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最新专利技术
  • 一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法
    一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511697289.1
    本发明涉及碳化硅器件技术领域，公开了一种通过蓝膜及激光技术制造碳化硅器件的方法，其包括以下步骤：在碳化硅衬底(1)上贴合一层蓝膜(2)；通过激光技术在蓝膜(2)上进行切割，使蓝膜(2)在碳化硅衬底(1)上形成目标图形；在步骤2)得到的碳化硅...
    2026-03-25
  • 耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置
    耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411289546.3
    本发明公开了一种耐腐蚀零部件、其制备方法及等离子体处理装置，所述制备方法包含：提供一透明钇基烧结体制成的零部件本体；在零部件本体的上表面进行表面导电化，形成一导电层；对表面导电化后的零部件本体打孔，形成贯穿零部件的孔道。本发明将透明钇基粉体...
    2026-03-25
  • 半导体器件及其制作方法
    半导体器件及其制作方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411288580.9
    本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上依次形成栅氧化层和掩膜材料层，并刻蚀所述掩膜材料层形成掩膜层，所述掩膜层位于预定形成栅极的区域；进行炉管退火工艺，使得位于所述掩膜层正下方的所述栅氧化层边缘的顶角向上...
    2026-03-25
  • 一种栅极侧墙及其制备方法和应用
    一种栅极侧墙及其制备方法和应用_成都新紫光半导体科技有限公司_202411280950.4
    本发明涉及一种栅极侧墙及其制备方法和应用，该方法包括：在具有栅极结构的半导体衬底上沉积第一氧化硅层；在所述第一氧化硅层上沉积氮化硅层；在所述氮化硅层上沉积第二氧化硅层；所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层通过TEOS工艺进行沉积，所述TEOS...
    2026-03-25
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_无锡华润微电子有限公司_202411266034.5
    一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，其中，第一金属层的表面具有台阶或空洞；在第一金属层的表面上形成牺牲层，以覆盖台阶或空洞；执行第一平坦化工艺，以停止于第一金属层的表面；去除第一金属层表面残留的牺牲层...
    2026-03-25
  • 一种气相生长方法
    一种气相生长方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202411291089.1
    本发明公开了一种气相生长方法，包括：其采用成膜装置进行，成膜装置上设有气体供给装置，气体供给装置包括依次环绕的第一至第三气体独立供给区；成膜装置内设有一基板，对基板加热。通过第一气体独立供给区朝基板通入含Si和C的第一源气体。通过第二气体独...
    2026-03-25
  • 一种基于辐照二维h-BN的新型外延结构及制备方法
    一种基于辐照二维h-BN的新型外延结构及制备方法_西安微电子技术研究所_202511809008.7
    本发明涉及半导体技术领域，具体为一种基于辐照二维h‑BN的新型外延结构及制备方法，该结构包括由下到上依次设置的自由衬底、缓冲层和GaN外延层，其中，缓冲层包括辐照二维h‑BN层、低温AlN层和高温AlN层，辐照二维h‑BN层由二维h‑BN/...
    2026-03-25
  • 一种碳化硅外延材料及其制备方法
    一种碳化硅外延材料及其制备方法_北京智慧能源研究院_202511692307.7
    本申请提供了一种碳化硅外延材料及其制备方法，属于碳化硅外延技术领域。所述碳化硅外延材料的制备方法，包括以下步骤：提供碳化硅衬底；在碳化硅衬底上制备n层缓冲层，其中，n≥2；在第n缓冲层上制备外延层；各层缓冲层的制备方法包括：表面进行原位刻蚀...
    2026-03-25
  • 用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件
    用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件_英飞凌科技股份有限公司_202511242811.7
    本发明涉及一种用于制造具有消除反射性芯片表面的半导体芯片的方法和具有这种半导体芯片的芯片尺寸封装件。该方法包含提供具有多个裸片的硅晶圆，其中，硅晶圆和在其中包含的裸片具有带有反射率R>50％的反射性硅表面。方法还包含加工反射性硅表面的步骤，...
    2026-03-25
  • 一种键合腔上盖压紧机构
    一种键合腔上盖压紧机构_三河建华高科有限责任公司_202511851347.1
    本发明公开了一种键合腔上盖压紧机构，涉及半导体晶圆键合设备领域，包括设置在设备安装部上表面边部的多个一号底座，一号底座顶端中部处转动安装有偏心轴体，偏心轴体外表面中间位置处设置有压紧钩，偏心轴体两侧边部均安装有偏心轴摇臂，一号底座两侧边部均...
    2026-03-25
  • 电容器、电路板组件、芯片及电子设备
    电容器、电路板组件、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411290326.2
    本申请实施例提供一种电容器、电路板组件、芯片及电子设备，涉及电容器技术领域。电容器包括衬底，衬底的表面具有阵列排布的多个元胞区域，每个元胞区域均包括至少三个沟槽阵列，每个沟槽阵列均包括并排排列的多个沟槽，任意两个沟槽阵列的多个沟槽的排列方向...
    2026-03-25
  • 用于视听双模态识别的光子忆阻器及制备方法、储池映射方法和应用
    用于视听双模态识别的光子忆阻器及制备方法、储池映射方法和应用_西安交通大学_202511956395.7
    本发明属于电仿生突触器件技术领域，具体涉及用于视听双模态识别的光子忆阻器及制备方法、储池映射方法和应用。忆阻器包括自下而上依次设置的底电极、空穴层、吸光层、钝化层和顶电极，空穴层为ZnO薄膜，吸光层为Cs2AgBiBr6薄膜，ZnO薄膜和C...
    2026-03-25
  • 一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用
    一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用_浙江大学_202511949582.2
    本发明公开了一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用，包括以下步骤：依次在衬底层上沉积底电极、氧化铪/氧化锆铁电薄膜、顶电极，随后进行高温退火结晶处理，然后利用光刻以及刻蚀技术，定义出所需要的一系列待激活功能区，对功能区的铁电薄膜进行...
    2026-03-25
  • 适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用
    适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用_天津理工大学_202511887887.5
    一种适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用，属于微电子存储技术领域。该器件为“衬底‑底电极‑忆阻层‑顶电极”层叠结构，核心忆阻层采用无铅钙钛矿CsBi3I10薄膜，而CsBi3I10与Ag顶电极界面处形成的A...
    2026-03-25
  • 一种具有双层微加热器的相变开关及其加工工艺
    一种具有双层微加热器的相变开关及其加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202511864639.9
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变开关难以实现高精度、高稳定性调控的问题，提供了一种具有双层微加热器的相变开关，包括顺次重叠的衬底层、底层微加热层、底层介质层、相变材料层、相变层薄膜电极、顶层介质层、顶层微加热层；底层微加热层与顶层微加...
    2026-03-25
  • 一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用
    一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用_华南理工大学_202511628223.7
    本发明公开了一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用。本发明的银插层氧化钨忆阻器的组成包括依次层叠设置的衬底、底电极层、第一氧化钨层、银层、第二氧化钨层和顶电极层。本发明的银插层氧化钨忆阻器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射法在衬底的单面...
    2026-03-25
  • 基板制备方法、装置及量子芯片
    基板制备方法、装置及量子芯片_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411207240.9
    本发明公开了一种基板制备方法、装置及量子芯片，属于量子芯片制备技术领域。该基板制备方法包括，获取具有TSV通孔的初始基板；根据TSV通孔在初始基板的第一位置信息，制备具有目标通孔的目标掩膜板；利用目标通孔仅暴露TSV通孔，向TSV通孔注入填...
    2026-03-25
  • 一种磁性多层膜及其制备方法和用途
    一种磁性多层膜及其制备方法和用途_中国科学院物理研究所_202610179586.5
    本发明涉及一种磁性多层膜及其制备方法和用途。该磁性多层膜包括：衬底；和依次层叠设置在所述衬底上的重金属层、铁磁层、稀土磁性合金层、稀土金属层、轻金属层和覆盖保护层；其中，所述重金属层配置为在电流作用下产生自旋流并以自旋轨道矩的形式作用于所述...
    2026-03-25
  • 一种巨磁阻磁传感器及其制备方法
    一种巨磁阻磁传感器及其制备方法_甘肃省科学院传感技术研究所_202511929457.5
    本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法，涉及磁传感器制备领域，所述巨磁阻磁传感器配置为柔性应力自适应磁传感器结构，该柔性应力自适应磁传感器结构包括自下而上依次设置的柔性基底、梯度缓冲层、自修复界面层、GMR功能层与柔性电极，柔性基底为聚...
    2026-03-25
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202511166583.X
    实施方案提供了一种包括具有有利特性的磁阻效应元素的磁存储装置。根据一个实施方案，磁存储装置包括：第一磁性层；第一含预定元素层，其包含O并包含选自Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Al、Si、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、H...
    2026-03-25
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