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  • 本申请公开一种太阳能电池及其制备方法、用电装置和发电装置,太阳能电池包括依次层叠设置的第一电极层、功能层和第二电极层,功能层包括钙钛矿层和电子传输层,钙钛矿层的化学式为AB(IxBr1‑x‑mYm)3, 0<x<1, 0≤m≤0.05,其中...
  • 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,所述钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿前驱体、导电膦氧化合物和溶剂,且所述导电膦氧化合物包括导电桥联膦氧化合物和/或导电螺环膦氧化合物;通过在所述钙钛矿前驱体溶液中引入导电膦氧化合...
  • 本发明提供一种钙钛矿前驱体溶液、钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,所述钙钛矿前驱体溶液包括钙钛矿前驱体、自组装单分子层材料、双亲酸性材料和溶剂,通过引入自组装单分子层材料和双亲酸性材料,使所得钙钛矿前驱体溶液能够展现出更好的浸润性及更低的...
  • 本申请提供一种太阳能电池、光伏组件、发电装置、用电装置及聚合物。该太阳能电池包括依次层叠设置的第一电极、空穴传输层、钙钛矿吸光层和第二电极。空穴传输层包括自组装单分子层,自组装单分子层包括聚合物,聚合物包括式(I)的重复单元。在式(I)中,...
  • 本发明提供一种基于匀强电场辅助湿法印刷工艺制备有机太阳电池活性层的方法、有机太阳电池活性层及应用。本发明提供的方法,通过在刮涂过程中引入匀强电场,利用匀强电场对D18分子的调控作用,促进D18分子形成更均匀,并促进给体材料D18与受体材料的...
  • 本发明提供一种钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池制备方法、电池及应用,通过混合N型SAM与P型SAM的本体异质结膜层作为核心隧穿层,实现对隧穿层性能的精准优化,有效解决传统技术方案的缺陷,提高器件光电转换效率及稳定性,本方法制备得到的钙钛矿/晶硅叠...
  • 本发明属于量子点红外探测器领域,并公开了耐高温的PbS胶体量子点光电二极管及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:S1、形成第一PbS胶体量子点溶液;S2、加入正辛胺和反溶剂;S3、获得表面修饰正辛胺配体的PbS胶体量子点固体;S4、形成第二...
  • 本发明公开了一种源极及垂直有机场效应晶体管与其制备方法,源极的制备方法包括以下步骤:制备源极前体溶液;准备自组装界面;制备低维材料薄膜;暴露转移入口;转移低维材料薄膜;挥发溶剂;退火处理。垂直有机场效应晶体管特征在于依次层叠设置的栅极基底、...
  • 本发明提供了一种高稳定性电子传输层及钙钛矿太阳能电池,其电子传输层的制备包括:在制备好空穴传输层和钙钛矿薄膜层的衬底上蒸镀一层富勒烯(C60);在C60上旋涂一层类石墨相氮化碳(g‑C3N4);最后利用原子层沉积沉积一层氧化锡(ALD‑Sn...
  • 本申请提供一种钙钛矿太阳电池的制备方法、光伏组件,该钙钛矿太阳电池的制备方法包括以下步骤:在基底上制备骨架层;在骨架层的表面先涂布阳离子溶液,再涂布含质子化氨基的有机钝化溶液,退火处理,得到钙钛矿层以及设置于钙钛矿层上的钝化层。本申请通过设...
  • 本发明涉及新能源技术领域,公开了一种钙钛矿薄膜带隙的气相宽化处理方法及基于其的太阳能电池,该带隙宽化方法包括:先制备窄带隙钙钛矿薄膜,将其置于密闭腔室中,同时放入气相宽化处理材料;对腔室进行抽真空处理并调控至目标压强;加热腔室使宽化材料升华...
  • 本发明属于太阳能光伏技术领域,本发明提供了一种钙钛矿材料的表面钝化方法与钙钛矿器件,所述表面钝化方法包括在所述钙钛矿膜层的一侧或双侧表面上形成修饰层;所述修饰层包括甲脒类卤化盐和哌嗪类氢碘酸盐。甲脒类卤化盐有利于构筑稳定的低维结构从而有效钝...
  • 本申请属于显示技术领域,具体涉及显示面板的制备方法及显示面板,包括:提供基板并在基板上形成驱动背板,驱动背板包括至少一层被图案化的金属层;至少一层被图案化的金属层包括栅极金属层、源漏极金属层和阳极层中的至少一种,且其图案被配置为在对应待形成...
  • 本发明公开一种砷化铟胶体量子点红外成像芯片的制备方法及芯片,本发明提供的制备方法,首先,通过对芯片硅基底进行预处理;接着,通过在硅芯片硅基底上依次沉积顶部入射透明电极层与空穴传输层;再接着,在硅空穴传输层上沉积第一层InAs量子点薄层和第二...
  • 本发明公开一种三元功能分子调控碳基全无机钙钛矿电池的制备方法,属于太阳能电池技术领域。所述电池自下而上包括ITO玻璃层、二氧化锡电子传输层、4‑咪唑基丙烯酸三元功能分子调控层、碳基全无机钙钛矿光吸收层、碳电极层。本发明制备核心在于,利用具有...
  • 本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法,在透明导电基底上制备有机金属框架MOFs界面层,MOFs界面层的材料的结构通式为MxLy,其中,M为具有路易斯酸性的金属离子或金属簇次级构建单元,L为有机配体,x、y为正整数;在MOFs界面层上...
  • 本发明公开一种基于四重曝光半导体结构的制备方法,包括:提供一衬底,在衬底上依次形成半导体层、功函数层和功能结构层,功能结构层包括第一牺牲层,第一牺牲层层叠设置于功函数层远离半导体层一侧;对第一牺牲层和功函数层进行刻蚀并停止于半导体层以形成间...
  • 本发明公开了一种显示面板和显示装置,显示面板包括衬底基板、薄膜封装层、焊盘和第一绝缘层,薄膜封装层包括至少一层无机封装层,由显示区延伸至非显示区,且在其边缘处形成有减薄区;焊盘包括第一金属层和第二金属层,第一金属层和第二金属层位于薄膜封装层...
  • 本发明公开了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。显示面板包括基板、隔离结构、发光结构、第一电极、第一封装层和第二封装层,隔离结构设置在基板的一侧,隔离结构具有第一开口;发光结构的部分位于第一开口内;第一电极设置在发光结构背离基板的一...
  • 一种显示模组和显示装置,解决了如何提升显示产品的可靠性的问题。其中,显示模组包括:依次连接的显示部、弯折部和连接部,弯折部呈弯折状态,连接部位于显示部的非显示侧;显示芯片,与连接部绑定连接,显示芯片在连接部上的正投影的边缘包括相邻设置的拐角...
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