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最新专利技术
  • 一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法
    一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511904867.4
    本发明涉及LED芯片技术领域，公开一种倒装高压发光二极管芯片及其制备方法。制备方法包括：在图形化衬底上制备外延层、反射层；在N型导电台阶的表面进行两阶段的ICP刻蚀，形成底部平整的隔离槽，将外延层分隔为若干个独立的发光单元；在反射层及反射层...
    2026-04-07
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_湖北星辰技术有限公司_202511813182.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：提供第一晶圆；提供多个外延芯片；将多个外延芯片的第二介质层与第一晶圆的第一介质层采用直接键合的方式键合；图案化第一电极层以及外延层，形成多个微型发光二极管；微型发光二极管包括依次...
    2026-04-07
  • 发光元件和用于制造发光元件的方法
    发光元件和用于制造发光元件的方法_乐金显示有限公司_202511082084.2
    提供了发光元件和用于制造发光元件的方法。根据本公开内容的一方面，用于制造发光元件的方法包括：在晶片上形成具有多个凹槽的外延层的步骤；在外延层上形成多条组装线的步骤；通过向多条组装线施加电压来使多个光提取颗粒在多个凹槽中的每一个中自组装的步骤...
    2026-04-07
  • 显示面板的制备方法及显示面板
    显示面板的制备方法及显示面板_成都辰显光电有限公司_202411310944.9
    本申请公开了一种显示面板的制备方法及显示面板，该制备方法包括：在驱动背板上形成第一平坦化层，并图案化第一平坦化层，形成裸露出第一电极的多个通孔，第一电极与驱动背板中的驱动电路电连接；形成第一键合层，其中，第一键合层部分填充在通孔中而与第一电...
    2026-04-07
  • 一种单面出光的高亮LED器件及其制备方法、车灯
    一种单面出光的高亮LED器件及其制备方法、车灯_华引芯(武汉)科技有限公司_202610221503.4
    本申请提供一种单面出光的高亮LED器件及其制备方法、车灯，高亮LED器件的制备方法包括：将色转换膜片与LED芯片固定连接，形成一发光单元；将发光单元设置于一承载板上，其中，LED芯片位于色转换膜片远离承载板的一侧；利用一第一粘结层将一介质膜...
    2026-04-07
  • 一种一体化液冷高功率LED光学模块及其控制方法
    一种一体化液冷高功率LED光学模块及其控制方法_深圳市格天光电有限公司_202610222714.X
    本发明公开了一种一体化液冷高功率LED光学模块及其控制方法，通过设置LED封装单元、接线单元和温度感应单元，散热组件包括第二基板、液冷循环单元和多组散热鳍片，温度感应单元检测LED封装单元的温度信号，控制冷却液驱动组件驱动液冷微流管内的冷却...
    2026-04-07
  • 一种LED灯丝及其制作方法
    一种LED灯丝及其制作方法_深圳市佑明光电有限公司_202512016890.6
    本发明揭示一种LED灯丝及其制作方法，涉及LED发光器件技术领域。该LED灯丝包括基底、发光器件、荧光层和折射层，基底至少一端设发光位，发光器件嵌入发光位内，荧光层包覆基底外表面并覆盖发光位，折射层包覆于荧光层外表面。该LED灯丝既保留柔性...
    2026-04-07
  • 具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法
    具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511602680.9
    本公开提供了一种具有高外量子效率的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该制备方法包括：制备N型GaN层；在N型GaN层的一面制备有源层；在有源层的一面制备P型GaN层；在P型GaN层的一面制备P型接触层，P型接触层包括依次制备的第一...
    2026-04-07
  • 具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法
    具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511602652.7
    本公开提供了一种具有高空穴浓度的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该制备方法包括：制备N型GaN层；在N型GaN层的一面制备有源层；在有源层的一面制备第一P型GaN层，第一P型GaN层包括依次制备的第一子层、第二子层和第三子层，第...
    2026-04-07
  • 一种发光二极管外延结构及其制备方法
    一种发光二极管外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511904868.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延结构，包括衬底，在所述衬底上依次层叠石墨烯复合纳米层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；所述石墨烯复合纳米层包括依次层叠的改性石墨烯层和ZnO子层，所述改性石墨烯层设于所述衬底上...
    2026-04-07
  • 一种反极性发光二极管及其制造方法
    一种反极性发光二极管及其制造方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511845547.6
    本发明公开了一种反极性发光二极管及其制造方法，所述反极性发光二极管包括一半导体叠层，所述半导体叠层具有一台面结构，所述台面结构包括一顶部表面和一侧壁表面，还包括：一侧壁布拉格反射镜，设置在所述半导体叠层的所述侧壁表面上；以及一焊盘下布拉格反...
    2026-04-07
  • 一种发光二极管
    一种发光二极管_泉州三安半导体科技有限公司_202511704449.0
    本申请提供了一种发光二极管，尤其是高电压驱动发光板二极管，其中相邻发光单元之间形成有连接结构，该连接结构包括填充层以及隔绝层，填充层位于相邻发光单元之间的隔离槽内，隔绝层位于填充层靠近半导体外延叠层的背面的一侧。连接结构作为相邻发光单元之间...
    2026-04-07
  • 一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法
    一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512049572.X
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，尤其涉及一种多波段发光二极管外延结构，其多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的绿光有源区、青光有源区、蓝光有源区；所述绿光有源区包括沿外延方向依次层叠生长的绿光垒层一、绿光InGaN层、绿光垒层二...
    2026-04-07
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰集成科技有限公司_202511882908.4
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠...
    2026-04-07
  • Micro-LED外延片及其制备方法
    Micro-LED外延片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511874702.7
    本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法，Micro‑LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、第一插入层、第一非掺杂GaN层、第二插入层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；所述衬底为平片...
    2026-04-07
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511602616.0
    本公开公开了发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述多量子阱层包括超晶格结构，所述超晶格结构包括多个周期交替层叠的量子阱层、盖帽层和量子垒层，所述量子阱层为InGa...
    2026-04-07
  • 一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro-LED
    一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324482.6
    本发明提供一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro‑LED，该氮化物外延片包括异质衬底、复合柱结构、氮化物缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层；复合柱结构间隔分布在异质衬底的一侧表面上，复合柱结构包括多个复合Si纳米柱以及...
    2026-04-07
  • LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法
    LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511924176.0
    本发明提供了一种LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域，LED外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的n型电子层、n型电子阻挡层、有源层、p型空穴阻挡层、p型空穴层和p型窗口层，p型窗口层包括两个隧...
    2026-04-07
  • 一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用
    一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用_北京大学_202511874758.2
    本发明公开了一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用。本发明提供的极化调制隧穿结构，其沿[0001]方向依次包括如下组成：p型AlxGa1‑xN层、i型AlzGa1‑zN层和n型AlyGa1‑yN层；其中：p型Al...
    2026-04-07
  • 一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统
    一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统_湖北芯映光电有限公司_202511966372.4
    本发明涉及显示器件封装技术领域，具体涉及一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统。封装方法，其包括：在玻璃基板的正面进行铜胶印刷形成铜胶涂层并同步对玻璃基板背面进行真空抽吸，以使铜胶填满通孔形成导电通路；在玻璃基板正、背面制备...
    2026-04-07
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