立设置， 主动轴的内侧端部连接着夹持组件， 从动轴的内侧开设有第一伸缩槽， 第一伸缩...
    2025-10-31
  • 一种转塔式散料贴片机
    一种转塔式散料贴片机_深圳市卓兴半导体科技有限公司_202511287836.9
    本发明公开了一种转塔式散料贴片机， 包括机架以及安装于所述机架上的固晶台组件、邦头组件、下压组件、视觉组件、震动盘上料组件、分选组件和微动分离平台， 所述邦头组件包括转盘、转盘驱动件以及摆臂， 所述摆臂包括安装座、连接座和弹性板， 所述安装...
    2025-10-31
  • 贴片机及其上料机构
    贴片机及其上料机构_深圳市易通自动化设备有限公司_202511276296.4
    本发明涉及一种贴片机及其上料机构， 上料机构包括承载架、传动轮、输送带和驱动器， 传动轮可转动地设于承载架且相对承载架具有第一位置和第二位置， 输送带搭接于传动轮且与传动轮联动， 在第一位置时输送带用于承载电路基板的宽度小于第二位置时输送带...
    2025-10-31
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_华虹集成电路(成都)有限公司_202510884819.7
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法， 包括：提供衬底， 在衬底上定义出多晶硅图形区；形成图形化的光阻层位于衬底上， 且图形化的光阻层在衬底上的投影位于多晶硅图形区内， 沿第一方向图形化的光阻层的边缘与多晶硅图形区的边缘具有间距；以图形化的...
    2025-10-31
  • 三维动态随机存取存储器阵列结构
    三维动态随机存取存储器阵列结构_北京超弦存储器研究院_202510781348.7
    本公开提供了一种三维DRAM阵列结构， 其包括L层M行N列DRAM单元结构， 每个DRAM单元结构包括：具有管状沟道的第一和第二围栅晶体管， 设置在竖直方向上并且电气上并联连接， 以及管状结构的存储电容器， 在竖直方向上设置在第一和第二围栅...
    2025-10-31
  • 晶体管结构、存储器及存储器制备方法
    晶体管结构、存储器及存储器制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510855854.6
    一种晶体管结构、存储器及存储器的制备方法， 该晶体管结构包括：有源体， 有源体包括源极区、漏极区和位于源极区和漏极区之间的沟道区， 源极区和/或漏极区具有台阶；第一氧化层， 第一氧化层位于台阶的表面， 第一氧化层的表面与沟道区的表面齐平；第...
    2025-10-31
  • 存储单元、存储阵列及其形成方法
    存储单元、存储阵列及其形成方法_芯盟科技有限公司_202510969989.5
    一种存储单元、存储阵列及其形成方法， 存储单元包括：沟道层沿第一方向的一侧与第二导电层的第一面相接触， 沟道层沿第一方向的另一侧与第一导电层相接触；第二导电层的第二面和第三导电层之间具有介质层。第一导电层能够兼顾晶体管的漏极和存储阵列位线的...
    2025-10-31
  • OTP存储器件及形成方法
    OTP存储器件及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202510856235.9
    本发明提供了一种OTP存储器件及形成方法， 包括：在外延层的表面形成间隔设置的浮栅和控制栅；在浮栅和控制栅的两侧的外延层内形成源端和漏端；在浮栅的顶面以及浮栅和控制栅露出的外延层的表面形成金属硅化物阻挡层；在金属硅化物阻挡层的表面和控制栅的...
    2025-10-31
  • 电熔丝单元阵列版图结构
    电熔丝单元阵列版图结构_华虹集成电路(成都)有限公司_202510896570.1
    本发明提供一种电熔丝单元阵列版图结构， 包括至少一个单元对结构版图， 单元对结构版图包括沿第一方向依次排布的两个编程晶体管图案、两个二极管图案、两个读选择晶体管图案和两个熔丝图案；每个二极管图案包括P端图案和N端图案， P端图案的顶角设有一...
    2025-10-31
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_长江存储科技有限责任公司_202511087303.6
    本发明提供了一种半导体结构及其制备方法， 用于降低半导体结构的设计难度及制备成本。半导体结构包括多个半导体器件。半导体器件包括衬底和参考图形。相邻两个半导体器件中， 位于下层的为第一半导体器件， 位于上层的为第二半导体器件。第二半导体器件的...
    2025-10-31
  • 三维存储器及制备方法、存储系统
    三维存储器及制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202511156523.X
    本公开提供了一种三维存储器及制备方法、存储系统， 涉及半导体芯片技术领域， 三维存储器包括阵列器件和第一外围器件。阵列器件包括：第一基底、存储堆叠结构和栅线隔离结构。存储堆叠结构设置在第一基底上， 包括交替叠置的栅绝缘层和栅极层。栅线隔离结...
    2025-10-31
  • 一种忆阻器交叉阵列及其制备方法
    一种忆阻器交叉阵列及其制备方法_黑龙江大学_202510698821.5
    本发明公开了一种忆阻器交叉阵列及其制备方法， 该忆阻器交叉阵列包括底电极、阻变层和顶电极， 所述底电极具有m个， 沿第一方向在同一水平面平行排列；所述顶电极具有n个， 沿与第一方向垂直的第二方向在底电极上方平行排列， 与底电极在空间上正交排...
    2025-10-31
  • 芯片结构、半导体结构及存储器
    芯片结构、半导体结构及存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202510855683.7
    本公开提供了一种芯片结构、半导体结构及存储器， 涉及半导体技术领域。该芯片结构包括：CA信号传输模块， 包括M个焊盘， M个所述焊盘中包括N个第一焊盘和T个第二焊盘， 所述第一焊盘用于传输CA信号；所述CA信号传输模块具有中心位置， 位于所...
    2025-10-31
  • 一种基板内埋互联的多芯片封装结构及其制备方法
    一种基板内埋互联的多芯片封装结构及其制备方法_华天科技(南京)有限公司_202510910866.4
    本发明涉及封装技术领域， 公开了一种基板内埋互联的多芯片封装结构及其制备方法， 包括基板以及塑封体；基板内设有若干组埋覆芯片单元， 其中若干埋覆芯片单元在基板内并排分布， 基板的上表面设有若干逻辑芯片， 其中逻辑芯片分别与相邻的两个埋覆芯片...
    2025-10-31
  • 铁电薄膜、铁电存储单元、铁电存储器阵列及芯片
    铁电薄膜、铁电存储单元、铁电存储器阵列及芯片_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065462.6
    本申请提供了一种铁电薄膜、铁电存储单元、铁电存储器阵列及芯片。铁电薄膜包括：铁电层， 包含1%至5%的Al或Si掺杂铁电材料；或， 包含1%至10%的TiN或TaN掺杂铁电材料；或， 包含；其中， x的取值范围为0.25至0.75， γ的取...
    2025-10-31
  • 在薄膜材料中形成MPB的方法、MIM结构及其制备方法和应用
    在薄膜材料中形成MPB的方法、MIM结构及其制备方法和应用_中国科学技术大学_202511051734.7
    本发明公开了在薄膜材料中形成MPB的方法、MIM结构及其制备方法和应用， 涉及薄膜材料制造技术领域。本发明利用兼容性良好的电极图形化方式， 使后续退火热处理时在薄膜界面引入局部应力场， 打破常规晶相在应力均匀场中自发生长的随机性， 使晶相分...
    2025-10-31
  • 通过含氮等离子体处理提升电容器性能的方法及高密度电容器
    通过含氮等离子体处理提升电容器性能的方法及高密度电容器_中国科学技术大学_202511051949.9
    本发明公开了通过含氮等离子体处理提升电容器性能的方法及高密度电容器， 涉及高密度电容器制造技术领域。本发明提出了使用含氮气体对高密度电容器的电极层与电介质层的界面处进行等离子体处理的手段， 其具有一种简洁、高效、兼容性好且工艺可控的优点， ...
    2025-10-31
  • 一种通过微波处理降低HZO铁电电容漏电提升可靠性的方法
    一种通过微波处理降低HZO铁电电容漏电提升可靠性的方法_西安电子科技大学杭州研究院_202511203565.4
    本发明公开了一种通过微波处理降低HZO铁电电容漏电提升可靠性的方法， 在检测到HZO铁电电容漏电增大后， 采用如下的方法降低HZO铁电电容的漏电， 所述方法包括如下步骤：第一步：对HZO铁电电容施加一定电压和频率的循环电压；第二步：施加完循...
    2025-10-31
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