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  • 本申请公开了深紫外Micro‑LED芯片及其制备方法, 该深紫外Micro‑LED芯片包括基底, 基底包括第一区域和环绕第一区域设置的第二区域;第一区域内和第二区域内包括依次层叠设置的蓝宝石衬底、离位溅射AlN成核层、AlN缓冲层模板、Al...
  • 本申请提供了一种薄膜型深紫外LED芯片及其制备方法, 涉及半导体光电子器件领域。该薄膜型深紫外LED芯片包括:由下至上依次层叠的支撑衬底、键合金属层、p型电极、p‑AlGaN层、有源区、n‑AlGaN层和n型电极;其中, n‑AlGaN层开...
  • 本发明提供一种深紫外发光二极管及其外延生长方法, 该深紫外发光二极管通过在电流扩展层与量子阱有源层之间设置AlGaN基叠层结构的前置应力调控层, 且其中Al组分较低的第一子层存在显著厚度不均匀性(最高点与最低点厚度差大于平均厚度1/10),...
  • 本发明提供一种深紫外LED外延片及其外延生长方法, 该深紫外LED外延片通过在本征层与电子注入层之间设置故意掺杂氧元素的AlGaN基复合结构的位错屏蔽层(氧含量高于背景水平), 一方面利用氧掺杂对晶格缺陷的散射作用减少向上延伸的位错密度, ...
  • 本发明提供了一种紫外LED器件结构、其制作方法及应用。所述器件结构包括异质衬底、前置层, 应力过渡层、n型氮化物层、氮化物多量子阱层、p型氮化物层以及后置层;其中, 将所述n型氮化物层分为第一亚层和第二亚层, 第一亚层的Si掺杂浓度小于第二...
  • 本发明公开了一种倒装微型发光二极管的制备方法, 包括如下步骤:提供一衬底, 并在所述衬底上制备外延层;其中, 所述外延层包括层叠设置的第一n型半导体层、发光层、p型半导体层和导电层;对所述外延层进行刻蚀, 以形成第二n型半导体层以及多个间隔...
  • 本发明公开了一种倒装微型发光二极管的出光面结构的制备方法, 包括如下步骤:在第二n型半导体层的表面涂覆光刻胶层并进行光刻, 以形成当前图案;以所述当前图案作为掩膜, 对所述第二n型半导体层进行刻蚀, 使所述第二n型半导体层的表面形成第i级斜...
  • 本发明涉及芯片加工技术领域, 具体为一种基于高精度固晶的MiniLED芯片贴装方法, 包括以下步骤, S1, 利用固定部件对固晶头进行固定, 动态压力控制固晶头, 固晶头内置压力传感器与闭环反馈系统, 贴装压力按芯片尺寸动态调整(10‑50...
  • 本申请涉及Micro‑LED制造技术领域, 具体涉及一种Micro‑LED器件的制造方法及LED芯片。本申请提供的Micro‑LED外延结构的制造方法, 包括以下步骤:提供工艺中间体, 工艺中间体至少包括底部的衬底层和顶部的低温GaN层;在...
  • 本发明涉及应用于光伏领域的一种高散热性太阳能光伏组件, 通过对现有的背板进行改进, 利用热传递作用将光伏组件的热量传递至背板内部的冷却剂中, 让半导体制冷组件的制冷作用对冷却剂进行降温, 实现对光伏组件的高效散热, 并通过导热条将光伏组件侧...
  • 本申请公开了一种光伏组件背面结构和双玻光伏组件, 属于光伏组件技术领域, 用于提升光伏组件的正面发电功率。该光伏组件背面结构包括位于电池片组串背侧的多个背侧光反射器和多个间隙反射器;多个背侧光反射器与电池片组串中的多个电池片一一对应, 多个...
  • 本申请实施例涉及光伏电池领域, 提供一种光伏组件, 包括:光伏电池, 光伏电池具有相对的第一表面和第二表面;透光层, 透光层设置在第一表面和第二表面两者中的至少一者;透光层具有相对的第一面和第二面, 第一面为透光层背离光伏电池的一侧表面;透...
  • 本申请提供了一种光伏组件, 其包括:相互联接的若干光伏电池, 光伏电池包括硅基底, 硅基底具有第一表面和第二表面, 第一表面和/或第二表面上设置有向内凹陷而成的若干第一光学结构;光伏玻璃, 覆盖若干光伏电池, 光伏玻璃具有第三表面和第四表面...
  • 本发明提供了一种钝化膜层结构及其制备方法和在制备太阳能电池中的应用, 涉及太阳能电池的技术领域, 所述钝化膜层结构包括:在硅基体背面依次层叠设置的隧穿氧化层、氧化铝层、多晶硅层和掺杂多晶硅层。本发明通过在传统隧穿氧化层与掺杂多晶硅层之间引入...
  • 本发明适用于太阳能电池技术领域, 提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统, 背接触太阳能电池的背光面设置有P区和N区, P区和N区均设置有太阳能电池钝化接触结构, 太阳能电池钝化接触结构包括依次层叠设置于硅基底表面的第一钝化层、第一掺...
  • 本申请实施例涉及光伏领域, 提供一种太阳能电池及光伏组件, 太阳能电池包括基底;钝化层, 所述钝化层位于所述基底的表面;介质层, 所述介质层位于所述钝化层的表面, 所述介质层远离所述基底的表面具有陷光颗粒;电极, 所述电极位于所述介质层上,...
  • 本发明涉及背接触电池技术领域, 公开了一种背接触电池片、电池串、电池组件及电池串的制作方法。背接触电池片包括设有PN结层结构的电池片主体, 电池片主体沿Y轴方向的两侧设置有极性不同的第一半导体拓宽区和第二半导体拓宽区, 第一半导体拓宽区和第...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域, 尤其涉及一种电池片及光伏组件。电池片包括焊接结构、汇流鱼叉和汇流电极。焊接结构包括位于最外侧的边缘焊接结构, 汇流鱼叉与边缘焊接结构连接, 汇流鱼叉包括鱼叉间隙。汇流电极包括与汇流鱼叉连接的第一电极和第二电极...
  • 本申请涉及太阳能电池技术领域, 尤其涉及一种电池片及光伏组件。电池片包括本体、焊盘、鱼叉结构和细栅。焊盘包括边缘焊盘和中部焊盘, 在第一方向上, 中部焊盘位于边缘焊盘的一侧。在第一方向上, 鱼叉结构位于边缘焊盘背离中部焊盘的一侧, 鱼叉结构...
  • 本公开实施例涉及光伏领域, 提供一种背接触电池、背接触叠层电池、光伏组件, 背接触电池包括:电池基片;沿第一、二方向均交替排布的第一、二主栅段;沿第二方向交替排布的第一、二细栅;第一主栅段与第一细栅电连接, 第二主栅段与第二细栅电连接;沿第...
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