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最新专利技术
  • 一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法
    一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法_凯盛光伏材料有限公司_202511713193.X
    本发明公开了一种具有防霉疏水功能的太阳能薄膜电池及其制备方法涉及太阳能电池技术领域，包括薄膜电池芯片、胶膜、前板玻璃和疏水涂层；疏水涂层包括有机硅丙烯酸树脂、木质素磺酸盐和三氯化铬；逐层叠设薄膜电池芯片、胶膜、前板玻璃构成了电池基体，前板玻...
    2026-04-10
  • 层压工装及光伏组件的层压方法
    层压工装及光伏组件的层压方法_英利能源(中国)有限公司_202511566424.9
    本发明提供了一种层压工装及光伏组件的层压方法，属于光伏电池技术领域，包括：选择直径大于层压件厚度的橡胶棒，裁切为一定长度；利用宽度小于橡胶棒长度的特氟龙胶带一对折包裹橡胶棒，并在特氟龙胶带一对折后预留出一定的长度；在靠近橡胶棒的部位再次用特...
    2026-04-10
  • 光伏组件
    光伏组件_常熟阿特斯阳光电力科技有限公司_202411309266.4
    本发明公开了一种光伏组件，包括盖板玻璃、与所述盖板玻璃相对设置的背板玻璃、设于所述盖板玻璃与背板玻璃内侧边缘处的密封胶圈、设于所述密封胶圈内的电池串、设于所述盖板玻璃与电池串之间的第一隔离膜、设于所述背板玻璃与电池串之间的第二隔离膜。本发明...
    2026-04-10
  • 太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统
    太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统_株式会社东芝_202511311797.1
    提供一种太阳能电池、多结型太阳能电池、太阳能电池模块及太阳光发电系统。实施方式的太阳能电池具有p电极、n电极、设置于p电极上的以氧化亚铜化合物作为主体的p型光吸收层、和设置于p型光吸收层与n电极之间的n型层。以氧化亚铜化合物作为主体的p型光...
    2026-04-10
  • 一种太阳能电池及其制备方法和电池组件
    一种太阳能电池及其制备方法和电池组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201877.X
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法和电池组件，涉及光伏技术领域。本发明所提供的太阳能电池的隔离区宽度为0.1µm～15µm，相比于现有技术中50µm及以上的隔离区宽度，本发明的超窄隔离区减少了隔离区载流子漂移距离，同时增加了掺杂区的面积...
    2026-04-10
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610197769.X
    本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。所述太阳能电池包括半导体基底，所述半导体基底的背面包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极的极性相反且间隔排布互不导通；所述第一电极包括第一接触区和第一跨越区；所述第一接触区与第一极性...
    2026-04-10
  • 背接触电池、电池组件和光伏系统
    背接触电池、电池组件和光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202512058529.X
    本申请提供了一种背接触电池、电池组件和光伏系统，在背接触电池中，第一介质层和第一晶化层依次层叠设置在第一预设区域上，在第一预设区域处形成有与第一介质层接触的第一内扩层，第一介质层、第一晶化层和第一内扩层中均掺杂有第一掺杂元素。第二介质层和第...
    2026-04-10
  • TBC太阳能电池及制备方法
    TBC太阳能电池及制备方法_一道新能源科技股份有限公司_202511060716.5
    本申请公开了一种TBC太阳能电池及制备方法，涉及光伏电池技术领域。TBC太阳能电池包括N型基体硅，所述N型基体硅的背光面包括交替设置的N型区域和P型区域；在所述N型区域内，从所述N型基体硅的背光面向外依次包括第一隧穿层、第一N型掺杂硅层、第...
    2026-04-10
  • 双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统
    双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511934067.7
    本申请涉及一种双向氮化镓ESD防护结构、二极管和电源系统。结构包括：正向触发电路，用于在发生正向ESD事件时开启，对正向瞬态电压进行分压，以使泄放双向开关的栅极在设定的正向瞬态电压下开启；反向触发电路，用于在发生反向ESD事件时开启，对反向...
    2026-04-10
  • 集成电路器件
    集成电路器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511744304.3
    本发明的实施例提供了一种集成电路器件，其为可以与GaN高电压器件集成的保护电路，包括由串联连接在信号输入和参考输入之间的正向触发的场效晶体管(FET)和反向触发的FET所组成的主要放电路径。包含正向整流器的第一分压器网络和包含反向整流器的第...
    2026-04-10
  • 用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法
    用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法_意法半导体国际公司_202511340260.8
    本公开涉及用于防止由等离子体辅助工艺引起的损坏的保护电子装置及其制造方法。一种电子装置包括电路模块和保护模块。该电路模块包括位于参考端子和电节点之间的P‑N结，以及耦合到电节点并且被配置为因天线效应而被充电的金属连接线。该保护模块包括HV晶...
    2026-04-10
  • 有源矩阵基板以及显示装置
    有源矩阵基板以及显示装置_夏普显示科技株式会社_202511323543.1
    提供一种具备特性互不相同的多个氧化物半导体TFT的有源矩阵基板及显示装置。有源矩阵基板具备基板以及多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有氧化物半导体层、下部栅极电极以及上部栅极电极，该氧化物半导体层包含沟道区域、源极接触区域和漏极...
    2026-04-10
  • 半导体结构、以及半导体器件结构
    半导体结构、以及半导体器件结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511764735.6
    根据本发明的半导体结构包括：第一隔离结构；第一底部晶体管；第二底部晶体管，沿着方向设置在第一隔离结构与第一底部晶体管之间；第一顶部晶体管，设置在第一隔离结构上方；第二隔离结构，位于第一底部晶体管上方；和第二顶部晶体管，位于第二底部晶体管上方...
    2026-04-10
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510447370.8
    一种半导体装置，包括：晶体管，在基底上，晶体管包括导电图案；第一金属层，在晶体管上，第一金属层包括第一布线线路和在第一布线线路下方的第一过孔；以及蚀刻停止层，在晶体管与第一金属层之间。第一过孔穿透蚀刻停止层，并且第一过孔连接导电图案和第一布...
    2026-04-10
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510868170.X
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个纳米结构、第一外延结构、第二外延结构、栅极结构、多个内部间隔件和多个硅基帽盖层。多个纳米结构可以设置在彼此之上并且彼此间隔开。第一外延结构和第二外延结构可以分别耦合到多个纳米结构中的...
    2026-04-10
  • 可控硅的结构、制造方法及电子设备
    可控硅的结构、制造方法及电子设备_深圳市国微电子有限公司_202511789912.6
    一种可控硅的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，第一阱区和第二阱区在衬底内的上表面设置；第一有源区和第二有源区在第一阱区内的上表面间隔设置；第三有源区和第四有源区在第二阱区内的上表面相邻设置；第五有源区与第四有源区间隔设置；第六有...
    2026-04-10
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510181750.1
    一个实施例提供了一种包括具有各种半导体层的沟槽结构的半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包括制备包括半导体部分的结构体，在所述结构体中形成有沟槽。所述沟槽沿第一方向延伸。所述方法包括在所述结构体的上表面和所述沟槽的表面形成掺杂玻璃薄...
    2026-04-10
  • 一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件
    一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件_上海光通信有限公司_202411311806.2
    本申请公开一种CMOS晶体管及制备方法、半导体器件，所述方法包括：提供一衬底，在衬底形成第一伪栅结构、第一源漏结构、第二伪栅结构和嵌有应变材料的第二源漏结构后，第二伪栅结构的高度小于所述第一伪栅结构的高度，对第一伪栅结构进行高度削减，直到第...
    2026-04-10
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411296942.9
    本公开实施例提供一种半导体结构及其制造方法。该方法包括：提供初始半导体结构，包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、位于衬底上的隔离结构以及覆盖鳍部和隔离结构的虚设栅极层，隔离结构覆盖鳍部的部分侧壁；刻蚀虚设栅极层，以形成第一凹槽和第二凹槽；第一凹...
    2026-04-10
  • 半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备
    半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备_北京知识产权运营管理有限公司_202411265479.1
    本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备。其中，制备方法包括：在衬底上形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，第二有源结构相较于第一有源结构远离衬底，第二有源结构是进行离子注入的；在第二有源结构的第一区域上外...
    2026-04-10
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