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  • 本发明属于生物医药技术领域,公开了L‑乳酸在制备促进肌肉损伤修复和/或再生的药物中的应用。本发明中L‑乳酸能够显著促进肌卫星细胞的增殖与分化,帮助改善某些外部刺激因素,如衰老、损伤、废用或某些退行性疾病引起的肌无力、肌萎缩、肌肉协调性差等骨...
  • 本发明提供一种神经外科躁动患者调节约束手套,包括手臂固定装置,手臂固定装置的后侧设置有手套装置;手臂固定装置包括弧状框,弧状框的两侧均设置有导轨,导轨的内部滑动连接有滑块,滑块的外侧固定连接有侧臂,侧臂的顶部安装有定位机构,定位机构的一侧设...
  • 本发明提供了一种原位打印轨迹规划方法,在3D扫描后设计了一体化的点云数据处理流程,减少人工干预;分别利用LSCM和ARAP算法对三维三角网格进行平面参数化,降维以降低实现难度,提升路径规划效率,以该两种方法相互验证,保证参数化效果;利用顶点...
  • 本发明涉及医疗器械技术领域,公开了一种钢板螺钉取出用补偿装置,包括夹持组件,包括夹持件,包括滑动块、移动块以及固定板,移动块设置于滑动块内壁滑动,固定板套设于滑动块外侧,滑动块数量为两个,均设置于固定板内壁滑动;驱动组件,设置于固定板一端,...
  • 本发明公开了一种钻枪前端快速连接装置,包括连接套、连接块、采样仓和导套,所述连接套为空心结构,连接套的一端连接有连接块,连接块远离连接套的一端连接有采样仓,采样仓的远离连接块的一端连接有导套,连接套导套内能够插入钻头;所述连接套的另一端能够...
  • 本发明涉及厨房设备技术领域,具体公开了一种基于温湿度双控与风道优化的蒸汽烤箱防凝结控制系统,其包括蒸汽烤箱和控制电路。烘烤部设加热腔,电控部位于其上方,设电控腔并内置控制电路及下侧冷却风道。风道一端接风机出口,另一端水平贯穿电控部与外部连通...
  • 本发明公开了一种具有调节化疗后人群的食欲和体重并改善味觉感知能力的营养组合物及其应用。本发明提供的营养组合含奶粉、大豆蛋白、浓缩乳清蛋白、牛初乳粉、水解蛋黄、红豆提取物、大枣提取物、百合冻干粉、西兰花冻干粉、莱菔子提取物、桃仁提取物、黄原胶...
  • 本发明提供一种集成柱状微结构阵列的MSM光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域。该制备方法通过在半导体薄膜表面集成柱状微结构阵列,并在沟道内制备网格状叉指电极,既能够可以降低器件表面反射,增加散射,从而减少反射光的强度,增强光吸收,又...
  • 本发明的目的在于提供一种微结构硅/硅化镁异质结光电探测器的制备方法,属于光电探测器技术领域。该方法先在硅基片表面制备镁薄膜,通过热反应生成硅化镁薄膜,然后刻蚀带有硅化镁薄膜的硅基片形成柱状微结构阵列,刻蚀贯穿硅化镁薄膜层并到达硅基底中一定深...
  • 本申请公开了一种金属格栅的制作方法,包括:通过光刻工艺进行第一次刻蚀,在硬掩模层中形成第一凹槽,硬掩模层形成于金属层上,硬掩模层包括氧化物层,金属层形成于绝缘层上方,绝缘层形成于晶片的背面,晶片用于形成CIS,金属层用于形成CIS的金属格栅...
  • 本申请公开了一种应用于金属栅格制作工艺中的刻蚀方法,包括:提供一衬底,衬底上用于形成半导体器件的区域包括第一区域和第二区域,衬底背面的第一区域中形成有第一凹槽,衬底背面的第二区域中形成有第二凹槽,衬底背面的表面从下而上依次形成有第一金属层、...
  • 本申请公开了一种金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法,包括:进行第一次刻蚀,在第二氧化物层和氮化物层中形成第一凹槽,第一凹槽底部的氮化物层暴露,第二氧化物层形成于氮化物层上,氮化物层形成于第一氧化物层上,第一氧化物层形成于金属层上,第一氧化物层、氮...
  • 本申请公开了一种金属格栅的硬掩模层的刻蚀方法,包括:在金属层上形成硬掩模层,硬掩模层从下而上依次包括第一绝缘层、第二绝缘层、氮化钛层和第三绝缘层,金属层形成于晶片的背面,晶片用于形成CIS,金属层用于形成CIS的金属格栅;在硬掩模层上形成B...
  • 本申请公开了一种改善非自对准CMOS管阈值电压均匀性的方法,包括:提供一衬底,所述衬底中形成有阱区;进行第一离子注入工艺,以在所述阱区中形成间距设置的两个轻掺杂漏区,两个所述轻掺杂漏区之间的区域定义为有效沟道区域;进行第二离子注入工艺,以在...
  • 本申请提供一种屏蔽栅沟槽型MOS器件的外围终端结构,在外围终端区设置依次相连的多段终端沟槽,各段终端沟槽均呈圆弧状,两两相邻的终端沟槽的连接位置分别与源/漏引出沟槽的端部相连通,进一步的,该终端沟槽中淀积第一隔离层和第一多晶硅材料层,从而得...
  • 本发明提供一种改善深沟槽超级结器件IDSS离散的方法,将衬底转移至反应室中,深沟槽的表面因自然氧化形成有氧化层,深沟槽与氧化层的界面形成有N型杂质浓度大于外延层的硅层,将反应室内的温度升高至第一设定温度,将反应室内的压力提高至第一设定压力,...
  • 本发明提供一种超结沟槽栅MOSFET器件,包括N型衬底,在衬底上形成有N型外延层,在N型外延层表面形成有P型体区;在体区顶部形成有沟槽,沟槽从N型外延层的上表面向下延伸穿过体区,在沟槽底部的N型外延层上形成有第一P柱;位于沟槽中的介质层,其...
  • 本发明提供一种超结‑沟槽栅MOSFET结构,包括在第一导电类型的衬底上外延形成的第一导电类型的外延层;在外延层表面形成有第二导电类型的体区;在体区顶部形成有栅沟槽,在栅沟槽下方的外延层中形成有第二导电类型的柱体区,柱体区的顶端与栅沟槽的底端...
  • 本发明涉及FPC加工设备领域,具体涉及一种FPC剥离设备,本发明通过设置通过驱动模组一和驱动模组二分别驱动第一压料模组和第二压料模组分别移动至和料带的两端相对应的位置,再通过吸附头一将料带放置于剥离板上。再通过第一压料模组和第二压料模组先夹...
  • 本发明涉及水冷板加工技术领域,具体是一种复合型水冷板及水冷板加工工艺及焊接夹具。本发明包括板体和板体内的水流道,板体的板面开设有连通水流道的沉孔,沉孔处密封安装有复合换热板,复合换热板包括从内向外依次分布的铝板和铜板,且铝板通过在铜板板面F...
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