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最新专利技术
  • 半导体装置及其制作方法
    半导体装置及其制作方法_群创光电股份有限公司_202411202033.4
    本发明提供一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括电路基板、第一半导体元件、第二半导体元件以及连接元件。电路基板包括第一接垫。第一半导体元件配置于电路基板上且包括第二接垫与第三接垫。第二半导体元件配置于电路基板上。连接元件配置于电路基板上...
    2026-03-24
  • 芯片封装体
    芯片封装体_湖南三安半导体有限责任公司_202411186369.6
    本申请提供一种芯片封装体，包括衬板和芯片，衬板的第一表面设有凹槽；凹槽具有槽底和槽口，在从槽底至槽口的方向上，凹槽形成有缩口部，凹槽在缩口部处的口径小于凹槽在槽底处的口径；芯片的一端位于槽底，另一端朝远离槽底的方向延伸出缩口部。通过在衬板上...
    2026-03-24
  • 电器件端子修饰
    电器件端子修饰_德克萨斯仪器股份有限公司_202511952676.5
    本申请题为“电器件端子修饰”。在所描述的示例中，端子(例如，导电端子)包括基底材料210、镀覆堆叠(例如，220和230A)和焊料修饰层250。基底材料210可以是金属，例如铜。镀覆堆叠被布置在基底材料210的表面上，并且可以包括镀覆堆叠中...
    2026-03-24
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202511286437.0
    电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中，一种电子装置包含具有裸片底座和接触件的衬底。电子组件耦合到所述裸片底座。导电连接件包含耦合到所述接触件的支脚部分和耦合到所述电子组件的连接板部分。所述支脚部分包含顶侧、底侧和向外横向侧。斜面从所述...
    2026-03-24
  • 电力模块
    电力模块_日月光半导体制造股份有限公司_202510026605.6
    本公开涉及一种电力模块。所述电力模块包含：第一衬底，其具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；第一裸片，其安置在所述第一衬底的所述第一表面上；以及第二裸片，其安置在所述第一衬底的所述第二表面上，其中所述第一裸片及所述第二裸片中的至少一者...
    2026-03-24
  • 一种板级扇出型芯片封装结构及其制作方法
    一种板级扇出型芯片封装结构及其制作方法_江苏盘古半导体科技股份有限公司_202511957568.7
    本发明公开了一种板级扇出型芯片封装结构及其制作方法，属于半导体封装技术领域。该封装结构包括半导体芯片、载板、键合膜、模塑化合物、重布线层、钝化层及可焊侧翼结构，半导体芯片通过键合膜贴装于载板，模塑化合物包覆后经解键合分离载板，重布线层与带导...
    2026-03-24
  • 一种采用堆叠硅块式的扇出型封装方法
    一种采用堆叠硅块式的扇出型封装方法_杭州晶通科技有限公司_202511789587.3
    本发明公开了一种采用堆叠硅块式的扇出型封装方法，具体包括将待处理的真实芯片real die贴附到载板上；在新的晶圆或者基板上贴附胶膜后，对晶圆或者基板进行切割，获得模拟芯片dummy die；将新切割获得的模拟芯片dummy die上贴附至...
    2026-03-24
  • 小基板的制备方法
    小基板的制备方法_合肥沛顿存储科技有限公司_202610186517.7
    本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于小基板的制备方法。步骤：将小基板通过第一释放层放置在第一基底上，在第一释放层上用模塑料包裹小基板和填充小基板之间的间隙，形成塑封层，在塑封层形成多个通孔暴露出小基板的局部表面，在通孔上制作出凸点，在凸...
    2026-03-24
  • 封装基板铜柱结构及其制造方法
    封装基板铜柱结构及其制造方法_深圳飞骧科技股份有限公司_202610195277.7
    本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种封装基板铜柱结构及其制造方法，制造方法包括以下步骤：S1、使用mSAP工艺完成线路基板制作；S2、选取线路基板的上表面或线路基板的下表面作为待长铜柱面，并在待长铜柱面进行铜柱生长制作；S3、在线路基板的...
    2026-03-24
  • 一种玻璃通孔基板及其制备方法
    一种玻璃通孔基板及其制备方法_盛青永致半导体设备(苏州)有限公司_202610186581.5
    本发明公开了一种玻璃通孔基板及其制备方法。该制备方法包括：S1、提供具有通孔的玻璃衬底，玻璃衬底具有相反的第一面和第二面，通孔自第一面贯通至第二面；S2、提供支撑板，支撑板通过可分解粘合剂覆设有第一金属层；S3、将玻璃衬底的第一面和支撑板上...
    2026-03-24
  • 一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法
    一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法_青岛理工大学_202511968432.6
    本发明涉及增材制造技术领域，尤其是一种基于电场驱动喷射沉积的先进封装RDL增材制造方法，采用电场驱动喷射沉积微纳3D打印技术，按照设定打印模式及工艺参数在基板上先后打印第一层介质层和由导电浆料打印形成的第一层电路图形；然后继续打印第二层介质...
    2026-03-24
  • 一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法
    一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法_天津津航计算技术研究所_202511876862.5
    本申请提供一种带底部散热盘无引线芯片器件的返修方法，包括：在器件的焊端预置焊料，其中，对器件的底部散热焊盘与信号焊盘预置不同量的焊料；控制施加至器件焊端的助焊剂量；将预置焊料并施加助焊剂后的器件贴装至印制板组件上，并进行回流焊接。本申请提供...
    2026-03-24
  • 一种高平整度的封装载板的制作方法及其封装载板
    一种高平整度的封装载板的制作方法及其封装载板_苏州亿麦矽半导体技术有限公司_202511854088.8
    本发明公开了一种高平整度的封装载板的制作方法，包括以下步骤：临时基板表面处理，选择临时基板，对其表面进行化学活化处理；电镀导通层，在临时基板表面进行电镀，形成若干个铜柱结；填充介电材料，在临时基板的表面填充介电材料，使铜柱和介电材料形成介电...
    2026-03-24
  • 一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法
    一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法_广东工业大学_202511849026.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，尤其涉及一种基于激光诱导与湿法刻蚀的玻璃微结构的加工方法，包括如下步骤：A、准备玻璃晶圆，并对玻璃晶圆进行清洗处理；B、采用点激光对清洗处理后的玻璃晶圆的目标区域进行激光加工，形成预设刻蚀补偿结构；C、将经过激光...
    2026-03-24
  • 埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置
    埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置_深南电路股份有限公司_202511832662.X
    本发明公开了一种埋入式芯片封装方法、埋入式芯片封装体及电子装置。本发明实施例的埋入式芯片封装方法包括如下操作：在基板上设置通孔；将芯片埋设于所述通孔内，所述芯片朝向所述通孔的两侧开口的端面均设置有电连接部；在所述基板厚度方向上的两侧面均覆盖...
    2026-03-24
  • 一种自修复芯片及其制备方法
    一种自修复芯片及其制备方法_深圳市北测检测技术有限公司_202511829593.7
    本申请公开了一种自修复芯片及其制备方法，制备方法包括：对玻璃基板进行初步蚀刻处理和激光刻蚀处理，得到具有流道网络的基板；将氧化物合金与引发剂进行混合形成核芯浆料，对核芯浆料进行脉冲激光沉积处理，形成具有内层和外层包覆的胶囊结构；在真空环境下...
    2026-03-24
  • 封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板
    封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板_浙江创豪半导体有限公司_202511808915.X
    本申请实施例提供一种封装基板贴膜方法、贴膜设备及封装基板，包括：提供一封装基板和干膜，所述干膜的宽度被配置为超出所述封装基板单边0.5mm；将所述封装基板放入贴膜设备，通过定位系统对所述封装基板进行定位后，将所述封装基板移动至预贴膜起始点；...
    2026-03-24
  • 制造电子器件的方法
    制造电子器件的方法_意法半导体国际公司_202511211958.X
    本公开涉及制造电子器件的方法。一种方法包括：提供被分离层、种子层、具有开口的树脂层覆盖的支撑衬底；穿过开口，通过沉积焊料层、铜柱和可选的金层来形成互连元件；去除树脂并蚀刻种子层的未被覆盖的部分；将互连元件组装到组件，该组件包括衬底，在该衬底...
    2026-03-24
  • 金属布线基板的制造方法
    金属布线基板的制造方法_东京应化工业株式会社_202511192738.7
    本发明涉及金属布线基板的制造方法。课题是提供金属布线基板的制造方法，金属布线基板中使用化学增幅型感光性组合物在基板上形成的金属布线被绝缘膜所被覆，能够在绝缘膜上进一步设置其他构件，金属布线基板的制造方法能够抑制基板与绝缘膜之间的金属布线的氧...
    2026-03-24
  • 一种封装基板及其制作方法
    一种封装基板及其制作方法_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411267043.6
    一种封装基板及其制作方法，该制作方法包括：于第一基板的至少一表面上形成线路干膜；于线路干膜的侧表面上形成与第一基板连接的第一线路层，第一线路层具有第一间隙和第二间隙，线路干膜位于第一间隙；于第一线路层远离第一基板的表面上压合第二基板，第二基...
    2026-03-24
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