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最新专利技术
  • 互补场效应晶体管及其制造方法
    互补场效应晶体管及其制造方法_复旦大学_202512053733.2
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，提供一种基于Si/SiGe异质沟道的互补场效应晶体管及其制造方法，互补场效应晶体管包括垂直堆叠设置的nFET和pFET；该方法包括：在沟道区上形成栅介质层；在栅介质层上和栅极区域内沉积同种材料的偶极子层；根...
    2026-04-13
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_常州承芯半导体有限公司_202512026408.7
    本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种半导体结构及其形成方法，提供含第一区、第二区的衬底，在第二区依次形成含基极层、发射极层的器件结构及集电极、基电极、发射电极，构建异质结双极型晶体管；在第一区制备电容结构，该结构由四层金属层与三层绝缘层交替...
    2026-04-13
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511828649.7
    在介电结构上方形成掩模层。掩模层包括暴露介电结构的部分的开口。在掩模层上形成保护层。保护层覆盖开口的至少侧面。在形成保护层之后，对掩模层执行定向蚀刻工艺。在第一方向上执行定向蚀刻工艺，同时保护层保护掩模层免受在与第一方向不同的第二方向上的蚀...
    2026-04-13
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511814422.7
    根据本公开的方法包括在衬底上方形成半导体堆叠件，该半导体堆叠件包括由第二半导体层交错的第一半导体层，图案化半导体堆叠件和衬底以形成鳍形结构，在鳍形结构上方形成伪栅极堆叠件，使鳍形结构凹进以形成源极/漏极凹槽，使多个第二半导体层选择性地凹进以...
    2026-04-13
  • 一种形成半导体结构的方法
    一种形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511814421.2
    一种方法，包括形成第一晶圆和形成第二晶圆。形成第一晶圆包括：在第一衬底上方形成第一半导体层，和在第一半导体层上方沉积包括第一顶部的第一介电层。第一介电层包括第一介电材料。形成第二晶圆包括：在第二衬底上方形成第二半导体层，和在第二半导体层上方...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511812825.8
    方法包括形成下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构，以及形成下部源极/漏极区域，包括执行第一外延工艺以分别从下部半导体纳米结构和上部半导体纳米结构生长第一半导体隔离层和第二半导体隔离层。该方法还包括执行第二外延工艺，以通过自下而上的沉积工艺...
    2026-04-13
  • 半导体结构及用于形成半导体结构的方法
    半导体结构及用于形成半导体结构的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511800486.1
    提供了一种用于形成半导体结构的方法。该方法包括：形成隔离结构以围绕有源区的下部，横跨有源区形成栅极堆叠件，形成穿过栅极堆叠件的沟槽，在沟槽中形成导电部件，在隔离结构的背面上沉积金属材料，以及平坦化金属材料、隔离结构、导电部件、和有源区的底部...
    2026-04-13
  • 外延区域中的连续高掺杂浓度
    外延区域中的连续高掺杂浓度_台湾积体电路制造股份有限公司_202511727334.3
    本公开涉及外延区域中的连续高掺杂浓度。一种方法包括形成多个半导体纳米结构。多个半导体纳结构中的上部半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应下部半导体纳米结构交叠。方法还包括在多个半导体纳米结构旁形成源极/漏极凹部，其中，源极/源极凹部具有...
    2026-04-13
  • 源极/漏极外延轮廓及其实现方法
    源极/漏极外延轮廓及其实现方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511726562.9
    本申请公开了源极/漏极外延轮廓及其实现方法。一种方法包括：形成多个半导体纳米结构，其中，多个半导体纳米结构中的上面的半导体纳米结构与多个半导体纳米结构中的相应的下面的半导体纳米结构重叠。该方法还包括：在多个半导体纳米结构旁边形成源极/漏极凹...
    2026-04-13
  • 全环栅晶体管的制备方法
    全环栅晶体管的制备方法_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511657985.X
    本申请提供一种全环栅晶体管的制备方法，属于逻辑器件技术领域，用于解决凹槽刻蚀工艺中后续用于替换为栅极层的膜层刻蚀后形貌圆角的问题；该方法包括：在衬底的一侧形成第一堆叠层，第一堆叠层包括多层第一半导体层和多层第二半导体层；在第一堆叠层远离衬底...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411346557.0
    本公开提出了一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，制造方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底；衬底上的鳍片；横跨鳍片的第一伪栅结构、第二伪栅结构、以及第一伪栅结构和第二伪栅结构之间的第三伪栅结构，第三伪栅结构包括伪栅和位于伪栅...
    2026-04-13
  • 一种西格玛沟槽形貌控制方法
    一种西格玛沟槽形貌控制方法_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411338431.9
    本申请公开了一种西格玛沟槽形貌控制方法，属于半导体技术领域，该方法针对前层离子注入后的不同垫氧化层的厚度进行补偿，使得西格玛沟槽刻蚀前的前层条件保持一致，以通过控制前层氧化层的厚度，控制后程干法刻蚀时硬掩膜层的刻蚀深度，保证了SMD和RCD...
    2026-04-13
  • 半导体装置的制作方法
    半导体装置的制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202411387920.3
    本发明公开一种半导体装置的制作方法，包括下列步骤。提供包括第一部分位于低电压装置区中以及第二部分位于中电压装置区中的半导体基底。在第一部分与第二部分上分别形成第一栅极结构与第二栅极结构。进行注入制作工艺，用以同时在第一部分中形成第一源极/漏...
    2026-04-13
  • NPC功率模块电路
    NPC功率模块电路_特变电工西安电气科技有限公司_202512059299.9
    本申请提供一种NPC功率模块电路，涉及三电平模块电路技术领域。该电路包括：第一直接覆铜陶瓷基板DBC板和第二DBC板；第一DBC板承载NPC功率模块电路中的上半桥臂，第二DBC板承载NPC功率模块电路中的下半桥臂；其中，作为交流输出节点的铜...
    2026-04-13
  • 一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法
    一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法_华为技术有限公司_202411364602.5
    本申请涉及一种供电模组、电子设备及供电模组的制备方法，供电模组包括衬底、电源芯片、第一电子器件和第二电子器件，电源芯片设置于衬底内部，沿供电模组的厚度方向，第一电子器件设置于衬底的一侧表面，第一电子器件与电源芯片电连接，第一电子器件背离衬底...
    2026-04-13
  • 一种高k栅介质复合材料、β-Ga2O3 MOS功率器件及其制备方法
    一种高k栅介质复合材料、β-Ga2O3 MOS功率器件及其制备方法_复旦大学宁波研究院_202512059422.7
    本申请提供了一种高k栅介质复合材料、其制备方法及β‑Ga2O3 MOS功率器件，所述复合材料包括：β‑Ga2O3衬底；形成在所述β‑Ga2O3衬底至少一个表面的SiO2界面缓冲层；形成在所述SiO2界面缓冲层表面的Al2O3过渡层；形成在所...
    2026-04-13
  • 半导体装置和半导体装置的制造方法
    半导体装置和半导体装置的制造方法_住友电工光电子器件创新株式会社_202511364082.2
    本公开提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板，具有第一面和与所述第一面相对的第二面；第一氮化物半导体层，具有与所述第二面接触的第三面和与所述第三面相对的第四面，在所述第四面形成有凹部；第二氮化物半导体层，设于所述凹部；以...
    2026-04-13
  • 一种沟槽栅电极自对准形成方法
    一种沟槽栅电极自对准形成方法_南京第三代半导体技术创新中心有限公司_202610249426.3
    本发明公开一种沟槽栅电极自对准形成方法，包括：在半导体外延层漂移区上形成沟槽；在半导体外延层漂移区上、沟槽侧壁及之上，依次形成栅介质和栅电极，栅电极在沟槽中部形成小凹沟；在栅电极之上生长第一掩膜材料并刻蚀，在沟槽中部的小凹沟处残留有第一掩膜...
    2026-04-13
  • 半导体器件的制备方法和半导体器件
    半导体器件的制备方法和半导体器件_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512059408.7
    本申请公开了一种半导体器件的制备方法和半导体器件，属于半导体制造技术领域。方法包括：制备第一中间体，第一中间体包括第一衬底，以及自第一衬底的一面依次层叠的第一介质层、第一功能层、第二介质层和第二衬底；剥离去除富离子层及位于富离子层第一侧的部...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法、功率器件
    半导体器件及其制备方法、功率器件_珠海楠欣半导体科技有限公司_202512021532.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。该方法包括提供具有元胞区和终端区的基底，且具有多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；形成层叠设置的第一介质层、第二介质层和第三介质层，第二介质层的材质为氮化硅；形成屏蔽栅；以第二介质层作为刻蚀停...
    2026-04-13
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