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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、功率器件
    半导体器件及其制备方法、功率器件_珠海楠欣半导体科技有限公司_202512021532.4
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法、功率器件。该方法包括提供具有元胞区和终端区的基底，且具有多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；形成层叠设置的第一介质层、第二介质层和第三介质层，第二介质层的材质为氮化硅；形成屏蔽栅；以第二介质层作为刻蚀停...
    2026-04-13
  • 改善栅氧化层质量的方法
    改善栅氧化层质量的方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411338646.0
    本发明提供一种改善栅氧化层质量的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成栅氧化层；对所述栅氧化层表面进行离子注入，注入的离子与所述栅氧化层的材料中所包含的半导体元素一致；在惰性气体以及氧气氛围下对所述栅氧化层进行快速热处理，使得所述栅氧化层内...
    2026-04-13
  • 一种半导体器件结构及其制备方法
    一种半导体器件结构及其制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511938643.5
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该半导体器件结构通过全环绕栅极结构、无结结构以及核‑壳导电沟道的协同作用，在保证无结结构统一的中高掺杂条件的同时，实现了导电沟道中核部的体导电路径和壳部的高迁移率导电路径的...
    2026-04-13
  • 半导体器件、制备方法和集成电路
    半导体器件、制备方法和集成电路_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512032170.9
    本申请公开了一种半导体器件、制备方法和集成电路，半导体器件包括：衬底，具有第一掺杂类型，具有第一表面和第二表面；第一阱区，位于第一表面且具有第一掺杂类型；第一掺杂区，包围并接触第一阱区，具有第二掺杂类型；第二阱区，位于第一表面且具有第一掺杂...
    2026-04-13
  • 半导体器件
    半导体器件_思瑞浦微电子科技(苏州)股份有限公司_202512032163.9
    本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括：半导体主体，所述半导体主体上形成有第一沟槽及第二沟槽；第一导电结构及第二导电结构；其中，所述第一导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体之外的第一区域，所述第二导电结构的顶部为暴露于所述半导体主体...
    2026-04-13
  • 横向高电压半导体器件及其制造方法
    横向高电压半导体器件及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202511397506.5
    本发明涉及横向高电压半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：有前侧和与前侧相对的后侧的半导体本体；半导体本体内的前侧处的器件区域，其中器件区域包括至少一个横向半导体元件；和在器件区域与后侧之间的第二导电类型的第一掺杂区域，其中第一掺杂区域与...
    2026-04-13
  • 绝缘体上硅半导体装置及其制造方法
    绝缘体上硅半导体装置及其制造方法_东部高科股份有限公司_202411809052.3
    本发明涉及一种绝缘体上硅半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括：基板；埋氧层，设置在上述基板上；第一器件区域及第二器件区域，设置在上述埋氧层上；沟槽，设置在上述第一器件区域与上述第二器件区域之间；器件隔膜，填充上述沟槽，对上述第一器件区...
    2026-04-13
  • 晶体管及其制备方法与应用
    晶体管及其制备方法与应用_厦门市三安集成电路有限公司_202411387890.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种晶体管，该晶体管包括沟道层、势垒层、离子注入区、钝化层和欧姆电极。势垒层设置在沟道层上；离子注入区的第一区自势垒层的上表面向沟道层延伸并延伸至沟道层，第一区具有凹槽；第二区位于沟道层内并连通第一区；...
    2026-04-13
  • 氮化物半导体器件、射频放大器及通信设备
    氮化物半导体器件、射频放大器及通信设备_厦门市三安集成电路有限公司_202411383284.7
    本发明公开一种氮化物半导体器件，包括第一氮化物层，第一氮化物层为二元氮化合物；设置于第一氮化物层上的第二氮化物层；第二氮化物层由第一元素、第二元素、第三元素构成，第一元素为铝元素，第二元素为氮元素、第三元素为镓元素，沿着厚度方向第一元素的浓...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411336505.5
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底内形成凹槽，并封闭所述凹槽的开口以形成无介质隔离区；在所述衬底内形成浅沟槽隔离结构，所述无介质隔离区位于相邻所述浅沟槽隔离结构之间；对所述衬底进行阱离子注入，在相邻所述...
    2026-04-13
  • 一种超结功率器件的制备方法
    一种超结功率器件的制备方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511962650.9
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种超结功率器件的制备方法，方法包括：提供一衬底；在衬底上形成第一外延层；在第一外延层中形成若干彼此间隔设置的凹槽；在第一外延层上形成填充所述凹槽的第二外延层，并使第二外延层的生长速率沿衬底的中心向边缘的方...
    2026-04-13
  • 沟槽型JFET器件及其制备方法
    沟槽型JFET器件及其制备方法_晶艺半导体有限公司_202512045508.4
    本申请提供了一种宽禁带材料的沟槽型JFET器件及其制备方法。器件包括：元胞区沟槽；元胞区平台；多个过渡区沟槽；多个过渡区平台；源区，形成于元胞区平台的顶部；栅区，元胞区栅区形成于元胞区沟槽侧壁和底部的外延层中，过渡区栅区形成在过渡区沟槽侧壁...
    2026-04-13
  • 垂直JFET器件及其制备方法
    垂直JFET器件及其制备方法_晶艺半导体有限公司_202512045504.6
    本申请提供了一种宽禁带材料的垂直JFET器件及其制备方法。器件包括：元胞区沟槽；元胞区平台；多个过渡区沟槽；多个过渡区平台；源区，形成于元胞区平台的顶部；栅区，元胞区栅区形成于元胞区沟槽侧壁和底部的外延层中，过渡区栅区形成在过渡区沟槽侧壁和...
    2026-04-13
  • 金属氧化物半导体元胞结构、功率芯片及制备方法
    金属氧化物半导体元胞结构、功率芯片及制备方法_比亚迪股份有限公司_202511750110.4
    本申请实施例提供一种金属氧化物半导体元胞结构、功率芯片及制备方法，其中，金属氧化物半导体元胞结构，包括第一导电类型衬底、位于衬底上的第一导电类型外延层、形成于外延层中的第二导电类型有源区、形成于有源区中的第一导电类型的源极层；元胞结构还包括...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202610001206.9
    在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种半导体装置，包括：第一导电膜；第一绝缘膜；氧化物半导体膜；第二导电膜；第二绝缘膜；第三导电膜；以及第四导电膜，其中氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体...
    2026-04-13
  • 一种基于湿法转移工艺的MoS2背栅场效应晶体管及其制备方法
    一种基于湿法转移工艺的MoS2背栅场效应晶体管及其制备方法_桂林电子科技大学_202511931752.4
    本发明涉及试剂盒技术领域，具体涉及一种基于湿法转移工艺的MoS2背栅场效应晶体管及其制备方法，晶体管由硅基衬底、SiO2绝缘层、MoS2导电沟道层和Ag源漏电极从下至上依次设置构成；通过化学气相沉积(CVD)法制备高质量单层MoS2薄膜，采...
    2026-04-13
  • 薄膜晶体管及驱动电路、显示面板、显示装置
    薄膜晶体管及驱动电路、显示面板、显示装置_昆山国显光电有限公司_202511648245.X
    本申请涉及显示技术领域，特别是一种薄膜晶体管及驱动电路、显示面板、显示装置。薄膜晶体管通过在基底层厚度方向设置至少第2半导体层，并由栅极同时控制第2半导体层和第1半导体层，使得工作时在第2半导体层和第1半导体层形成上下两个导电沟道，在平面上...
    2026-04-13
  • 薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备
    薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备_乐金显示有限公司_202511084171.1
    本申请公开了薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的显示设备。本公开的实施方式力图提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：有源层；栅电极，其设置在有源层上并且与有源层的至少一部分交叠；以及氢捕获层，其设置在栅电极上，其中，有源层包括：沟道部分；第一连接...
    2026-04-13
  • 晶体管和晶体管的制造方法
    晶体管和晶体管的制造方法_三星显示有限公司_202510780602.1
    提供了晶体管和晶体管的制造方法。晶体管包括：栅电极；半导体层，该半导体层定位在栅电极上；栅极绝缘层，该栅极绝缘层定位在栅电极与半导体层之间；电极层，该电极层包括在半导体层上彼此间隔开的源电极和漏电极；以及中间层，该中间层定位在半导体层与电极...
    2026-04-13
  • 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202610248921.2
    本申请提供了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，该方法中金属‑氧化物半导体场效应晶体管包括有源区和终端区，通过设置位于终端区的外延层中制备有第一场限环和第二场限环，且第二场限环中掺杂离子的掺杂浓度，大于第一场限环中掺杂离子的掺杂...
    2026-04-13
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