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最新专利技术
  • 半导体清洗设备和清洗方法
    半导体清洗设备和清洗方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411390809.X
    本发明公开一种半导体清洗设备和清洗方法，所公开的半导体清洗设备包括基座、第二喷淋装置和多个第一喷淋装置，所述基座用于承载晶圆；所述多个第一喷淋装置沿所述基座的升降方向间隔分布，所述第一喷淋装置用于在所述基座承载所述晶圆移动至相应的清洗位置时...
    2026-04-20
  • 一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法
    一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411368352.2
    本发明公开了一种改善光阻去除前后晶片表面电荷的方法，其包括用正电荷溶液清洗中和光阻上表面负电荷后，再进行光阻定义图案和刻蚀。本发明在上光阻前对晶片表面进行清洗去除表面电荷，可改善刻蚀后凹陷的问题，具体地，通过正电荷溶液清洗中和光阻上表面负电...
    2026-04-20
  • 一种提高划片质量的划片控制方法及系统
    一种提高划片质量的划片控制方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202512015488.6
    本发明公开了一种提高划片质量的划片控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：基于目标晶圆的实测属性信息和划片机设备属性信息从预构建的划片参数库中匹配获取第一、第二划片作业的第一、第二基准划片参数；进行第一划片作业模拟，得到预测浅切...
    2026-04-20
  • 一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法
    一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法_苏州研材微纳科技有限公司_202512006049.9
    本发明属于半导体制造技术领域，特别的，属于一种基于侧面各向异性腐蚀与应力剥离的超薄SOI结构制备方法。制备步骤：通过热氧化和键合的方式，形成叠层结构的初始晶圆；其中，叠层结构包括硅衬底、埋氧层、顶层硅；在初始晶圆的侧面进行光刻，定义出用于腐...
    2026-04-20
  • 一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备
    一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备_常州泓承电子有限公司_202511697687.3
    本发明提供一种基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备，涉及晶圆切割领域。该基于激光干涉测量的高精度晶圆切割设备，包括用于承载晶圆的承载台，以及用于测量承载台位移的激光干涉仪，承载台根据与晶圆的移动关系分为固定部和移动部，激光干涉仪测量固定部和...
    2026-04-20
  • 一种面向激光剥离半导体的高质高效薄化加工方法
    一种面向激光剥离半导体的高质高效薄化加工方法_北京航空航天大学_202511524842.1
    本发明公开了一种面向激光剥离半导体的高质高效薄化加工方法。该方法利用短脉冲激光对半导体衬底进行双阶段激光处理，实现表面起伏快速去除与高效薄化。第一阶段激光处理以去除剥离面表面起伏并形成便于后续加工的改性结构，第二阶段激光处理则将衬底减薄至目...
    2026-04-20
  • 一种调节背氧层厚度控制翘曲度的方法
    一种调节背氧层厚度控制翘曲度的方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511767656.0
    本发明提供一种调节背氧层厚度控制翘曲度的方法，包括以下步骤：制备SOI晶圆并获取初始背氧层厚度T0和初始翘曲度W0；根据目标翘曲度Wt, 基于背氧层厚度与翘曲度之间的线性关系，计算得到目标背氧层厚度Tt；计算背氧层偏差值ΔT=T0‑Tt，对...
    2026-04-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610256764.X
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，于衬底上形成覆盖非硅化物区域并暴露硅化物区域的牺牲层；于硅化物区域内的衬底上形成金属材料层，金属材料层延伸并覆盖牺牲层，且金属材料层的金属元素至少包括铂金属；对所述金属材料层进行快速热处...
    2026-04-20
  • 一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构
    一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202610254838.6
    本申请实施例公开了一种半导体结构的平坦化方法及半导体结构，包括：提供表面上形成有多个结构图形的衬底，形成将结构图形的顶部覆盖且表面具有凹陷的介质层，旋涂有机物层将凹陷填满，使用第一蚀刻选择比对有机物层的表面进行缺省掩膜的第一蚀刻，去除凹陷以...
    2026-04-20
  • 2D图形的刻蚀方法、2D图形及半导体制造方法
    2D图形的刻蚀方法、2D图形及半导体制造方法_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512061312.4
    本公开涉及一种2D图形的刻蚀方法、2D图形及半导体制造方法，该刻蚀方法包括在待刻蚀层上方形成第一掩膜层；在第一掩膜层上沉积第一膜层，通过图形化在第一膜层上形成沿第一方向延伸的第一过渡沟道、沿第二方向延伸的过渡沟槽；过渡沟槽在第二方向上连接两...
    2026-04-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511999077.9
    本申请提供半导体器件及其制备方法，方法包括：提供待蚀刻品，待蚀刻品包括保护区和待刻蚀区，保护区和待刻蚀区均包括目标氧化层；在保护区设置掩模板；通过蚀刻工艺刻蚀待刻蚀区上的目标氧化层；去除保护区上的掩模板得到半导体器件；其中，在保护区上设置掩...
    2026-04-20
  • 光阻去除方法及半导体器件的制造方法
    光阻去除方法及半导体器件的制造方法_重庆芯联微电子有限公司_202511732272.5
    本发明提供一种光阻去除方法及半导体器件的制造方法，在光阻去除方法中，先执行第一灰化工艺，第一灰化工艺采用的气体包括O2，以去除部分厚度的光阻层；执行第二灰化工艺，第二灰化工艺采用的气体包括N2H2，以去除剩余的光阻层；对半导体衬底执行湿法清...
    2026-04-20
  • 一种改善多晶硅轮廓的方法
    一种改善多晶硅轮廓的方法_重庆芯联微电子有限公司_202511730106.1
    一种改善多晶硅轮廓的方法，包括：步骤S1 : 提供半导体衬底，在半导体衬底上依次形成栅极氧化层、氧化铪层、氮化钛层以及非晶硅层；步骤S2 : 通过化学气相沉积工艺形成碳氮化硅层；步骤S3 : 在碳氮化硅层上沉积形成硬掩膜氧化物层；步骤S4 ...
    2026-04-20
  • 一种金属互连线的刻蚀方法
    一种金属互连线的刻蚀方法_格科半导体(上海)有限公司_202512058720.4
    本发明公开了一种金属互连线的刻蚀方法，包括：步骤1，提供一衬底，所述衬底上形成有铝金属层；步骤2，在所述铝金属层上形成图形化的掩膜层；步骤3，以所述图形化的掩膜层为掩膜，通入刻蚀气体，对所述铝金属层进行等离子体刻蚀，形成铝互连线；其中，所述...
    2026-04-20
  • 一种半导体结构的制备方法及半导体结构
    一种半导体结构的制备方法及半导体结构_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511956304.X
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：在具有台阶高度差的基底层上形成多晶硅层和氧化层；在氧化层上方旋涂无定型碳分散液，烘干之后在氩气氛围中进行碳化处理，形成上表面为平面的无氮‑无定型碳层；在无氮‑无定型...
    2026-04-20
  • 高深宽比深硅结构蚀侧壁形貌控制方法及应用
    高深宽比深硅结构蚀侧壁形貌控制方法及应用_苏州苏纳光电有限公司_202512013901.5
    本发明公开了一种高深宽比深硅结构蚀侧壁形貌控制方法及应用。该方法包括：对目标物表面的选定区域进行多次刻蚀，且首次刻蚀后利用PVD工艺在凹槽的侧壁上沉积保护层后再进行第二次刻蚀；首次刻蚀形成的凹槽深度，蒸发源与目标物在第一方向上的距离X满足，...
    2026-04-20
  • 一种刻蚀方法及半导体制造方法
    一种刻蚀方法及半导体制造方法_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202512060795.6
    本公开涉及一种刻蚀方法及半导体制造方法，刻蚀方法包括：在待刻蚀层上沉积第一氧化层和第一掩膜层，通过图形化在第一掩膜层上形成多个金属沟道，在第一掩膜层上沉积掩膜层组，并利用图形化对掩膜层组进行刻蚀，以形成掩膜块，以第一掩膜层和掩膜块为掩膜刻蚀...
    2026-04-20
  • 半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法
    半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610267257.6
    本发明公开了一种半导体结构及双沟槽隔离结构制备方法，属于半导体领域，在半导体衬底上依次沉积缓冲层和硬质掩模；通过刻蚀形成两种不同大小窗口的硬质掩模图案；沉积阶梯覆盖材料，仅将小窗口封闭；采用选择性刻蚀工艺去除水平方向的阶梯覆盖材料打开大窗口...
    2026-04-20
  • 一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻
    一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻_安庆师范大学_202512008136.8
    本发明公开了一种基于双模冗余策略的激光修调方法、激光系统及电阻，方法包括：将修调过程划分为纵向粗调和横向精调两种模式，并分别为这两种模式配置不同的冗余系数，平衡修调速度与安全性，将修调过程转化为一个受控、渐进式的安全收敛过程。本发明能够有效...
    2026-04-20
  • 一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法
    一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法_北京航空航天大学_202511898394.1
    本发明公开了一种双面超快激光内部改性与翘曲度闭环控制的晶圆剥离方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括：(1)采用两束超快激光，同步聚焦于一片晶圆内部的两个不同深度平面，扫描形成两层独立的内部致密改性层；(2)在改性过程中，利用一套双面位移...
    2026-04-20
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