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  • 本发明公开了一种键合头的SiC吸嘴自动更换系统及方法,属于半导体封装技术领域,系统包括吸嘴存储机构、键合头组件、第一驱动组件、检测组件和控制单元;吸嘴存储机构包括存储平台和若干存储单元;存储单元与存储平台之间设置有若干弹性支撑件;键合头组件...
  • 本发明公开了一种用于半导体湿法设备的喷嘴防结晶装置与方法,该装置在原有组件基础上还包括新增组件及控制组件,新增组件包括三通接头、高纯管路及节流阀;三通接头一端通过高纯管路接入工艺腔的机台氮气供应接口,另两端分别连接至背面氮气系统和氮气喷嘴,...
  • 本发明提供了一种晶圆装载型芯片载板挑片带翻转的高速分选机及工作方法,包括:ring环盒装卸载台;ring环载台;ring环夹取装置;料片顶升装置用于顶起料片;定位相机;第一中转飞梭和第二中转飞梭用于输送ring环;单吸嘴移载装置用于吸取料片...
  • 本发明公开了一种半导体芯片封装贴片机,本发明涉及芯片加工技术领域。该半导体芯片封装贴片机,包括L形机体、加工机构,L形机体的顶部固定安装有外壳,L形机体内侧面的底部安装有旋转供料机构,加工机构包括液压缸和控制器,控制器固定安装在外壳内腔的底...
  • 本发明涉及清洗设施领域,尤其涉及一种碳化硅清洗机,包括地座,所述地座的上端一侧固定安装有超声清洗机,所述超声清洗机的侧面弹性安装有顶架,所述顶架伸入超声清洗机的内部,所述超声清洗机的内部侧面滑动安装有提升架,所述提升架的端部固定安装有罩壳,...
  • 本发明公开了一种晶圆后处理装置、抛光设备和抛光方法,涉及半导体制造技术领域。该晶圆后处理装置包括:箱体;支撑组件,设置于箱体中,以竖向支撑并带动晶圆转动;清洗刷,水平设置于箱体并绕轴线转动,以刷洗晶圆的侧面;喷淋杆,设置于清洗刷上方,其朝向...
  • 本发明涉及超声键合技术领域,具体为一种键合系统的超声调整方法,包括以下步骤:采集电压与位移波形,分析功率趋势,若上升占比高且位移超限则屏蔽主窗,提取最大位移点频率划分备用窗,结合阻抗库生成备用配置,监测峰值时差波动与偏移量,调用配置并匹配位...
  • 本申请涉及半导体技术领域,具体公开一种应力消除设备、系统及方法。设备包括第一腔体和第二腔体,第一腔体与第二腔体合围形成一密闭腔室;第一腔体内可拆卸式连接有气囊,气囊连接压力调节组件和第一温度调节组件,在压力调节组件的增压作用下,气囊能够朝向...
  • 提供清洁片、带清洁功能的输送构件及清洁片的制造方法。提供清洁性、异物去除性能及输送性能优异的清洁片。本发明的实施方式的清洁片具备清洁层,该清洁层包含聚酰亚胺系树脂,且通过全反射X射线荧光分析法得到的向硅晶圆的转印金属量为1×1011atom...
  • 本发明提供一种基板处理装置,消除处理液在处理槽内流动的速度的偏差,进一步抑制基板面内的处理不均。基板处理装置(100)具备外侧气泡产生管(31、32)和内侧气泡产生管(33、34),外侧气泡产生管(31、32)和内侧气泡产生管(33、34)...
  • 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,即使上升流流量变多,也进一步抑制基板面内的处理不均。基板处理装置(100)具备控制部,其基于第二流量控制机构(7)所控制的处理液的流量来控制第一流量控制机构(6),使得向第一气体供给管(51、52...
  • 本发明提供一种接合系统,提供一种能够减小接合系统的占地面积的技术。本公开的一技术方案的接合系统具备:处理站,其对第1基板和第2基板进行给定的处理;以及送入送出站,其将第1基板、第2基板和重合基板相对于处理站送入送出,重合基板是将第1基板与第...
  • 本申请提供一种校准装置以及校准方法,所述校准装置包括:温度探测器,温度探测器用于获取探测光路对应的探测点的实时温度,探测点位于预先设置的半导体设备的腔室目标区域内;驱动件,驱动件与温度探测器连接,驱动件用于调整探测光路的光线传播方向;控制器...
  • 本发明提高使用冷冻清洗法的基板清洗方法的通过量。实施方式的基板清洗装置包括:旋转保持部,保持基板;液体供给部,向所述基板的第一面供给液体;第一冷却介质供给部,朝向所述基板的与所述第一面为相反侧的第二面供给第一冷却介质;第二冷却介质供给部,朝...
  • 本申请公开了用于清洁半导体晶圆的装置和方法。本公开描述了一种使用由冷却系统产生的清洁液的清洁系统。该清洁系统包括:冷却系统,被配置为产生清洁液;控制器,被配置为控制清洁液的温度;晶圆支架,被配置为保持并旋转晶圆;第一喷嘴,在晶圆上方并被配置...
  • 一种裸片倒装接合装置包括:基底保持器,被配置为:设置包括在第一方向上具有间隙的多个裸片堆叠件的基底,所述多个裸片堆叠件被引线接合;第一移动体,被配置为:移动到第一位置以拾取所述多个裸片堆叠件之中的第一裸片堆叠件的第一最上面的裸片,并且然后在...
  • 本发明提供一种半导体热处理设备及其校准方法,半导体热处理设备,包括:工艺腔室;基座,设置在工艺腔室内,基座顶部设置有工作台;竖直电磁驱动组件,环绕设置在工艺腔室的外周侧,以使基座悬浮;视觉摄像装置,设置在工作台的上方,视觉摄像装置与工作台之...
  • 本申请涉及半导体器件制造领域,具体为基板处理装置,包括承载平台,用于放置基板;腔室,用于容纳所述承载平台;进气单元,用于依据控制器的指令导入脱附气体至所述腔室内,所述脱附气体为氧气和/或臭氧;光照单元,设置在所述腔室内,包括UV灯管,所述U...
  • 本申请提供了一种晶圆支撑装置及半导体工艺设备,晶圆支撑装置用于在反应腔室中承载晶圆并带动所述晶圆升降,包括:托盘,用于承载晶圆;托盘承载台,用于承载托盘,且内部具有隔离内腔;冷却盘,设置在隔离内腔中;边缘支撑组件,围绕托盘设置,用于承载晶圆...
  • 本申请提供了一种加热机构的工艺参数获取装置和方法,装置包括测温机构和控制单元,测温机构用于保持在夹持机构上并置于液体喷头和加热机构之间,加热机构包括分布在不同半径上的流道空腔,测温机构内设有温度传感器;控制单元被配置成调节与该区域对应半径上...
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