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最新专利技术
  • 一种晶圆刻蚀后灰化方法及半导体干法刻蚀设备
    一种晶圆刻蚀后灰化方法及半导体干法刻蚀设备_重庆芯联微电子有限公司_202511786405.7
    本发明公开了一种晶圆刻蚀后灰化方法以及半导体干法刻蚀设备，其中，晶圆刻蚀后灰化方法包括提供已经完成通孔刻蚀以及沟槽刻蚀的晶圆，所述晶圆上的通孔区域以及沟槽区域包括SiCOH低介电常数材料层；所述灰化方法包括，将所述晶圆放入处理腔室内，使用C...
    2026-04-10
  • 一种SiN深孔结构的形成方法
    一种SiN深孔结构的形成方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411330256.9
    本发明公开了一种SiN深孔结构的形成方法，包含：将基片置于真空反应腔中，所述基片包含衬底及设置在衬底上的SiN介质层；向所述真空反应腔中通入刻蚀气体，所述刻蚀气体至少包含CxHyFz气体及含氧气体；其中，所述0≤x＜5，y≥0，z≥0，且y...
    2026-04-10
  • 一种半导体刻蚀方法和半导体结构
    一种半导体刻蚀方法和半导体结构_湖北江城芯片中试服务有限公司_202512056085.6
    本公开涉及半导体技术，尤其涉及一种半导体刻蚀方法和半导体结构。该半导体刻蚀方法提供包含目标材料层的半导体结构，目标材料层预埋多个找平标记；其中，找平标记基于第一预设图案形成；基于第二预设图案，利用蚀刻剂对目标材料层进行刻蚀，形成多个刻蚀腔体...
    2026-04-10
  • 台阶结构的制备方法
    台阶结构的制备方法_赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司_202512051923.0
    本发明公开了一种台阶结构的制备方法，方法包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底上形成掩膜层，所述掩膜层为金属层；在所述掩膜层上形成刻蚀窗口，所述半导体基底暴露于所述刻蚀窗口；以所述掩膜层为掩膜，去除暴露于所述刻蚀窗口的部分所述半导体基底；...
    2026-04-10
  • 一种半导体器件的制备方法
    一种半导体器件的制备方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511903179.6
    本发明提供了一种半导体器件的制备方法，应用于半导体技术领域。包括在衬底上形成目标层，在目标层上形成图案化掩膜层，图案化掩膜层包括多个中心图案、第一边界图案和第二边界图案。形成第一遮蔽层，覆盖中心图案，并暴露第一边界图案和第二边界图案；以第一...
    2026-04-10
  • 激光退火方法、装置及系统
    激光退火方法、装置及系统_重庆芯联微电子有限公司_202511798901.4
    本发明提供了一种激光退火方法、装置及系统，激光退火方法包括根据预设退火扫描路径，控制激光束对待退火元件进行首行扫描，待激光束完成首行扫描后，将待退火元件旋转180°，再根据预设退火扫描路径，控制激光束对待退火元件进行下一行扫描，重复执行激光...
    2026-04-10
  • 激光烧结的方法及激光加工设备
    激光烧结的方法及激光加工设备_聚嵘科技股份有限公司_202411358493.6
    本申请提供一种激光烧结的方法，其包括：提供烧结物。执行烧结步骤，以千兆赫兹(GHz)激光扫描烧结物使烧结物固化成形。本申请还提供一种激光加工设备。
    2026-04-10
  • 一种硼扩散工艺
    一种硼扩散工艺_和光同程光伏科技(宜宾)有限公司_202511877842.X
    本发明公开了一种硼扩散工艺，在现有N型TOPCON电池的硼扩工艺上改进，在扩散前，通过图形化在非金属区域旋涂掩膜液，经过硼扩后实现非金属区域与金属区域的梯度掺杂；非金属接触区域旋涂掩膜液在高温扩散过程中阻挡硼原子向非指定区域扩散，避免非金属...
    2026-04-10
  • 激光退火扫描方法及装置
    激光退火扫描方法及装置_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511924248.1
    本发明提供一种激光退火扫描方法及装置，采用回字形进行迂回激光退火扫描，可有效避免晶圆边缘热积累效应问题，进一步的，本发明通过对回字形扫描路径的控制，还可在避免晶圆边缘热积累效应的同时解决晶圆残余应力分配不均的问题，从而可有效解决激光退火均匀...
    2026-04-10
  • 一种金属氧化物纳米结构的片上成型方法
    一种金属氧化物纳米结构的片上成型方法_湖南大学_202511634927.5
    本发明公开了一种金属氧化物纳米结构的片上成型方法，以晶圆级基底为载体，首先通过磁控反应溅射在基底表面沉积作为前驱层的高纯金属氧化物薄膜，在仅使用目标单质或氧化物靶材的条件下避免了杂质引入；随后将前驱层置于酸性或碱性溶液中进行湿法刻蚀，使金属...
    2026-04-10
  • 一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构
    一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610247747.X
    本发明属电子器件结构技术领域，公开一种氮化硅薄膜的形成方法及基于该方法形成的器件结构。该方法先利用硅前驱体、惰性气体，借助气压脉冲波和惰性气体的重扩散，将硅前驱体引入至衬底，并促进硅前驱体分子深入Trench各区域。再借助气压脉冲波引入氮前...
    2026-04-10
  • 一种用于半导体产品的甲酰胺-乙二醇体系Al2O3薄膜制备方法
    一种用于半导体产品的甲酰胺-乙二醇体系Al2O3薄膜制备方法_南康(南京)电子科技有限公司_202512036274.7
    本发明公开了一种用于半导体产品的甲酰胺‑乙二醇体系Al2O3薄膜制备方法，涉及半导体薄膜制备技术领域，包括，以硝酸铝九水合物为铝源，配制铝盐前驱体溶液，在恒温条件下以黏度涂布窗口判定可涂布状态并密闭静置过滤；基底经紫外/臭氧处理后旋涂成膜并...
    2026-04-10
  • 一种改善器件金属台阶覆盖的方法
    一种改善器件金属台阶覆盖的方法_无锡中微晶园电子有限公司_202511754908.6
    本发明属于半导体制造工艺技术领域，特别涉及一种改善器件金属台阶覆盖的方法。包括：提供晶圆片；安装晶圆片，将晶圆片安装至行星盘的小靶上，并将行星盘装入设备中；通过旋转晶圆片的卡片角度，以改变器件内部金属条的分布方向，改善金属台阶覆盖；其旋转的...
    2026-04-10
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511674985.0
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，方法包括：提供模具；模具包括：底座，以及从底座的一侧凸出的若干凸起部，相邻的凸起部之间形成第一沟槽；在第一沟槽以及凸起部的表面，形成半导体器件的衬底；去除模具，得到具有第二沟槽的衬底；第二沟槽和凸起部的...
    2026-04-10
  • 外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件
    外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511943096.X
    本申请实施例涉及一种外延结构的制备方法、外延结构及半导体器件，其中方法包括：提供衬底；在衬底上外延生长氮化镓基材料层；在氮化镓基材料层上外延生长镁掺杂的第一P型氮化镓层；在第一P型氮化镓层上外延生长镁碳化合物层；在镁碳化合物层上外延生长氮化...
    2026-04-10
  • 键合晶圆及其制备方法
    键合晶圆及其制备方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512021305.1
    本发明提供一种键合晶圆及其制备方法，对器件衬底依次执行第一等离子体处理工艺和第二等离子体处理工艺，第一等离子体处理工艺和第二等离子体处理工艺采用的等离子体不同，第一等离子体处理工艺可以去除器件衬底上的氧化层表面的污染物，使氧化层的表面洁净，...
    2026-04-10
  • 键合晶圆及其加工方法
    键合晶圆及其加工方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512021274.X
    本发明提供一种键合晶圆及其加工方法，在键合晶圆的加工方法中，先对键合晶圆执行第一加固热处理工艺，以提供较高的表面能和较强的原子迁移效率，从而改善键合晶圆的表面粗糙度；然后，对键合晶圆执行第二加固热处理工艺，以在键合晶圆的表面形成氧化层，可以...
    2026-04-10
  • 键合晶圆及其形成方法
    键合晶圆及其形成方法_上海新傲芯翼科技有限公司_202512004651.9
    本发明提供一种键合晶圆及其形成方法，在键合晶圆的形成方法中，在执行离子注入工艺时，器件衬底的边缘区域的温度与中心区域的温度之间具有设定的温度差，可以使得器件衬底的边缘区域的离子注入损伤能够自修复，降低边缘区域的离子注入损伤密度；将支撑衬底与...
    2026-04-10
  • 一种激光键合方法及光子解键合方法
    一种激光键合方法及光子解键合方法_深圳先进电子材料国际创新研究院_202511969102.9
    本发明提供一种激光键合方法及光子解键合方法，所述激光键合方法包括以下步骤：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括透明载体晶圆以及设置在所述透明载体晶圆一侧的释放材料层；提供第二晶圆，所述第二晶圆包括器件晶圆以及设置在所述器件晶圆一侧的粘结材料层；将...
    2026-04-10
  • 一种晶圆键合方法及装置
    一种晶圆键合方法及装置_北京中科同志科技股份有限公司_202511950037.5
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种晶圆键合方法及装置，包括：第一晶圆和第二晶圆执行清洗步骤，烘干后，用激光干涉仪检测晶圆缘翘曲为第一翘曲量ω0；第一晶圆设置在第一承载台上，第二晶圆设置在第二承载台上，根据键合材料设定热压温度T、基于材料键...
    2026-04-10
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