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最新专利技术
  • 一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
    一种金属-氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法_北京中科新微特科技开发股份有限公司_202610248921.2
    本申请提供了一种金属‑氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法，该方法中金属‑氧化物半导体场效应晶体管包括有源区和终端区，通过设置位于终端区的外延层中制备有第一场限环和第二场限环，且第二场限环中掺杂离子的掺杂浓度，大于第一场限环中掺杂离子的掺杂...
    2026-04-13
  • 一种具有浮空柱区的碳化硅超结MOSFET器件
    一种具有浮空柱区的碳化硅超结MOSFET器件_苏州锴威特半导体股份有限公司_202512038886.X
    本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种具有浮空柱区的碳化硅超结MOSFET器件，包括N型衬底, N型衬底的上方形成有N型外延层，N型外延层的中央处形成有浮空P柱区, 浮空P柱区的上方形成栅极沟槽，栅极沟槽两侧分别形成N+源区和P‑body...
    2026-04-13
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_无锡华润微电子有限公司_202511998991.1
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法，包括：氧化镓衬底，包括相对设置的第一表面和第二表面；氧化镓外延层，覆盖氧化镓衬底的第一表面；高阻型掺杂氧化镓层，位于氧化镓外延层上；沟槽，自高阻型掺杂氧化镓层的表面向内延伸部分深度，其中，高阻型掺杂氧化...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957916.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底和外延层；多个源区结构，源区结构包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，第二掺杂区包括用于形成复合中心的深能级杂质；JFET区位于外延层中，且位于任意相邻的两个源区结构之间，第二掺...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957908.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底包括衬底和外延层，外延层具有沿第一表面延伸至内部的凹槽；栅极结构部分栅极结构位于凹槽中；两个源区结构间隔的位于外延层中，且位于栅极结构在第一方向上的两侧，源区结构包括第一掺杂区和第...
    2026-04-13
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511957907.1
    本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：依次叠置的衬底和外延层；至少两个在第一方向上间隔设置的第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区与外延层的掺杂类型不同；其中一个第一掺杂区包括沿第一方向依次排布的第二掺杂区、第三掺杂区和第...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957906.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底包括衬底和外延层，外延层具有沿第一表面延伸至内部的多个凹槽；源区结构包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区，凹槽的底部至少与第一掺杂区接触，凹槽在第一方向上的侧壁与第一掺杂区接触，...
    2026-04-13
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511957904.8
    本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：叠置的衬底和外延层；第一掺杂区，位于外延层中；第二掺杂区，位于第一掺杂区中，第二掺杂区的背离衬底的表面与第一掺杂区的背离衬底的表面齐平；第三掺杂区，位于第一掺杂区中，第三掺杂区背离衬...
    2026-04-13
  • 半导体结构和半导体结构的制备方法
    半导体结构和半导体结构的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957903.3
    本申请提供了一种半导体结构和半导体结构的制备方法。该半导体结构包括衬底、外延层、沟槽栅极结构、掺杂结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；沟槽栅极结构位于外延层内；掺杂结构位于外延层内，并且至少部分掺杂结构位于沟槽栅极结构和衬底之...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511957902.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件包括：沟槽，沿第一表面延伸至外延层内部，第一表面为外延层背离衬底的一侧表面；源区，位于沟槽两侧外延层中，源区为对部分第一表面进行离子注入形成的区域；栅极，位于沟槽内，栅极包括沿第一方向分布...
    2026-04-13
  • 沟槽型MOS器件及其制备方法
    沟槽型MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933666.7
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种沟槽型MOS器件及其制备方法，沟槽型MOS器件包括：衬底；外延层，包括设置于衬底之上的第一部分和设置于第一部分上的第二部分，第二部分包括层叠设置的多个子外延层，多个子外延层中的任意两个子外延层中，更靠近第...
    2026-04-13
  • 沟槽型MOS器件及其制备方法
    沟槽型MOS器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933628.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种沟槽型MOS器件及其制备方法，沟槽型MOS器件包括：衬底之上的第一外延层和多个第二外延层，更靠近第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度小于更远离第一外延层的第二外延层在第一方向上的宽度，第一方向垂直于衬...
    2026-04-13
  • 碳化硅晶体管器件及制备方法
    碳化硅晶体管器件及制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511933670.3
    本申请提供了一种碳化硅晶体管器件及制备方法，可广泛应用于半导体技术领域，该碳化硅晶体管器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层，所述外延层具有第一表面；多个注入层，所述注入层为所述外延层中通过对部分所述第一表面进行离子注入形成的区域；其中，所...
    2026-04-13
  • 一种半导体器件及其制作方法
    一种半导体器件及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610250050.8
    本发明公开一种半导体器件及其制作方法，属于半导体技术领域。半导体器件包括：半导体基板；浅沟槽隔离结构，设置在半导体基板内并划分出有源区域；阱区设置在有源区域的半导体基板内；栅极绝缘层设置在阱区上；栅极电极设置在栅极绝缘层上；源极区域和漏极区...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511969992.3
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层；栅极结构；JFET层，位于外延层中，沿第一表面延伸至外延层内部；源区，位于外延层中JFET层的两侧，源区包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；宽禁带埋层...
    2026-04-13
  • 一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法
    一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511930074.X
    本发明公开一种基于离子注入定义栅宽的抗辐射SOI MOSFET器件结构及其制备方法，属于半导体器件制备及抗辐射加固领域。顶层硅、埋氧层、支撑层共同构成SOI衬底材料；沟道区位于顶层硅中，位于栅极下方、栅宽定义区之间；绝缘介质层位于顶层硅外部...
    2026-04-13
  • 一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法
    一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511919307.6
    本发明公开一种基于SOI的抗光生电流晶体管结构及其制备方法，属于半导体器件制备及抗辐射加固领域。顶层硅、埋氧层、支撑层共同构成SOI衬底材料；源漏及沟道区位于顶层硅中，且源漏及沟道掺杂类型相同；栅介质层位于顶层硅外部上方；栅极位于绝缘介质层...
    2026-04-13
  • MOSFET器件及其制备方法
    MOSFET器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511901628.3
    本申请公开了一种MOSFET器件及其制备方法。MOSFET器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层；掺杂区，位于外延层中，掺杂区包括沿平行于基底表面的方向间隔的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区为对部分外延层的一侧表面进行离子注入...
    2026-04-13
  • 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511848204.5
    本发明提供了一种金属氧化物半导体场效应晶体管，可应用于半导体技术领域。该场效应晶体管包括：衬底；依次设置在衬底上的缓冲层、第一n型外延层和第二n型外延层；第一p型保护层，包括沿第一方向同轴设置于第一n型外延层以及第二n型外延层中部区域的第一...
    2026-04-13
  • 碳基半导体器件及其制备方法
    碳基半导体器件及其制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511654820.7
    本公开提供了一种碳基半导体器件及其制备方法。碳基半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层由碳基材料制成；氧化层；栅极；以及在栅极两侧形成的侧墙，侧墙的形状为包括第一部分和第二部分的弯折形状，第一部分沿第一方向延伸，第二部分沿第二方向延伸，第一方...
    2026-04-13
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