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  • 本申请涉及一种智能防护型一二次融合环网箱,涉及智能电网的技术领域,包括箱体、转动安装于箱体前侧的箱门,所述箱门内侧面上开设有让位沉槽,所述让位沉槽内壁上开设有若干散热孔;所述让位沉槽内壁上沿竖直方向设有收纳箱,所述收纳箱的下边沿与让位沉槽内...
  • 本发明公开了一种内外气流循环多方位降温式高压柜,涉及高压柜维护技术领域,包括高压柜体,高压柜体的两侧均开设有内高外低的通气孔,两个通气孔的上方均设置有挡雨布,挡雨布的端部固定连接有挡雨杆,挡雨杆的杆壁固定连接有橡胶板,高压柜体的内壁固定连接...
  • 本申请涉及一种集成化智能电能计量箱,涉及智能电网的技术领域,包括箱体、转动安装于箱体前侧的箱门,所述箱体底面上固设有支撑架,所述箱体的下侧面上开设有接线孔和若干散热孔;所述箱体的上方沿水平方向设有处于水平防护状态的防护板,所述箱体顶面上设有...
  • 本发明涉及开关柜领域,公开了一种智能远程控制开关柜及开关柜控制系统,包括:柜体,安装有多个抽屉;开合闸机构,安装于抽屉上,所述开合闸机构包括:面板,固定于抽屉上;连接座,设于面板的一侧;动闸,安装于连接座远离面板的一端,且设有动触头。本发明...
  • 本发明公开了一种电力自动化的高性能配电箱,涉及配电箱技术领域,底板顶面安装有模块化组件,底板顶面安装有底固定框,底板顶端一侧安装有活动背板,两个侧挡板顶端卡接安装有顶端盖,封闭门边缘开设有扩张槽,充气囊和充气条连通,充气槽内部底端镶嵌有辅助...
  • 本发明公开了一种防导线错乱的高压电气配电柜,涉及配电柜技术领域。一种防导线错乱的高压电气配电柜包括可调式线束固定机构以及安装于可调式线束固定机构一侧的安装框架,可调式线束固定机构包括线束限位环,线束限位环的一侧开设有安装口,线束限位环的内部...
  • 本发明涉及一种汇流夹钳的安全预警方法和系统,其中,方法包括:步骤S1:利用汇流夹钳的夹钳臂夹取开关柜中的铜排C,使汇流夹钳的接触件A与铜排C接触;步骤S2:获取关于接触件A与铜排C的相关参数;步骤S3:根据获取的相关参数构建安全预警判别依据...
  • 本申请涉及电气设备的技术领域,公开了一种智能防护型环网柜,其包括柜体、设置在柜体中的电气元件、隔离刀闸和接地刀闸,锁定块柜体的侧壁上滑动设置有开合闸板,锁定块触发部上设有用于推动隔离刀闸的隔离杆和用于推动接地刀闸的接地杆,当锁定块开合闸板向...
  • 本发明提供一种模块化绝缘空气复合高压开关柜,涉及高压开关柜技术领域,包括上柜体、隔断模板、下柜体和电气控制元件,所述下柜体的内侧固定安装有承托板,所述承托板的外侧固定安装有第一夹板,所述第一夹板的外侧设置有第二夹板,所述第一夹板的两侧均设置...
  • 本发明公开了一种全插接式低压单相多表位电能计量箱,属于电表箱技术领域,包括总开关箱和仪表箱,总开关箱与仪表箱通过公母卡口连接,总开关箱含上盖、底座及内部的总开关模块、预埋火零线铜排,仪表箱含上盖、底座及内部的分户预埋铜排(32)、电表接插件...
  • 本发明公开了一种负氧离子发生器,属于发生器技术领域,包括机身以及安装在机身上的旋转组件,机身上安装有进气组件,机身的内部安装有负氧离子发生器本体,机身上滑动安装有密封调节板,密封调节板上安装有第一连接杆。本发明通过设置电机,电机启动带动第一...
  • 本发明提供一种360度环形封装的激光阵列,涉及光学器件技术领域,通过将激光巴条组件的导热绝缘基座均匀固定在圆柱型底座,可以使激光阵列输出的激光的光斑完全覆盖激光阵列周围360度的区域范围,从而实现在一个平面内360度无死角的激光输出效果。而...
  • 本申请涉及一种激光器组件及激光投影装置。激光器组件包括安装基板、发光单元和焊料层,发光单元通过焊料层与安装基板焊接;其中,发光单元包括底板、管壳和多个发光芯片,底板和管壳围合形成容置空间,多个发光芯片贴装于底板上,且位于容置空间内;焊料层包...
  • 本发明涉及激光技术领域,尤其涉及一种半导体激光器及其制备方法,包括从上自下依次层叠的P型金属电极层、绝缘层、P型盖层、P型包层、P型波导层、有源区层、N型波导层、N型包层和N型金属电极层;所述P型波导层上形成脊波导结构,所述P型波导层上还包...
  • 本公开提供了一种垂直腔面发射激光器,包括谐振腔以及设于谐振腔中的有源区。有源区包括沿着光发射方向设置的多个多量子阱以及设于相邻多量子阱之间的中间层。相邻多量子阱之间的中间层具有一种导电类型。
  • 本发明涉及发光元件及其制造方法,发光元件包含一外延层、一第一接触电极、一肖特基界面、一第一金属垫、一第二接触电极以及一第二金属垫。外延层具有一沟槽,将外延层纵向分割为彼此分离的一第一区域及一第二区域。第一接触电极设置于外延层之上,且包含一开...
  • 本发明提出一种光电限制增强的高效率光子晶体面发射激光器,属于半导体激光器技术领域,包括衬底,由下至上外延生长的N型缓冲层、N型包层、N型限制层、有源区、P型限制层、光子晶体层、电流阻挡层,二次外延生长的P型包层、P型分布式布拉格反射层和P型...
  • 本申请提供了一种基于紧凑耦合结构的高功率窄线宽外腔半导体激光器,属于半导体激光器技术领域;解决了现有激光器存在的系统复杂、体积庞大、耦合效率低以及成本高昂的问题;该外腔半导体激光器,包括单频种子激光芯片和锥形放大器芯片,单频种子激光芯片和锥...
  • 本发明涉及半导体激光器领域,尤其涉及一种光电混合集成式垂直外腔面发射半导体激光器,包括泵浦芯片和位于泵浦芯片之上的增益芯片;其中,泵浦芯片为电泵浦结构,用于产生泵浦光;增益芯片为光泵浦结构,用于吸收泵浦光并产生目标波段的输出激光;泵浦芯片与...
  • 本发明公开了一种能够降低激光器阈值电流、同时能够大幅度提升器件一致性且工艺兼容性强的用于分布式反馈激光器的掩埋异质结制备方法。该方法通过在顶部包层生长埋层之后,引入一个选择性的扩Zn处理工艺步骤,通过该扩散步骤来形成的高浓度p型区,与金属电...
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