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  • 本发明提供一种半导体结构的制作方法,包括以下步骤:提供一硅衬底,对硅衬底进行预清洁;采用低压化学气相沉积法形成高温氧化硅层于硅衬底上;形成热氧化层于硅衬底与高温氧化硅层的界面处,其中,在形成热氧化层的过程中使用了氢气,利用H与HTO薄膜中的...
  • 本公开涉及一种在栅极中形成N型功函数层的方法,该方法在形成N型功函数层时,先采用偏压较低的第一物理气相沉积使N型功函数层材料原子在半导体衬底的栅极内形成N型功函数层,然后采用偏压较高的第二物理气相沉积使N型功函数层材料原子以更快的速度轰击在...
  • 提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含:提供硅衬底;将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上;外延地生长所述硅...
  • 本发明属于半导体技术领域,公开了一种自整流生物忆阻器及其制备方法,自整流生物忆阻器包括顺序复合的底电极层、忆阻功能层和顶电极层;底电极层为PEDOT : PSS(聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸)膜,忆阻功能层为SP(丝蛋白)@A...
  • 本发明公开了一种基于氧化铌纳米片的阈值型忆阻器件及其制备方法,属于微电子材料与器件技术领域,本发明开发了一种兼容规模化生产的新型低成本制备工艺,以替代高能耗的物理沉积方法,并通过全工艺链的参数优化,实现氧空位浓度与 Nb 价态的精准调控,推...
  • 本发明涉及阻变存储器领域,提供一种具有可逆氧库调控的新型阻变存储器。所述器件从下至上依次包括金属碳化物氧捕获层、导电氧化物调控层、掺杂改性SnO2阻变功能层及顶电极层。金属碳化物氧捕获层对氧离子具有高亲和性,用于捕获与缓释氧离子;导电氧化物...
  • 本申请涉及激光加工技术领域,涉及一种用于相变材料晶化的激光调制方法及系统。激光调制方法采用“直流偏置+主脉冲”的时序设计,直流偏置激光提供一个稳定的预热温度让相变材料靠近晶化的临界状态,再通过主脉冲激光诱导硫系相变材料完成晶化,经直流激光的...
  • 本发明公开了一种磁致伸缩复合材料及其制备方法和装置。该磁致伸缩复合材料包括磁性颗粒和基体部;所述磁性颗粒为Fe2P型铁磁体;所述基体部选自聚氨酯、聚醚醚酮、环氧树脂和硅树脂中的一种或多种;基于磁性颗粒的重量,基体部的含量为11~50wt%。...
  • 本发明公开了一种压电柔性传感器、制备方法及电子装置,属于微机电系统领域,包括:金属基底,在金属基底上依次生长有下电极、压电薄膜和上电极;在压电薄膜受到压力产生形变时,在压力的作用下,金属基底和上电极两面产生电荷,电荷通过电荷放大电路放大得到...
  • 本发明属于柔性压电材料技术领域,具体公开了一种粒子填充型柔性压电复合材料及其制备方法和应用。该复合材料由40~90%质量分数的压电粒子与柔性高分子基体复合而成,压电粒子均匀分散在柔性高分子基体中,其制备方法包括压电粒子干燥或改性预处理、超声...
  • 本发明涉及集成电路制造技术领域,公开了一种用于高温压力传感器的多层复合陶瓷金属封装方法,包括:在烧结炉温进入金属化功能层的最大收缩速率温区时,执行气氛化学势钉扎操作;通过调节工艺气体的湿氢比将露点提升至钉扎设定值,使氧分压处于氧化‑还原反应...
  • 本发明公开了一种微流道热电器件封装的密封结构及其制备方法,包括基板,用于承载热电材料层;盖板,对应设置于所述基板的上方,用于形成封闭的容纳腔室。本发明中密封环的梯度弹性或复合结构可自适应补偿CTE失配,温度循环100次后,密封结构无开裂;中...
  • 本发明公开了一种热电器件封装的复合连接结构及其制备方法,包括热电转换基底,其上表面设置有金属化焊盘。本发明通过将高导电纳米材料与高塑性/低模量材料在空间上复合,打破了传统材料“强而不导、导而不强”的矛盾,利用缓冲层的塑性变形、孔隙坍塌、高熵...
  • 本发明涉及热电堆探测技术领域,具体提供了热电堆探测器及其制备方法,热电堆探测器包括热电转换件和第一吸收件,热电转换件包括热区、冷区和过渡区,过渡区设置在热区和冷区之间;第一吸收件设置在过渡区,第一吸收件至少覆盖过渡区的目标区域;第一吸收件对...
  • 本公开涉及一种有机电致发光装置,并且通过包含根据本公开的化合物,可以提供展现出比常规有机电致发光装置更高的发光效率的有机电致发光装置。
  • 本发明提供一种有机电致发光器件和氘代混合物,所述有机电致发光器件包括阳极、阴极和处于阳极和阴极之间的有机层;所述有机层的材料含有由化合物A经氘代反应制备得到的氘代混合物和式I所述结构,由此制备得到有机电致发光器件具有较高的效率。
  • 本发明提供一种有机电致发光器件和氘代混合物,所述有机电致发光器件包括阳极、阴极和处于阳极和阴极之间的有机层;所述有机层的材料包括氘代混合物和掺杂材料;所述氘代混合物包括由化合物A经氘代反应制备得到的氘代混合物。本发明选用特定的氘代混合物和式...
  • 本申请公开一种太阳能电池及制备方法、光伏器件、用电装置和发电装置,太阳能电池包括层叠设置的第一电极层、功能层和第二电极层,功能层包括第一吸光层,第一吸光层包括钙钛矿层,钙钛矿层的化学式为A(BbPbaSn1‑a‑b)X3, 0<a<1, 0...
  • 本申请公开一种太阳能电池及制备方法、光伏器件、用电装置和发电装置,太阳能电池至少包括依次层叠设置的衬底结构、第一电极层、辅助层、钙钛矿层和第二电极层;钙钛矿层化学式为ABX3,A离子至少包括一价有机阳离子或一价无机有机混合阳离子,B离子包括...
  • 本申请公开一种太阳能电池及其制备方法、用电装置和发电装置,太阳能电池包括依次层叠设置的第一电极层、功能层和第二电极层,功能层包括钙钛矿层和电子传输层,钙钛矿层的化学式为AB(IxBr1‑x‑mYm)3, 0<x<1, 0≤m≤0.05,其中...
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