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最新专利技术
  • 半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆
    半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511980890.1
    本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，制备方法包括：提供半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面，半导体本体还包括阱区和第一区域，第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，阱区设置为第二导电类型且位于第一区...
    2026-04-13
  • 一种pHEMT器件的栅极制备方法及pHEMT器件
    一种pHEMT器件的栅极制备方法及pHEMT器件_华通芯电(南昌)电子科技有限公司_202511943154.9
    本发明提供一种pHEMT器件的栅极制备方法及pHEMT器件，该方法包括以下步骤：提供一外延晶片；在晶片表面涂布正性光刻胶，并使用热板对涂布好光刻胶的晶片进行软烘烤；基于双焦平面曝光技术通过焦距能量矩阵调节聚焦深度及曝光量进行二次曝光；对二次...
    2026-04-13
  • 一种在分子束外延生长PHEMT中抑制Si-delta掺杂扩散的方法
    一种在分子束外延生长PHEMT中抑制Si-delta掺杂扩散的方法_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511797390.4
    本发明涉及一种在分子束外延生长PHEMT中抑制Si‑delta掺杂扩散的方法，包括：在GaAs衬底上通过分子束外延技术生长PHEMT结构；其中，所述PHEMT结构中的第二Si‑delta掺杂层与覆盖层的生长温度差为80‑110℃，所述覆盖层...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411366395.7
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：提供基底；在基底上形成沟道凸起结构，沟道凸起结构包括沟道凸起部以及沟道凸起部上的第一牺牲层；形成横跨沟道凸起结构的伪栅结构，伪栅结构覆盖沟道凸起结构的部分顶部和侧壁；形成伪栅结构后，依次...
    2026-04-13
  • 一种内侧墙的制备方法及半导体器件的制备方法
    一种内侧墙的制备方法及半导体器件的制备方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202411337415.8
    本说明书实施例提供了一种内侧墙的制备方法，该方法在形成第一介质层之前，首先去除假栅结构两侧的假侧墙并在牺牲层两侧形成空腔，然后形成包括覆盖假栅结构侧壁的第一部分和填充空腔且覆盖堆叠结构侧壁的第二部分，第一部分暴露出目标沟道层朝向假栅结构的至...
    2026-04-13
  • 功率半导体器件、门极换流晶闸管芯片及晶闸管
    功率半导体器件、门极换流晶闸管芯片及晶闸管_株洲中车时代半导体股份有限公司_202511501407.7
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种功率半导体器件、门极换流晶闸管芯片及晶闸管。该功率半导体器件，包括：N‑基区；第一堆叠结构，位于N‑基区的第一面，第一堆叠结构包括N++发射区以及依次层叠于第一面的P基区和P+基区；门极金属层，位于P...
    2026-04-13
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_龙腾半导体股份有限公司_202512053700.8
    本申请提供了一种IGBT器件及其制备方法，制备出的IGBT器件为正面NMOS与PMOS的并联结构，在IGBT器件关断和短路期间，通过负压栅极控制负压栅极的沟道，使得漂移区存储的空穴通沿PMOS晶体管的发射极到沟道再到集电极从正面流出的路径。...
    2026-04-13
  • IGBT器件及其控制方法
    IGBT器件及其控制方法_上海贝岭股份有限公司_202512004342.1
    本公开提供了一种IGBT器件及其控制方法。该IGBT器件中若干个沟槽栅中与掺杂源区和掺杂体区均相邻的第一沟槽栅构成第一控制栅极；若干个沟槽栅中与掺杂体区相邻且未与掺杂源区相邻的第二沟槽栅构成第二控制栅极；第一控制栅极用于接收第一控制信号；第...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电器股份有限公司_202511674982.7
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括N型漂移区、位于N型漂移区第一表面的浮空P区，以及位于浮空P区远离N型漂移区一侧的多个沟槽，相邻的沟槽间隔设置；沟槽包括栅极沟槽，以及位于栅极沟槽两侧的假栅沟槽；浮空P区包括第一浮空P区...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511372493.6
    本公开的目的在于，提供一种能够抑制栅极电压的增加来降低开关损耗的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；和两层虚设有源沟槽，在设置于半导体基板的表面侧的沟槽的内部，具有位于上层且连接于发射极电极并且被第1上层绝缘膜覆盖的第1上层电极...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511362087.1
    本公开的目的在于，提供一种能够抑制栅极电压的增加而降低dV／dt的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置具备：半导体基板；基极层，设置在半导体基板的表面侧；以及2层虚拟有源沟槽，在半导体基板的表面侧贯通基极层而设置的沟槽的内部，具有在上层与发...
    2026-04-13
  • 半导体装置以及半导体装置的制造方法
    半导体装置以及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202511215380.5
    本发明提高耗尽层的控制的自由度。半导体装置具备：第一导电型的沟道截断区域，形成于漂移层的终端区域处的表层；第一终端沟槽，形成于漂移层的终端区域处；多个终端电极，以被第一终端绝缘膜包围的状态设置在第一终端沟槽内；以及沟道截断电极，以与沟道截断...
    2026-04-13
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511048481.8
    本公开的目的在于提供能够提高栅极耐压并且降低饱和电压的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；第一导电型的基极层，其设置在半导体基板的表面侧；以及沟槽，其在半导体基板的表面侧贯通基极层而设置，具有被上部氧化膜覆盖的上部电极、被下部氧...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202411377897.X
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及半导体设备技术领域。半导体器件包括漂移层、阱层、发射极、栅极和伪栅、第一绝缘膜层和第二绝缘膜层。阱层开设第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽和第二沟槽间隔设置，阱层和漂移层的靠近...
    2026-04-13
  • GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统
    GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统_西安唐晶量子科技有限公司_202511648432.8
    本说明书实施例提供GaAs基HBT外延片多参数协同控制生长处理系统，包括：数据采集模块用于实时监测衬底托盘不同位置的实际温度和外延层生长厚度；温度调控模块用于根据预设目标温度范围独立调节各区域温度以形成温度梯度分布；载气控制模块用于根据温度...
    2026-04-13
  • 一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置
    一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置_广微集成技术(深圳)有限公司_202512038076.4
    本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及一种具有局部导流增强层的高浪涌肖特基二极管装置，包括：N+衬底；形成于N+衬底上的N‑漂移外延层；至少两个形成于N‑漂移外延层中的沟槽结构，沟槽结构内具有栅介质层和场板；形成于N‑漂移外延层表面的肖...
    2026-04-13
  • 利用多晶硅网格的具有改进的应力抗扰性的齐纳二极管
    利用多晶硅网格的具有改进的应力抗扰性的齐纳二极管_恩智浦有限公司_202511440024.3
    一种齐纳二极管包括P+阳极、位于半导体衬底的表面上并环绕所述P+阳极的多晶硅网格环、相对于所述多晶硅网格环与所述P+阳极相对的N+阴极、位于所述多晶硅网格环的外部部分上与所述N+阴极相邻的外间隔件，以及位于所述多晶硅网格环的内部部分上与所述...
    2026-04-13
  • 沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法
    沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202512059147.9
    本申请实施例公开了沟槽结构、沟槽电容以及沟槽电容的制造方法。沟槽电容包括沟槽结构。沟槽结构包括半导体区域、沟槽、电介质和第一电极区。电介质覆盖沟槽的底壁和至少部分内侧壁。第一电极区填充于包括该电介质的沟槽中。内侧壁包括连续的至少两段子侧壁，...
    2026-04-13
  • 一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法
    一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法_苏州森丸电子技术有限公司_202511887293.4
    本发明公开了一种基于RDL布线的深沟槽电容结构的制备方法，包括如下步骤：S1、提供深沟槽电容结构，深沟槽电容结构包含至少两个不同电位的导电层，且导电层的上表面被第一层间介质层覆盖；S2、图形化第一层间介质层，以形成暴露出不同导电层的过孔；S...
    2026-04-13
  • MIM电容的制作方法
    MIM电容的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511773386.4
    本发明提供了一种MIM电容的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多次成膜工艺形成底部金属层，且在各成膜工艺的间隙将基底的温度降低至预设值，从而使形成过程中所述基底的平均温度降低，保证低于270℃，从而抑制所述底部金属层中金属晶粒...
    2026-04-13
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