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最新专利技术
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202511166583.X
    实施方案提供了一种包括具有有利特性的磁阻效应元素的磁存储装置。根据一个实施方案，磁存储装置包括：第一磁性层；第一含预定元素层，其包含O并包含选自Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Al、Si、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、H...
    2026-03-25
  • 一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法
    一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法_合肥致真精密设备有限公司_202511909645.1
    本发明公开了一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法，属于薄膜沉积技术领域。本发明改变了传统的全膜层结构，不采用钉扎结构，制备8层膜结构的Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru磁隧道结。减少膜层数量，工艺时间缩短，能够做出...
    2026-03-25
  • 一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件
    一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件_深圳振华富电子有限公司_202511765842.0
    本申请提供了一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件，制造步骤包括：制备压电陶瓷浆料，流延成型得到生瓷带；在生瓷带上按设定图案打孔，打孔部分为电极预留区域；在打孔后的生瓷带上印填内电极，再将生瓷带逐层叠放；通过等静压工艺将层叠的生瓷带压制形...
    2026-03-25
  • 一种基于压电-热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法
    一种基于压电-热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法_中国电子科技集团公司第十研究所_202511737555.9
    本发明公开了一种基于压电‑热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，包括：从内到外设置有内部压电核心层、外壳热电层、电极与电路系统；内部压电核心层包括柔性压电材料和内部电极，用于感知压力并产生压电信号，同时将机械...
    2026-03-25
  • 提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法
    提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法_深圳北理莫斯科大学_202511929888.1
    本发明涉及电流变液封装系统技术领域，具体涉及提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法。本发明提供的柔性封装体，由两片PET/AL/PE结构的复合铝塑膜构成，四周贴有绝缘胶带热封成空腔，内灌巨电流变液；铝箔中间层兼作电极与阻水层，PET外层...
    2026-03-25
  • 压电传感器及其制备方法
    压电传感器及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202511959119.6
    本申请涉及一种压电传感器及其制备方法。该压电传感器的制备方法，包括：提供基底；在基底上形成底电极；在底电极上形成第一金属层；在第一金属层上形成压电层；在压电层上形成第二金属层；在第二金属层上形成顶电极，得到中间结构；将中间结构在混合气体中进...
    2026-03-25
  • 一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵
    一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵_常州元晶摩尔微电子有限公司_202511949878.4
    本发明提供了一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵，涉及微机电系统(MEMS)及流体控制技术领域，包括上板、中板及下板，所述中板的顶部与上板的底部基于Au‑Sn共晶键合部位相互键合连接，所述中板与所述下板通过采用PDMS预处理的共价键合方...
    2026-03-25
  • 一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺
    一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺_邦瓷电子科技(盐城)有限责任公司_202511905360.0
    本发明公开了一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺，载体的底部依次设有绝缘隔离片、第一金属导电层、压电陶瓷片和第二金属导电层，绝缘隔离片位于载体一侧，第一金属导电层和第二金属导电层各引出一根导线，该发明中，第一金属导电层和第二金属导电层...
    2026-03-25
  • 一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法
    一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法_空天信息大学(筹)_202511980740.0
    本发明涉及表面技术、先进制造技术领域，尤其涉及一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法。其方法包括如下步骤：采用真空冷喷涂将压电陶瓷粉末颗粒沉积在基体表面形成压电陶瓷厚膜前体；其中，在真空冷喷涂的过程中进行激光照射，激光照射的激光光路与...
    2026-03-25
  • 一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用
    一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用_苏州大学_202511875543.2
    本发明公开了一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用，属于柔性压电离子传感器领域，将多壁碳纳米管分散在NMP中形成悬浮液，真空抽滤干燥得到多壁碳纳米管薄膜；将BPNA粉末溶解在DMF/乙醇溶液中通过液液扩散法得BPNA晶体；将PE...
    2026-03-25
  • 一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法
    一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法_南京航空航天大学_202511578688.6
    本发明公开了一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法，通过调控石墨烯与TiSe2的层间扭转角(0°‑18°)优化电子‑声子耦合，结合卷积神经网络实现高精度温度检测(±0.1℃)与病理细胞分。该器件兼具高灵敏度、柔性及可集成性，适用于电...
    2026-03-25
  • 一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法
    一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法_太原科技大学_202511883510.2
    本发明公开了一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域，所述热电材料为Pb、Te固溶和卤素掺杂的N型立方相SnSe多晶，化学通式为Sn0.55Se0.55‑xPb0.45Te0.45Mx，其中M为Cl...
    2026-03-25
  • 一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法
    一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法_深圳盼月亮创新技术有限公司_202610082257.9
    本发明涉及热电制冷技术领域，具体涉及一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法，包括至少一个外部封装模组，其内部设有至少一个半导体制冷模组，至少一个温差发电模组，设置在所述外部封装模组的内部，一个电路适配模组，设置在所述外部封装模组的内...
    2026-03-25
  • 一种红外热电堆传感器及其制备方法
    一种红外热电堆传感器及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511972083.5
    一种红外热电堆传感器及其制备方法，红外热电堆传感器包括衬底，所述衬底内具有空腔；支撑介质层，位于所述衬底表面；热电堆复合层，位于所述支撑介质层表面，所述热电堆复合层包括热电偶层、第一金属部、第二金属部以及热电绝缘层；阻挡绝缘层，位于所述热电...
    2026-03-25
  • 一种低成本半导体制冷器的制造方法
    一种低成本半导体制冷器的制造方法_四川科尔威光电科技有限公司_202610187326.2
    本发明公开了一种低成本半导体制冷器的制造方法，属于半导体制冷器制造领域，包括以下步骤：S1, 陶瓷基板清洁并烘干以待图形化；S2, 将陶瓷基板装配形成图形转化装置，并将图形转化装置安装在镀锅上；S3, 将打底金属蒸镀到陶瓷基板上，在陶瓷基板...
    2026-03-25
  • 一种利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi2Te3薄膜的方法
    一种利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi2Te3薄膜的方法_哈尔滨工业大学_202511911949.1
    一种利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi2Te3薄膜的方法，本发明属于热电材料与薄膜改性研究领域。本发明要解决现有低维薄膜材料光热电性能低的问题。方法：一、纳米复合薄膜的制备；二、脉冲电场处理。本发明用于利用脉冲电场和纳米复合相结合改性Bi...
    2026-03-25
  • 一种基于N型Bi2SbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法
    一种基于N型Bi2SbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法_太原科技大学_202511883514.0
    本发明公开了一种基于N型Bi2SbSe3多晶的新型热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域，制备方法包括以下步骤：(1)对原料Bi单质、Sb单质、Se单质进行称量，确保Bi：Sb：Se的摩尔比为1 : 1 : 3，称量后将原料混合；(...
    2026-03-25
  • 一种金属硫族化合物柔性热电膜的制备方法及柔性热电膜
    一种金属硫族化合物柔性热电膜的制备方法及柔性热电膜_重庆大学_202411295231.X
    本发明涉及一种金属硫族化合物柔性热电膜的制备方法及柔性热电膜，其制备包括如下步骤：合成金属硫族化合物热电材料粉末；用砂纸打磨衬底材料，使其表面粗糙化；清洗并干燥衬底和网版；称量一定量的金属硫族化合物粉末在研钵中充分研磨，再加入松油醇和分散剂...
    2026-03-25
  • 一种纯碘宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种纯碘宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_南开大学_202511962376.5
    本发明公开了一种纯碘宽带隙钙钛矿薄膜及其制备方法和应用，属于钙钛矿技术领域。该方法将碘化铷引入Cs0.3DMA0.2MA0.3FA0.2PbI3钙钛矿，铷离子(Rb+)掺入钙钛矿晶格，有效缓解钙钛矿薄膜中的拉伸应力，减少碘空位缺陷，同时实现...
    2026-03-25
  • 一种钙钛矿活性层及其制备方法和应用
    一种钙钛矿活性层及其制备方法和应用_中国科学院化学研究所_202511684827.3
    本发明公开了一种钙钛矿活性层及其制备方法和应用，所述钙钛矿活性层具有A位点空位，所述A位点空位内嵌入二正丙胺盐酸盐。本发明的钙钛矿活性层中，所述A位点空位内嵌入二正丙胺盐酸盐，一方面可以有效填补钙钛矿活性层中A位点空位，提高钙钛矿活性层的结...
    2026-03-25
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