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最新专利技术
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411170991.8
    本公开提出了一种半导体结构的制造方法，涉及半导体技术领域，该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括：衬底，位于衬底上的栅极结构，位于栅极结构两侧的源区和漏区，以及覆盖栅极结构、源区和漏区的介质层；在衬底结构上形成硬掩模层，硬掩模层具有初始图案...
    2026-03-24
  • 扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路
    扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路_华为技术有限公司_202411283614.5
    本申请提供了一种扩散阻挡层材料、互连结构及其制备方法与集成电路。该扩散阻挡层材料包括Ta、R和M，R包括N和P中的至少一种，M包括S、Se、Te中的至少一种，其中，在扩散阻挡层材料中，R的原子百分比为10％‑70％，M的原子百分占比为5％‑...
    2026-03-24
  • 芯片封装结构及算力模组组件
    芯片封装结构及算力模组组件_中昊芯英(杭州)科技有限公司_202511988917.1
    本申请实施例涉及封装技术领域，提供一种芯片封装结构及算力模组组件，芯片封装结构包括：封装基板，包括具有相对设置的第一表面和第二表面，第一金属层、接地层、电源层，各层中的第一金属层最接近第一表面。第一计算晶粒，设置于封装基板的第一表面上。第一...
    2026-03-24
  • 倾斜互连件
    倾斜互连件_德州仪器公司_202511175519.8
    公开了一种包含倾斜互连件(132a)的微电子装置(100)。示例微电子装置(100)包含电介质层(130)，所述电介质层具有在衬底(102)上方第一高度(186)处的第一表面、在所述衬底(102)上方第二高度(188)处的第二表面，以及连接...
    2026-03-24
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511049841.6
    一种半导体器件，包括：支撑衬底；接合层，在支撑衬底上；第一前侧布线结构，在接合层上；第二前侧布线结构，在接合层上，其中，第二前侧布线结构在第一方向上与第一前侧布线结构间隔开；前侧布线图案，在第一前侧布线结构和第二前侧布线结构上，其中，前侧布...
    2026-03-24
  • 包括贯通电极的半导体芯片
    包括贯通电极的半导体芯片_爱思开海力士有限公司_202511876830.5
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘层上并且同时...
    2026-03-24
  • 包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装
    包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装_爱思开海力士有限公司_202511876821.6
    本公开涉及包括贯通电极的半导体芯片和半导体封装。半导体芯片可以包括：主体部分，主体部分具有前表面和后表面；一对贯通电极，该一对贯通电极穿透主体部分；绝缘层，绝缘层设置在主体部分的后表面和该一对贯通电极上；以及后连接电极，后连接电极设置在绝缘...
    2026-03-24
  • 一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质
    一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质_粤芯半导体技术股份有限公司_202610195369.5
    本申请提供了一种半导体通孔生成方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：在后段铝金属介质层上，依次生成图形转移牺牲层、旋涂型抗反射层以及光刻胶层；利用等离子体刻蚀工艺，对旋涂型抗反射层、图形转移牺牲层以及介质层上进...
    2026-03-24
  • 一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置
    一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置_上海新微技术研发中心有限公司_202511915306.4
    本发明提供了一种硅通孔的缺陷修复方法及缺陷修复装置，涉及硅通孔的缺陷修复技术领域。本发明先将硅基晶圆放置在载物台上，硅基晶圆具有至少一个目标硅通孔，目标硅通孔为未贯通的缺陷孔，然后获取目标硅通孔的位置信息，之后根据位置信息，控制加液机构移动...
    2026-03-24
  • 双层原位处理的介电膜
    双层原位处理的介电膜_德州仪器公司_202511189581.2
    本申请涉及双层原位处理的介电膜。本文中公开了一种半导体装置(100)。所述半导体装置包含：第一导电特征(116)，其安置在衬底(102)上方；及氮化硅碳(SiCN)层(130)，其安置在所述第一导电特征上方，其中所述SiCN层具有大于约30...
    2026-03-24
  • 制造半导体元件的方法
    制造半导体元件的方法_南亚科技股份有限公司_202411582360.7
    一种制造半导体元件的方法包括在第一温度下形成第一金属材料衬于沟槽。沟槽位于半导体基材中。方法还包括在第二温度下形成第二金属材料衬于第一金属材料。第二温度高于第一温度。方法还包括对第一金属材料与第二金属材料执行退火工艺。可以更有效地形成具有较...
    2026-03-24
  • 一种芯片-电容器集成组件及其制造方法
    一种芯片-电容器集成组件及其制造方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411288062.7
    本公开涉及一种芯片‑电容器集成组件及其制造方法，该方法包括：在第一刻蚀停止层表面进行第一CVD处理，形成IMD介电层；在IMD介电层表面进行光刻处理以形成芯片图案和电容器图案，得到第一产物；对第一产物进行干刻处理，以在IMD介电层和第一刻蚀...
    2026-03-24
  • 一种半导体衬底缺陷修复方法
    一种半导体衬底缺陷修复方法_北京燕东微电子科技有限公司_202511881951.9
    本发明公开了一种半导体衬底界面缺陷的修复方法及低缺陷密度外延层的制备方法。将半导体衬底置于反应腔中，依次进行富硅环境处理与富氧环境处理以修复衬底表面的晶格缺陷。其中，富硅环境处理是向反应腔内通入氢气和含硅源气体，在高温下利用硅原子迁移填补缺...
    2026-03-24
  • 一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用
    一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511840065.1
    本发明提供一种大尺寸半导体晶圆及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：选取若干个第一半导体晶片，并对第一半导体晶片进行修饰，得到第二半导体晶片；其中，第一半导体晶片的晶体取向误差小于设定误差值，第二半导体晶片的表面粗糙度小于设定粗糙度；...
    2026-03-24
  • 一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法
    一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法_拓维光电材料(滁州)有限公司_202511918594.9
    本发明公开一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法，属于OLED显示面板制造领域；方法包括：在基板的A、B两面涂布光刻胶，并使用具有双同心圆环图形的光罩，分别在A、B两面进行压膜、曝光、显影，在目标开口区域外围形成双环形金属区域；...
    2026-03-24
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202411355764.2
    本发明公开一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤。提供基底。通过光刻制作工艺在基底上形成图案化光致抗蚀剂层。图案化光致抗蚀剂层包括第一开口与第二开口。第一开口包括第一倾斜侧壁。使用图案化光致抗蚀剂层作为掩模，对基底进行蚀刻制作工艺，而在基底...
    2026-03-24
  • 一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统
    一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统_苏州中熙精密电机有限公司_202610188952.3
    本申请公开了一种基于机器视觉的晶圆半导体制造方法及系统，所述方法包括以下步骤：根据晶圆区域胶厚差异数据选择特定光照参数进行曝光，并对差异区域的显影结果对应胶体残留情况进行烘烤参数动态调整；对烘烤后的所述晶圆区域光刻胶图形进行分析后预测出刻蚀...
    2026-03-24
  • 表面检测设备及检测系统
    表面检测设备及检测系统_苏州赛腾精密电子股份有限公司_202610170019.3
    本发明公开了一种表面检测设备及检测系统，包括：夹持装置，包括夹持机构和驱动夹持机构升降的Z轴模组，夹持机构包括多个沿晶圆的周向等间隔分布的夹持单元；第一检测装置，位于夹持装置下方，其包括视觉机构和能够驱动视觉机构沿X轴方向移经夹持装置的第一...
    2026-03-24
  • 用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer
    用于wafer制备的方法、装置、设备和wafer_北京芯东来半导体科技有限公司_202610117788.7
    本申请提供一种用于wafer制备的方法，涉及半导体技术领域，方法包括：获取待评估平整度的wafer，将所述待评估平整度的wafer划分为多个测量场，对各测量场，以测量场中心为测量区域的中心，按预设区域划定方式划定测量区域，通过调焦调平分系统...
    2026-03-24
  • 一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构
    一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构_浙江创芯集成电路有限公司_202511931241.2
    本申请涉及芯片技术领域，公开了一种电学监测外延层厚度的方法及半导体测试结构，其中，所述方法包括：在衬底上的选定区域形成金属硅化物层；在形成有所述金属硅化物层的所述衬底上形成待测叠层，其中，所述待测叠层形成于所述金属硅化物层之上，且包括外延层...
    2026-03-24
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