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最新专利技术
  • 一种乙丁橡胶/聚丙烯热塑性硫化胶及热塑性硫化胶的制备方法
    一种乙丁橡胶/聚丙烯热塑性硫化胶及热塑性硫化胶的制备方法_北京化工大学_202410089166.9
    本发明涉及高分子材料技术领域，具体涉及一种乙丁橡胶/聚丙烯热塑性硫化胶及热塑性硫化胶的制备方法。本发明使用乙丁橡胶与聚丙烯，不用额外添加增容剂去改善二者的相容性问题，之后再经过橡塑预混、动态硫化制备得到了具有精细的微观相态结构，优异的物理力...
    2025-08-12
  • 一种Micro-LED转移基板和装置
    一种Micro-LED转移基板和装置_视彩(上海)光电技术有限公司_202410097284.4
    本发明公开了一种Micro‑LED转移基板和装置。该转移基板包括：基底；设置于基底一侧的导电层，导电层包括至少一个通孔；设置于导电层远离基底一侧的转移胶层，转移胶层用于转移Micro‑LED；激光光源，设置于基底远离导电层的一侧，激光光源用...
    2025-08-12
  • 电池串的制备方法、电池串及光伏组件
    电池串的制备方法、电池串及光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202410104307.X
    本申请涉及光伏组件技术领域，特别是涉及一种电池串的制备方法、电池串及光伏组件。该电池串的制备方法，包括以下步骤：提供半导体基体；对半导体基体进行金属化处理以得到电池片；将电池片与连接件连接以得到电池串前驱体；对电池串前驱体进行光照处理并同时...
    2025-08-12
  • 一种半导体集成器件、制作方法以及显示面板
    一种半导体集成器件、制作方法以及显示面板_重庆康佳光电科技有限公司_202410097698.7
    本申请提供一种半导体集成器件、制作方法以及显示面板，该半导体集成器件包括：衬底，包括相邻设置的第一区域和第二区域；发光单元，设于所述第一区域上；高电子迁移率晶体管，设于所述第二区域上；所述高电子迁移率晶体管包括沟道层、设于所述沟道层上的空间...
    2025-08-12
  • 壳体及其制备方法和电子设备
    壳体及其制备方法和电子设备_华为技术有限公司_202410097582.3
    本申请提供了一种壳体及其制备方法和包含该壳体的电子设备，壳体中用于固定装饰件的连接件卡设在壳体的支撑层上的槽体中，连接件和装饰件可以牢固地固定在壳体上，连接件和装饰件从壳体上脱落的概率较小。壳体制备的过程中使用包覆有液态树脂的纤维来支撑表层...
    2025-08-12
  • 壳体及其制备方法和电子设备
    壳体及其制备方法和电子设备_华为技术有限公司_202410097403.6
    本申请提供了一种壳体和电子设备以及该壳体的制备方法，壳体由支撑层和触摸层组成，支撑层可以包括凸出部分，该凸出部分可以作为壳体的装饰件。在壳体的制备过程中，壳体的装饰件和支撑层可以一体成型，装饰件和支撑层之间不需要通过胶黏材料连接，且装饰件无...
    2025-08-12
  • 一种电机加工压紧装置
    一种电机加工压紧装置_徐州南普机电科技有限公司_202410093920.6
    本申请公开了一种电机加工压紧装置，涉及电机加工技术领域，包括工作台、电机壳体和电机端盖，工作台上固定有支架，还包括压紧组件和驱动部；所述压紧组件包括支撑板、定位部和压紧部；所述支撑板为矩形板，且其一侧与支架滑动连接，驱动部用于带动支撑板移动...
    2025-08-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410097899.7
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的半导体衬底表面形成有硅层，所述第二区域的半导体衬底表面形成有硅锗层，所述硅层和所述硅锗层表面平齐；鳍片，分别位于所述第一区...
    2025-08-12
  • 以实境影像触发智能对话方法与系统
    以实境影像触发智能对话方法与系统_沛嘻科技股份有限公司_202410097798.X
    一种以实境影像触发智能对话方法与系统，在方法中，通过服务器接收用户装置传送的位置信息与实境影像请求，根据位置信息计算基于所接收的位置信息在多个视角对应的多个可视范围，即根据计算得出的多个可视范围查询数据库，可得出一或多笔适地性数据，之后将一...
    2025-08-12
  • 数据处理方法、问答处理方法和文档理解方法
    数据处理方法、问答处理方法和文档理解方法_浙江阿里巴巴机器人有限公司_202410095648.5
    本说明书实施例提供数据处理方法、问答处理方法和文档理解方法，其中所述数据处理方法包括：获取目标数据；将目标数据输入数据处理模型，获得目标数据的处理结果，数据处理模型利用增强样本集训练得到，增强样本集是对目标样本集进行数据增强得到，目标样本集...
    2025-08-12
  • 程序验证方法、装置、产品、设备和介质
    程序验证方法、装置、产品、设备和介质_腾讯科技(深圳)有限公司_202410095712.X
    本申请公开了一种程序验证方法、装置、产品、设备和介质，该方法包括：获取测试用例；测试用例用于在验证场景下对防御程序的防御有效性进行验证；基于测试用例，在验证场景下的至少一个镜像处理阶段对验证场景中的风险镜像进行处理；以及，在至少一个镜像处理...
    2025-08-12
  • 空调解冻台联合系统
    空调解冻台联合系统_青岛海尔空调器有限总公司_202410094808.4
    本申请涉及空调技术领域，公开一种空调解冻台联合系统，包括：厨房空调，包括冷凝器，冷凝器为套管式换热器；冷凝器包括内管和外管，内管套设于外管中且与外管之间形成流体通道；其中，内管用于连通外部水源以作为冷却水，流体通道用于连通冷媒；解冻台，包括...
    2025-08-12
  • 复合材料、薄膜及其制备方法、光电器件和显示装置
    复合材料、薄膜及其制备方法、光电器件和显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202410102564.X
    本申请公开了一种复合材料、薄膜及其制备方法、光电器件和显示装置。所述复合材料包括N型无机半导体粒子和聚噻吩类化合物，所述聚噻吩类化合物具有式(I)所示的结构式： 2025-08-12
  • 显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏
    显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏_成都辰显光电有限公司_202410105934.5
    本申请实施例提供的显示面板、显示面板的制备方法及拼接显示屏，涉及显示技术领域。在显示面板中，将粘接层设置在第一基板的凹槽内，第二基板通过粘接层与第一基板固定，设置在第一基板上的第一导电引脚和设置在第二基板上的第二导电引脚通过至少分布于第一基...
    2025-08-12
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202410101728.7
    本申请涉及一种显示面板及显示装置。其中，显示面板，包括：衬底、驱动电路层与键合层。所述驱动电路层位于所述衬底与所述键合层之间，所述键合层位于所述驱动电路层背向所述衬底的一侧。所述键合层包括阵列排布的键合焊垫组。所述驱动电路层内的驱动电路与对...
    2025-08-12
  • 一种LED光源器件
    一种LED光源器件_深圳循光科技有限公司_202410096660.8
    本发明涉及半导体发光技术领域，公开了一种LED光源器件，其包括基板、发光芯片、第一透镜、第二透镜和空腔结构。发光芯片设于基板上。第一透镜至少覆盖发光芯片的上表面。第二透镜设于第一透镜的上方。空腔结构设于第二透镜与基板之间。第一透镜设于空腔结...
    2025-08-12
  • 一种AlGaN基紫外发光量子点结构及其制备方法与应用
    一种AlGaN基紫外发光量子点结构及其制备方法与应用_北京大学_202410099085.7
    本发明公开了一种AlGaN基紫外发光量子点结构及其制备方法与应用。本发明提供的AlGaN基紫外发光量子点结构包括周期性结构；所述周期性结构由AlxGa1‑xN量子点和AlyG...
    2025-08-12
  • 光电探测器及光电通信系统
    光电探测器及光电通信系统_华为技术有限公司_202410108739.8
    公开了一种光电探测器及光电通信系统。光电探测器包括衬底和光电转换结构，在第一方向上，光电转换结构设置于衬底的一侧，第一方向为衬底的厚度方向；光电转换结构包括多个光子吸收层，多个光子吸收层沿第二方向排布，相邻光子吸收层相接触，第二方向垂直于第...
    2025-08-12
  • 一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备
    一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备_一道新能源科技股份有限公司_202410100898.3
    本发明提供了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备。所述方法包括：对目标硅片的第一表面中的电极印刷区域进行激光刻槽处理，得到第一凹槽；确定与第一凹槽相交的至少两条直线；至少两条直线与第一凹槽相交且存在一个共同的交点；根据至少两条直线...
    2025-08-12
  • 薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法
    薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法_深超光电(深圳)有限公司_202410102459.6
    本发明涉及一种薄膜晶体管、像素阵列基板、显示装置及其制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基板上形成第一金属层以及覆盖于第一金属层上的绝缘层；在绝缘层上形成非晶态半导体薄膜；对非晶态半导体薄膜进行离子注入，以将3A族离子注入非晶...
    2025-08-12
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