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最新专利技术
  • 一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法
    一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法_中国矿业大学_202610210565.5
    本发明提供一种自保护多层复合压电陶瓷元件及其制备方法，该元件包括：压电功能层，为钙钛矿结构；热敏电阻保护层，由钛酸钡基陶瓷构成，具有点阵状功能单元阵列；热敏电阻保护层的功能单元以离散点阵形式嵌入压电功能层上下两侧，且上下两侧功能单元的平面投...
    2026-04-20
  • 一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法
    一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法_上海仙材技术有限公司_202610033370.8
    本发明涉及人机交互与智能传感技术领域，且公开了一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件及方法，一种基于压电薄膜的触觉感知反馈器件，包括：具有弹性的金属条，金属条的两端固定形成简支梁或悬臂梁结构；压电单元，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片...
    2026-04-20
  • 一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法
    一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法_北京理工大学_202511915781.1
    本申请涉及柔性压电传感器技术领域，公开了一种分子级网络增强的碳毡气凝胶压电传感器及其制备方法。该传感器包括：压电传感层、双网络气凝胶层、电极层和引出导线；双网络气凝胶层设置有两层，两层双网络气凝胶层分别层叠设置于压电传感层的上下两侧，以构成...
    2026-04-20
  • 一种碳毡-水凝胶复合压电传感器及其制备方法
    一种碳毡-水凝胶复合压电传感器及其制备方法_北京理工大学_202511914731.1
    本申请属于柔性压电传感器技术领域，涉及一种碳毡‑水凝胶复合压电传感器及其制备方法。该传感器包括：压电传感层、跨尺度双网络水凝胶层、电极层、引出导线和封装层；跨尺度双网络水凝胶层设置有两层，分别层叠设置于压电传感层的上下两侧，以构成三明治结构...
    2026-04-20
  • 一种无表面损伤层压电材料的减薄方法及压电材料
    一种无表面损伤层压电材料的减薄方法及压电材料_西安交通大学_202511954427.X
    本发明属于材料表面加工处理技术领域，涉及一种无损伤层压电材料的减薄方法及压电材料，减薄方法包括将待处理的压电材料在空气气氛下进行一次退火；对一次退火处理后的压电材料进行粗磨；使用氯化钾、氢氧化钾或苯乙胺碘化物溶液对粗磨后的压电材料表面进行化...
    2026-04-20
  • 提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法
    提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法_江瓷电子(苏州)有限公司_202511943028.3
    本发明属于压电陶瓷技术领域，涉及一种提升高居里温度PZT压电陶瓷性能的高温交流极化方法。包括：获取高居里温度PZT压电陶瓷样品，将其加热至100℃~180℃范围内，保温至受热均匀；高居里温度PZT压电陶瓷样品受热均匀后，保温状态下，对其在交...
    2026-04-20
  • 复合衬底及其制备方法
    复合衬底及其制备方法_济南晶正电子科技有限公司_202511919171.9
    本申请提供一种复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括：衬底层；低氧氧硅层，设置在衬底层上，低氧氧硅层由氧硅原子比小于2的硅氧化物构成，低氧氧硅层中具有本征氧空位；压电单晶薄膜层，设置在低氧氧硅层上；其中，压电单晶薄膜层为通过离子注入形成有分...
    2026-04-20
  • 一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用
    一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用_聊城大学_202512041315.1
    本发明涉及光热电转换技术领域，尤其涉及一种六氮杂三亚萘基有机小分子在光热电转换中的应用。本发明将六氮杂三亚萘基有机小分子应用于光热电转换器件中，光热电转换器件包括热电发生器和光热转换层；所述热电发生器具有一个热面端和一个冷面端；所述光热转换...
    2026-04-20
  • 双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法
    双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro-OMeTAD的空穴传输层的制备方法_上海第二工业大学_202512007591.6
    本发明公开双(三氟甲磺酰)亚胺铜(II)(Cu(TFSI)2)直接掺杂spiro‑OMeTAD的空穴传输层的制备方法，涉及太阳能电池。所述空穴传输层仅包含spiro‑OMeTAD材料和Cu(TFSI)2掺杂剂，无需传统的Li‑TFSI/tB...
    2026-04-20
  • 有机发光器件
    有机发光器件_株式会社LG化学_202511409589.5
    本发明提供有机发光器件。上述的有机发光器件在发光层中包含两种主体化合物，从而在有机发光器件中可以实现效率、驱动电压和/或寿命特性的提高。
    2026-04-20
  • 有机电致发光器件
    有机电致发光器件_北京夏禾科技股份有限公司_202411344500.7
    公开了一种有机电致发光器件。所述有机电致发光器件的有机层至少包含荧光发光材料和金属配合物。所述荧光发光材料具有由式1表示的结构，所述金属配合物包含由式2结构表示的配体。本发明的有机电致发光器件采用磷光材料敏化荧光发光材料，使制备的有机电致发...
    2026-04-20
  • 咪唑重构的锡基铁电钙钛矿半导体薄膜及铁电晶体管和制备方法
    咪唑重构的锡基铁电钙钛矿半导体薄膜及铁电晶体管和制备方法_复旦大学_202610024683.7
    本发明公开了一种咪唑重构的锡基铁电钙钛矿半导体薄膜及铁电晶体管和制备方法，其薄膜的制备：首先配置锡基钙钛矿前驱液，并在其中引入极性咪唑类分子，然后通过旋涂法制备锡基铁电钙钛矿半导体薄膜，通过压电原子力显微镜、二次谐波信号及铁电分析测试仪验证...
    2026-04-20
  • 一种掺杂改性的锡基钙钛矿太阳电池吸光层及其制备方法
    一种掺杂改性的锡基钙钛矿太阳电池吸光层及其制备方法_常州大学_202511989263.4
    本发明公开了一种掺杂改性的锡基钙钛矿太阳电池吸光层及其制备方法，属于薄膜太阳能电池技术领域。通过向锡基钙钛矿的前驱体溶液添加微量三氟甲磺酸钕，其分子中丰富的三氟甲磺酸根(CF3SO3‑)可钝化缺陷，提高锡基钙钛矿薄膜的质量；另外，少量的卤素...
    2026-04-20
  • 光电器件、光电器件的制备方法以及显示装置
    光电器件、光电器件的制备方法以及显示装置_深圳市TCL高新技术开发有限公司_202411393566.5
    本申请公开一种光电器件、光电器件的制备方法以及显示装置，所述光电器件包括：相对设置的阳极与阴极，设置于阳极与阴极之间的空穴功能层，以及设置于空穴功能层与阴极之间的辅助层，辅助层的材料包括至少一种共轭聚合物，有利于传导载流子，提高空穴传输速率...
    2026-04-20
  • 一种钙钛矿薄膜表面处理方法
    一种钙钛矿薄膜表面处理方法_江苏集萃有机光电技术研究所有限公司_202512041024.2
    一种钙钛矿薄膜表面处理方法，包括：清洁钙钛矿薄膜表面；检测清洁后的钙钛矿薄膜表面的荧光强度，并记为A；对钙钛矿薄膜的表面进行抛光处理，记录抛光处理过程中的钙钛矿薄膜表面的荧光强度，并记为B，当(B‑A)/A达到预设值时停止抛光；对经过抛光处...
    2026-04-20
  • 沉积掩模、用于制造沉积掩模的方法和电子装置
    沉积掩模、用于制造沉积掩模的方法和电子装置_三星显示有限公司_202511390390.2
    公开了一种沉积掩模、一种用于制造沉积掩模的方法和一种电子装置。沉积掩模包括：掩模基底，定位为围绕掩模开口；涂覆膜，设置在掩模基底上并且包括无机材料；以及掩模图案，定位在与掩模开口重叠的部分中，并且掩模图案与涂覆膜间隔开，孔图案介于掩模图案与...
    2026-04-20
  • 一种柔性钙钛矿薄膜、电池及制备方法
    一种柔性钙钛矿薄膜、电池及制备方法_湖州市鹑火光电有限公司_202511959622.1
    本发明涉及一种柔性钙钛矿薄膜、电池及制备方法，包括以下步骤：制备钙钛矿前驱体溶液，钙钛矿前驱体溶液中包含用于降低溶液在柔性疏水衬底上接触角的阴离子表面活性剂，阴离子表面活性剂的添加量为溶液总质量的0.05％～0.3％；将钙钛矿前驱体溶液涂覆...
    2026-04-20
  • 一种无铅钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的结晶调控和钝化方法
    一种无铅钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的结晶调控和钝化方法_常州大学_202511846543.X
    本发明公开了一种无铅钙钛矿太阳能电池中钙钛矿薄膜的结晶调控和钝化方法，属于新型薄膜太阳能电池技术领域。通过向无铅钙钛矿的吸光层中添加微量磷酸脒基脲，其胍离子(GA+)中丰富的氨基团(‑NH2)可钝化缺陷，提高钙钛矿薄膜的质量，含磷酸的分子由...
    2026-04-20
  • 基于分子桥工程重构钙钛矿吸光层和电子传输层界面态的方法及其在太阳能电池中的应用
    基于分子桥工程重构钙钛矿吸光层和电子传输层界面态的方法及其在太阳能电池中的应用_重庆大学_202511816522.3
    本发明涉及一种基于分子桥工程重构钙钛矿吸光层和电子传输层界面态的方法及其在太阳能电池中的应用，属于光电材料与器件领域。本发明主要是将界面改性小分子(同时含有羰基、磺酰基或硝基强吸电子基团以及苯环、吡啶或噻吩类芳香基团的化合物)溶解后得到界面...
    2026-04-20
  • 一种具有高稳定性的黑相CsSnI3钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种具有高稳定性的黑相CsSnI3钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_华南理工大学_202511737348.3
    本发明属于钙钛矿光电子材料技术领域，公开了一种具有高稳定性的黑相CsSnI3钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。方法：在保护性氛围下，将含有CsI、SnI2和二甲碘化铵的前驱体溶液涂覆于基底上，热退火处理，得到黑相CsSnI3钙钛矿薄膜；热退火处...
    2026-04-20
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