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最新专利技术
  • MIM电容的制作方法
    MIM电容的制作方法_重庆芯联微电子有限公司_202511773386.4
    本发明提供了一种MIM电容的制作方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过多次成膜工艺形成底部金属层，且在各成膜工艺的间隙将基底的温度降低至预设值，从而使形成过程中所述基底的平均温度降低，保证低于270℃，从而抑制所述底部金属层中金属晶粒...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411354086.8
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括隔离区；电容结构，设置于隔离区的基底中，电容结构包括相对且间隔设置的电容极板；硅通孔结构，位于隔离区的基底中，硅通孔结构位于电容结构的侧部，或者，硅通孔结构作为电容结构中的其中一个电容极...
    2026-04-13
  • 一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件
    一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件_联合微电子中心有限责任公司_202512051963.5
    本发明提供一种三维螺旋电感器及其制备方法与半导体器件，方法包括：形成第一键合结构与第二键合结构，第一键合结构包括第一介质层和位于第一介质层中的多个第一互连部，第二键合结构包括第二介质层和位于第二介质层中的多个第二互连部；介质键合第一介质层和...
    2026-04-13
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202511094499.1
    一种半导体封装件包括：基体芯片；多个半导体芯片，堆叠在基体芯片上；覆盖芯片，在所述多个半导体芯片上；粘合层，在覆盖芯片和所述多个半导体芯片中的每个下方；以及包封件，在基体芯片上，并且至少部分地围绕所述多个半导体芯片和覆盖芯片。所述多个半导体...
    2026-04-13
  • 包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法
    包括堆叠多个半导体晶片的电子元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510453964.X
    本公开提供一种电子元件及其制备方法。该电子元件包括一第一半导体晶片、一第二半导体晶片、一第三半导体晶片、一第四半导体晶片和一第五半导体晶片。该第二半导体晶片堆叠在该第一半导体晶片上，并通过混合接合而与该第一半导体晶片电性连接。该第四半导体晶...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统
    半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统_长江存储控股股份有限公司_202411343858.8
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、芯片封装结构、存储系统，涉及半导体技术领域，旨在降低半导体结构整体的功耗，改善半导体结构的发热问题，并提高半导体结构的性能。半导体结构包括堆叠设置的多个裸片。至少一个所述裸片包括第一部分和第二部分。在...
    2026-04-13
  • 一种存储器及其形成方法
    一种存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202512050159.5
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，其中存储器的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成器件层，所述器件层包括导电层；在所述器件层上形成互连层，所述互连层位于所述导电层上且与所述导电层连接；在所述存储器的外围区、所述互连层上形成保护层，所述...
    2026-04-13
  • 半导体器件的形成方法及半导体器件
    半导体器件的形成方法及半导体器件_新存科技(武汉)有限责任公司_202511896861.7
    本申请公开了一种半导体器件的形成方法及半导体器件，在衬底上形成初始选通单元层，以及位于初始选通单元层上的初始相变单元层。进行第一刻蚀工艺形成多个相变单元层之后，继续在进行该第一刻蚀工艺的刻蚀腔室中对相变单元层进行保护工艺，之后继续在该刻蚀腔...
    2026-04-13
  • 三维存储器装置的架构及其制备方法
    三维存储器装置的架构及其制备方法_美光科技公司_202512044522.2
    本申请案涉及三维存储器装置的架构及其制备方法。阵列可包含衬底，其布置有呈几何图案的导电接点及穿过导电及绝缘材料的交替层的开口，这可减小所述开口之间的间距，同时维持电介质厚度以保持电压施加于所述阵列。在蚀刻材料之后，可将牺牲层沉积于形成蛇形形...
    2026-04-13
  • 基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备
    基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备_重庆邮电大学_202512047004.6
    本发明涉及一种基于纤锌矿铁电材料的存储器、制造方法及电子设备，属于半导体存储器制造技术领域。该存储器从下至上依次包括衬底、底电极、纤锌矿铁电层和顶电极，其中，该存储器的底电极和顶电极采用相同的高功函数金属，以与纤锌矿铁电层形成高肖特基接触势...
    2026-04-13
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202411375209.6
    本公开涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一堆叠体和第二堆叠体。第一堆叠体包括沿第一方向彼此交替的导电层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。第二堆叠体包括沿第一方向彼此交替的电介质层和绝缘层的第一层叠和第二层叠。半导体装置还包括：第一连接...
    2026-04-13
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511881245.4
    本申请提供了一种半导体结构，应用于半导体技术领域。该半导体结构包括：衬底，包括第一区和第二区；多个下电极，位于衬底的第一区上；支撑结构，位于下电极之间，包括：第一支撑结构，位于下电极之间；第二支撑结构，位于最外侧的下电极朝向第二区的一侧上；...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_福建省晋华集成电路有限公司_202511724575.2
    本发明公开了半导体器件及其制作方法，包括下电极、电容介质层、上电极、上电极板和填充结构。其中，填充结构位于上电极板中，如此使得上电极板的顶面较为平整，即未造成受到填充结构的存在而导致上电极板的顶面存在凹凸不同，并引起半导体器件失效和可靠度降...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510935036.7
    本公开内容涉及半导体器件及其制造方法。公开了一种具有提高的可靠性的半导体器件及一种用于制造半导体器件的方法。半导体器件包括：第一杂质区，其设置在衬底中；第二杂质区，其设置在衬底中并与第一杂质区间隔开；位线接触插塞，其设置在第一杂质区之上并具...
    2026-04-13
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411769725.7
    本发明提供一种半导体结构。此半导体结构包括基板、位元线结构、晶种层、第一间隔物、第二间隔物、第三间隔物和气隙。基板具有凹槽，其中凹槽具有尖角。位元线结构位于基板上，其中凹槽围绕位元线结构。晶种层位于位元线结构的侧壁上。第一间隔物位于晶种层的...
    2026-04-13
  • 存储器器件及其制造方法、系统
    存储器器件及其制造方法、系统_长江存储科技有限责任公司_202411392131.9
    本申请实施例提供一种存储器器件及其制造方法、系统，其中存储器器件包括：第一半导体结构，包括存储单元阵列；存储单元阵列包括多条沿第一方向延伸的字线，每条字线的中部位置连接一字线连接结构；第二半导体结构，至少包括多个第一控制电路及分布在多个第一...
    2026-04-13
  • 半导体器件及其制备方法、存储器系统
    半导体器件及其制备方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411384013.3
    本公开实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：半导体主体、栅极结构、介质隔离层和介质填充部。半导体主体沿第一方向延伸，栅极结构位于半导体主体沿第一方向延伸的侧壁，介质填充部至少位于栅极结构背离半导体主体的一侧，以...
    2026-04-13
  • 半导体器件
    半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511828643.X
    一种半导体器件，包括第一存储器单元区域、相邻于第一存储器单元区域的第二存储器单元区域，以及夹设于第一存储器单元区域和第二存储器单元区域之间的中间带区域。根据一些实施例，中间带区域包括馈通电路，馈通电路将半导体器件的正面的第一金属层电耦接到半...
    2026-04-13
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408885.3
    本申请的实施例公开了存储器器件及其形成方法。存储器器件包括交叉锁存器、第一、第二、第三和第四晶体管以及第一读取位线。第一晶体管包括沿第一方向延伸并且处于第一层级的第一栅极。第二晶体管包括位于第一层级下方的第二层级上的第二栅极。第三晶体管耦合...
    2026-04-13
  • 一种集成电路板自动化焊接控制方法、装置及系统
    一种集成电路板自动化焊接控制方法、装置及系统_张家港市智恒电子有限公司_202610236940.3
    本发明涉及电路板生产技术领域，具体涉及一种集成电路板自动化焊接控制方法、装置及系统。本发明通过计算电路板在各温区的吸热差异量，并据此动态反演出元件保持力增益，从而确定个性化的安全风速上限与理论热需风速；经多板全局仲裁后生成全局风速执行控制，...
    2026-04-13
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