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三维集成结构及其制备方法
本申请涉及一种三维集成结构及其制备方法。该三维集成结构包括中介层、导电填充层、至少四个芯片、缓冲隔离层、第一重布线层、第二重布线层、至少两个正面深槽、至少两个反面深槽与至少两个通孔,中介层为玻璃,反面深槽与正面深槽位置一一对应,位置相对的正...
三维集成结构及其制备方法
本申请涉及一种三维集成结构及其制备方法。该三维集成结构包括中介层、绝缘层、导电填充层、至少四个芯片、缓冲隔离层、第一重布线层、第二重布线层、至少两个正面深槽、至少两个反面深槽以及至少两个通孔,反面深槽与正面深槽位置一一对应,位置相对的正面深...
多视觉键合对准方法、系统、计算机设备及介质
本发明涉及一种多视觉键合对准方法、系统、计算机设备及介质,涉及半导体制造技术领域。方法包括:确定第一载台的基准位置及其上标记图像区域的第三标记图形的图像,然后控制第一载台移动,确定第二载台的位置,使得两载台上对应的晶圆片位置对准,并透过第二...
一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统
本发明公开的一种用于芯片三维封装的等离子体激活键合方法与系统,包括芯片预处理、等离子体多阶段激活、精准键合及键合后处理;先通过多步清洗去除芯片键合面杂质,再依次经惰性气体等离子体刻蚀激活和反应性气体等离子体改性激活,随后在可控环境下精准键合...
金刚石晶圆键合设备及键合方法
本申请实施例提供一种金刚石晶圆键合设备及键合方法,在该金刚石晶圆键合设备的壳体容置腔内设置有键合装置、清洁装置以及沉积装置,其中,键合装置用于键合第一金刚石晶圆以及第二金刚石晶圆,清洁装置通过目标粒子轰击第一金刚石晶圆以及第二金刚石晶圆,以...
BGA器件金属盖板一体化拆取封装装置
本发明涉及半导体领域,具体公开了BGA器件金属盖板一体化拆取封装装置,包括装置主体,其特征在于,所述装置主体上集成设有防静电模块、精准预加热模块、柔性砂线去胶模块及器件定位模块;所述防静电模块包括设于装置主体表面的防静电手腕接口,以及环绕器...
一种榫卯力学特性启发的可重构多形态集成架构及自适应兼容转接方法
本发明公开了一种榫卯力学特性启发的可重构多形态集成架构及自适应兼容转接方法,属于半导体集成电路技术领域。针对半导体集成领域EUV工艺依赖、异质集成应力‑损耗矛盾、架构固化等技术瓶颈,本发明将古建筑榫卯“凹凸嵌合定位+力分散缓冲”力学原理微尺...
一种电子元器件封装检测一体机
本发明涉及半导体生产设备技术领域,具体的说是一种电子元器件封装检测一体机,包括编带机体、扩张结构、抵挡结构、驱动结构、检测结构、收集结构、第一输送装置、三维调节装置、第二输送装置、放卷辊和取放装置;抵挡结构的设置便于快速将卷收筒固定在放卷辊...
一种TMV嵌埋封装叠构及其制造方法
本发明公开了一种TMV嵌埋封装叠构及其制造方法,属于半导体封装技术领域。所述方法包括:在基板上形成铜柱并贴装芯片;进行塑封及研磨以暴露铜柱;形成第一次布线层;在塑封体中制作TMV并对其进行电镀;随后进行铜柱电镀、形成重布线层与阻焊层,最终植...
半导体封装件
一种半导体封装件,包括:半导体芯片;第一接合层,其包括沿着垂直方向顺序地堆叠在半导体芯片上的第一内接合层和第一外接合层;位于衬底的接合区域上并被容纳在第一内接合层中的第一内接合焊盘以及位于衬底的对准键区域上并被容纳在第一内接合层中的第一内对...
定位微电子装置的接合垫的技术及相关微电子装置、方法和系统
本申请涉及定位微电子装置的接合垫的技术及相关微电子装置、方法和系统。微电子装置可包含接近于所述微电子装置的第一侧定位且沿着所述第一侧分布的第一接合垫。其它接合垫可接近于所述微电子装置的垂直于所述第一侧的另一侧定位且沿着所述另一侧分布。所述第...
一种射频模组、通信设备及其制备方法
本申请涉及射频通信技术领域,公开了一种射频模组、通信设备及其制备方法,该射频模组包括:射频芯片,射频芯片的第一表面上设有第一器件;射频基板,射频基板的第二表面上设有第二器件;第一表面与第二表面相对设置,第一器件与射频基板键合连接,第一器件和...
一种三维系统芯片的制造方法
本发明公开了一种三维系统芯片的制造方法,包括:提供第一晶圆,第一晶圆内包括第一芯粒;提供第二芯粒;制作互连转接线,所述互连转接线将同一个第一芯粒内的电极和/或不同第一芯粒之间的电极进行互连;在第一晶圆和第二芯粒上形成键合层,键合层暴露电极或...
半导体封装的制备方法和半导体装置
本发明公开了一种半导体封装的制备方法和半导体装置,半导体封装的制备方法包括提供载板,所述载板上包括金属焊接区和非金属阻焊区,水溶膜预涂敷在所述非金属阻焊区内;在所述载板上印刷胶体;在所述载板上贴装器件;使用还原气体进行回流焊将器件焊接在载板...
一种可减少空洞的IGBT模块的生产方法、生产设备及IGBT模块
本发明提供了一种可减少空洞的IGBT模块的生产方法,所述IGBT模块包括铜底板和两个DBC板,所述DBC板为长方体,所述铜底板的沿长度方向的两端向上翘起,两个所述DBC板通过焊锡焊在铜底板的在长度方向的中间位置的两侧,在所述铜底板上对应DB...
一种强化界面结合强度的多芯片超细镀钯铜线键合工艺
本发明公开了应用于半导体封装技术领域的一种强化界面结合强度的多芯片超细镀钯铜线键合工艺,本发明通过在进行第二焊点的操作时,预先超声波加热镀钯铜线,然后再进行端头本体的伸出操作,伸出的端头本体推动熔融的镀钯铜线下降与第二键合位置结合,由于端头...
芯片与引线框架的粘接方法
本发明公开的芯片与引线框架的粘接方法,包括:在芯片的粘接面上进行离子刻蚀以形成第一粗糙区域;在引线框架的粘接面上进行湿法刻蚀以形成第二粗糙区域;以及将所述第一粗糙区域和所述第二粗糙区域面对面粘接;其中,所述离子刻蚀包括在将芯片置于具有预定压...
一种集成式电源模块及其制造方法
本发明公开了一种集成式电源模块及其制造方法,以克服现有技术中高压电源模块体积大、可靠性差及性能受限的不足。所述模块通过基板内部容纳腔实现电路系统三维集成,利用绝缘封装材料进行内部封装,结合固定壳体连接的集成引线组件,有效压缩模块体积,增强绝...
芯片封装结构及封装方法
本发明揭示了一种芯片封装结构及封装方法,芯片封装结构包括基板,具有第一表面;至少一个第一芯片,设置于所述第一表面且和所述基板电连接;第二芯片,设置于所述第一芯片背离所述基板的一侧,所述第二芯片和所述基板电连接;支撑结构,设置于至少一个所述第...
微波电路、封装、谐振抑制芯片制备方法、设备及介质
本发明涉及微波电路谐振抑制技术领域,尤其涉及一种微波电路、封装、谐振抑制芯片制备方法、设备及介质,本发明提供的抗腔体谐振的微波电路,包括:微波芯片、谐振抑制芯片以及多个第一键合装置;微波芯片的第一面以及所述谐振抑制芯片的第二面分别设有多个第...
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