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最新专利技术
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510234449.2
    实施方式提供能够恰当地构成阶梯构造的半导体存储装置。根据一个实施方式，提供一种具有层叠体、第一绝缘膜以及1个以上的第二绝缘膜的半导体存储装置。层叠体中，多个导电层隔着绝缘层被层叠。层叠体在平面视图中的长边方向的中央附近包含阶梯构造。第一绝缘...
    2026-04-11
  • 存储设备
    存储设备_铠侠股份有限公司_202510208305.X
    实施方式提供一种存储设备，其抑制制造成本。实施方式的存储设备包含衬底(W1)、第1电路层及第2电路层。衬底具有第1区域与第2区域。第2电路层包含：积层体，包含在第1区域内沿第2方向交替积层的第1绝缘体层及第1导电体层；多个第1柱，在第1区域...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510181747.X
    实施方式的半导体存储装置具备：第1积层膜，将多个第1导电层与多个第1绝缘层交替积层而成；第1芯绝缘膜，贯通第1积层膜；第2芯绝缘膜，设置在第1芯绝缘膜的周围；第3芯绝缘膜，设置在第2芯绝缘膜的周围；第1通道半导体膜，设置在第3芯绝缘膜的周围...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510164265.3
    实施方式提供易于实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备：多个导电层，在层叠方向上层叠；半导体柱，在层叠方向上延伸且与多个导电层对置；电荷积蓄膜，设置在导电层与半导体柱之间；位线，相对于导电层设置在层叠方向的一侧且与半导体柱连接；以...
    2026-04-11
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510158586.2
    实施方式提供一种构成要素的长度得到抑制的存储装置。一实施方式的存储装置包含第1半导体、第1柱、第1导电体、第1晶体管及第2导电体。第1半导体在第1方向上延伸。第1柱在与第1方向相交的第2方向上延伸，且与第1半导体相接。第1导电体与第1柱的第...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411322281.2
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有浮栅介质层和多晶硅浮栅层以及贯穿所述多晶硅浮栅层和浮栅介质层并延伸至所述半导体衬底中的隔离沟槽，所述隔离沟槽中形成有隔离结构，所述隔离结构的顶面高...
    2026-04-11
  • 一种纳米浮栅存储器及其制备方法和应用
    一种纳米浮栅存储器及其制备方法和应用_华中科技大学_202511813219.8
    本发明公开了一种纳米浮栅存储器及其制备方法和应用，该制备方法包括：将修饰有巯基封端的聚合物的无机纳米粒子墨水印刷到基底上，得到纳米浮栅和隧穿复合层；在纳米浮栅和隧穿复合层上原位生长二氧化硅保护层；对二氧化硅保护层进行表面改性；在表面改性后膜...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置及其制造方法
    半导体存储装置及其制造方法_铠侠股份有限公司_202510266834.5
    本发明提供一种具有优良特性的半导体存储装置及其制造方法。半导体存储装置具备：多个第1导电层，排列在第1方向上，沿着与所述第1方向交叉的第2方向、以及与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向延伸；以及存储器构造，沿着所述第1方向延伸，且包含...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510185353.1
    提供能够实现高集成化的半导体存储装置。半导体存储装置具备被贴合的第一芯片和第二芯片，第二芯片具备设置在半导体基板与第一芯片之间的第一布线层和第二布线层。第二布线层具备在第二方向上交替排列的多个字线电压供给线组和多个区块选择线组，多个字线电压...
    2026-04-11
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202411466782.8
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法。半导体结构包括基板、设置在基板上的隧穿介电层、设置在隧穿介电层上的多个晶体管。每个晶体管包括依序设置在隧穿介电层上的浮栅极、栅极间介电层、与控制栅极。沿着第一方向的一剖面图中，控制栅极设置于浮栅极的两侧...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202512040708.0
    实施方式的半导体存储装置具备：积层体，由第1层与第2层交替地积层而成；及板状部，在积层体的积层方向贯穿积层体，在与积层方向交叉的第1方向延伸。第1层由第1绝缘材料形成。第2层分别具有绝缘区域及在第1方向与绝缘区域连接的导电区域，该绝缘区域由...
    2026-04-11
  • 半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置以及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202511906371.0
    提供可进行容易的擦除动作的半导体存储装置。该半导体存储装置具备：第一层叠体，包括：交替层叠的多个第一导电层和多个第一绝缘层、在层叠方向上将所述多个第一导电层和所述多个第一绝缘层贯通的第一半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述多个第一导电...
    2026-04-11
  • 三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备
    三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511904516.3
    本公开提供了一种三维存储器及制作方法、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善栅线材料填充不实的问题。所述三维存储器包括层叠设置的多个介质层，多个沟道结构和多个接触结构，第一栅线隔离结构，中间隔离结构以及第二栅线隔离结构。中间隔...
    2026-04-11
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202511938396.9
    本申请实施方式提供了一种半导体器件及制备方法、存储器系统。半导体器件包括：阵列排布的半导体柱和字线结构。半导体柱沿第一方向延伸并包括至少一个侧面，其中多个半导体柱沿与第一方向垂直的第二方向呈行排布；字线结构位于相邻的第一行半导体柱与第二行半...
    2026-04-11
  • 电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器
    电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器_复旦大学_202511930969.3
    本发明涉及半导体存储技术领域，提供一种电容器和存储器的制备方法以及动态随机存取存储器。该方法包括：在形成有晶体管和存储节点的衬底上形成停止层和绝缘成型层后进行刻蚀，形成暴露存储节点的支柱孔；沉积第一电极层，形成填充支柱孔的绝缘支柱；对绝缘支...
    2026-04-11
  • 一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法
    一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法_北京大学_202511839013.2
    本发明公开了一种同轴垂直双晶体管无电容动态随机存取存储器单元及其制备方法，属于半导体集成电路领域。本发明的DRAM单元将写晶体管和读晶体管以同轴心圆柱体的形式三维集成，其中读晶体管位于内核，写晶体管同轴包裹在外周。此结构将单元占地面积缩减至...
    2026-04-11
  • 半导体存储器件
    半导体存储器件_三星电子株式会社_202511223058.7
    一种半导体存储器件，包括：位线，沿第一方向延伸；第一沟道图案，在所述位线的上表面上；第二沟道图案，在所述位线的上表面上；第一字线，沿第二方向延伸；第二字线，沿所述第二方向延伸；第一电容器和第二电容器，分别连接到所述第一沟道图案和所述第二沟道...
    2026-04-11
  • 半导体存储器装置
    半导体存储器装置_三星电子株式会社_202511045666.3
    本发明提供了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在半导体衬底上的字线和层间绝缘图案，字线在平行于半导体衬底的顶表面的第一方向上延伸；沟道图案，与字线交叉并且具有在平行于半导体衬底的顶表面的第二方向上...
    2026-04-11
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510907397.0
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：基底，包括有源单元区域、虚设单元区域和外围电路区域，虚设单元区域在平面图中在有源单元区域周围延伸，外围电路区域在平面图中在虚设单元区域周围延伸；以及器件隔离膜，在有源单元区域和虚设...
    2026-04-11
  • 半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202510385415.3
    提供晶体管特性优异的半导体装置、半导体存储装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置具备：第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层对置的栅电极。栅电极包含将氧化物半导体层夹在中间的第一部分和第二...
    2026-04-11
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