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最新专利技术
  • 半导体器件及制造方法
    半导体器件及制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510520117.0
    提供了半导体器件及制造方法，其中在衬底之上形成底部金属并处理底部金属以形成第一无氧区。在底部金属之上沉积第一电介质材料，并且图案化第一电介质材料以暴露底部金属。在第一电介质材料内形成电容器。
    2026-04-11
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510417563.9
    本公开提供一种半导体元件，其包括设置于该第一介电层之上的一底部电极结构。该底部电极结构包括由下往上配置的一第一金属层、一第二金属层、一第三金属层、一第四金属层、和一第五金属层。该第一金属层、该第三金属层和该第五金属层包括一第一金属材料，且该...
    2026-04-11
  • 电容器及其制造方法、存储器件
    电容器及其制造方法、存储器件_长江存储科技有限责任公司_202411303761.4
    本申请实施例提供了一种电容器及其制造方法、存储器件；其中，电容器包括：介质层；分别位于介质层两侧的第一电极和第二电极；第一电极包括层叠设置的导电层和缓冲层，缓冲层的材料包括含铟元素的氧化物；缓冲层覆盖至少部分导电层的表面。
    2026-04-11
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510215534.4
    本发明提供一种能够确保导线间的间隙的半导体装置及其制造方法。根据一实施方式，半导体装置具备配线衬底、第1半导体元件、第2半导体元件、第1导线、及第2导线。配线衬底设置着具备第1部分及第2部分的电极，所述第2部分与第1部分之间具有阶差，且距基...
    2026-04-11
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510345568.5
    本发明提供一种存储装置，其具有特性优异的开关元件。实施方式的存储装置具备存储单元，所述存储单元包含第1导电层、第2导电层、第1导电层与第2导电层之间的第3导电层、第1导电层与第3导电层之间的开关层、以及第3导电层与第2导电层之间的电阻变化层...
    2026-04-11
  • 半导体结构、制备方法及电子设备
    半导体结构、制备方法及电子设备_北京超弦存储器研究院_202411321413.X
    本公开提供了一种半导体结构、制备方法及电子设备。该半导体结构包括设置于衬底上的多层存储单元层，多层存储单元层在垂直于衬底的第一方向上层叠设置；存储单元层包括铁电隧道结和晶体管；半导体结构还包括字线和位线；其中，铁电隧道结包括电连接于晶体管的...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510195393.4
    提供能适宜制造的半导体存储装置。半导体存储装置具备经多个贴合电极而贴合的第1、第2芯片，第1芯片及第2芯片具备以包围存储区域周围的方式设置的边缘密封件区域(RES)，第2芯片具备在边缘密封件区域(RES)中以包围存储区域的周围的方式设置且分...
    2026-04-11
  • 半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202511327634.2
    提供了一种半导体装置和包括半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括：下结构，具有存储器单元阵列区域和在存储器单元阵列区域外部的外部外围区域；以及上结构，在下结构上。上结构包括：垫，包括设置在外部外围区域上的第一下导电图案和在第一下导电图...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510200222.6
    根据实施方式，提供一种具有多个第一存储单元及第一选择机构的半导体存储装置。多个第一存储单元层叠在衬底的上方。多个第一存储单元并联连接在第一垂直位线与第一垂直源极线之间。第一垂直位线沿层叠方向延伸。第一垂直源极线沿层叠方向延伸。第一选择机构配...
    2026-04-11
  • 三维存储器元件
    三维存储器元件_旺宏电子股份有限公司_202411355652.7
    本公开提供一种三维存储器元件，其包括堆叠结构、第一组通道结构与第二组通道结构、隔墙结构以及至少一个支撑结构。堆叠结构包括交替堆叠的多层导电层以及多层介电层。堆叠结构的顶表面平行于由第一方向与第二方向定义的平面。第一组通道结构与第二组通道结构...
    2026-04-11
  • 一种SONOS存储器件及其制备方法
    一种SONOS存储器件及其制备方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511878422.3
    本发明提供一种SONOS存储器件及其制备方法，SONOS存储器件包括衬底层、源区、漏区、ONO结构和栅极，其中，ONO结构位于源区和漏区之间的衬底层上，ONO结构包括隧穿介质层、电荷存储层和阻挡层，在源区指向漏区的方向上，电荷存储层包括依次...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510274142.5
    本发明提供能够适当地制造的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个导电层，在层叠方向上层叠；多个存储单元，在层叠方向上排列，与多个导电层连接；第1接触电极，在层叠方向上延伸，与多个导电层中的一个导电层连接；以及第2接触电极，在层叠方向上延伸...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510264512.7
    提供良好地动作的半导体存储装置。其具备：基板；与基板分离的第一～第三层；与第一层～第三层相对的第一及第二半导体层；与第一层连接的第一电极；外周面被第一层包围且端部与第二层连接的第二电极；外周面被第一层及第二层包围且端部与第三层连接的第三电极...
    2026-04-11
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510190355.X
    根据一实施方式，半导体装置具备积层膜，该积层膜在第1方向上交替地包含多个第1绝缘膜及多个电极层，且包含非阶梯部、及设置在所述非阶梯部的第2方向上的阶梯部。所述装置还具备包含设置在所述阶梯部内的第2绝缘膜的第1支柱部。所述积层膜包含在所述第1...
    2026-04-11
  • 半导体存储器及其制造方法
    半导体存储器及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202411298030.5
    本发明公开了一种半导体存储器的存储单元的栅极结构包括：第一介质隧穿层、第二介质存储层、第三缓变阻挡层、高介电常数层和金属栅。第一介质隧穿层形成于半导体衬底的表面上。第二介质存储层形成于第一介质隧穿层的顶部表面上。第三缓变阻挡层形成于第二介质...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510253102.2
    本发明的课题在于提高存储单元的动作特性。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备逐层交替地积层有多个导电层与多个绝缘层的积层体、及沿积层体的积层方向在积层体内延伸的柱，柱具有沿积层方向在...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510301853.7
    本公开提供一种抑制可靠性降低的半导体存储装置。本公开所涉及的半导体存储装置具备：半导体基板，包含作为源极区域或漏极区域的第一区域、和相对于第一区域在第一方向上分离且作为源极区域或漏极区域的第二区域；第一触头，连接于第一区域；第二触头，连接于...
    2026-04-11
  • 存储设备
    存储设备_铠侠股份有限公司_202510268805.2
    本发明的课题在于使寄生电容均衡。一实施方式的存储设备具备：多个第1导电体层，在第1方向上相互分离排列；第1部件，在与第1方向交叉的第2方向上延伸，且将多个第1导电体层分割成在与第1方向及第2方向交叉的第3方向上排列的第1部分及第2部分；多个...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510266837.9
    提供能高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：半导体衬底；及存储单元阵列层，在与半导体衬底的表面交叉的第1方向上分开设置。存储单元阵列层具备：第1及第2积层构造，在与第1方向交叉的第2方向上排列；及第3积层构造，设置在第1及第2积层构...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510234449.2
    实施方式提供能够恰当地构成阶梯构造的半导体存储装置。根据一个实施方式，提供一种具有层叠体、第一绝缘膜以及1个以上的第二绝缘膜的半导体存储装置。层叠体中，多个导电层隔着绝缘层被层叠。层叠体在平面视图中的长边方向的中央附近包含阶梯构造。第一绝缘...
    2026-04-11
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