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最新专利技术
  • 一种半导体器件制造方法及半导体器件
    一种半导体器件制造方法及半导体器件_江西桔晶微半导体有限公司_202511801518.X
    本发明公开了一种半导体器件制造方法及半导体器件，方法具体包括：将发光芯片和驱动IC布置于载板上；在发光芯片和驱动IC远离载板的一面制作封装材料薄膜胶，以使得发光芯片和驱动IC在远离载板的一面在高度上齐平；将发光芯片和驱动IC从载板上剥离下来...
    2026-03-18
  • 显示模组及其制作方法
    显示模组及其制作方法_深圳市艾比森光电股份有限公司_202511664914.2
    本发明提供了一种显示模组及其制作方法，显示模组的制作方法包括以下步骤：提供基板，所述基板具有第一表面；固晶，将芯片固定在所述基板的第一表面上；上墨，将油墨喷涂在所述第一表面及位于所述第一表面上的芯片表面，以在所述芯片的表面及所述第一表面上形...
    2026-03-18
  • 封装LED显示模块的方法和使用LED显示模块组装的LED显示器
    封装LED显示模块的方法和使用LED显示模块组装的LED显示器_欧富莱斯有限公司_202511190775.4
    本公开涉及封装LED显示模块的方法和使用LED显示模块组装的LED显示器。本发明的一个方面提供了一种封装LED显示模块的方法，其中所述方法包括：将基板放置在腔室中并形成真空，所述基板上安装有多个LED；分配保护材料，使得所述保护材料嵌入并围...
    2026-03-18
  • 一种基于固液结合的密闭结构的紫外封装装置
    一种基于固液结合的密闭结构的紫外封装装置_北京泊菲莱科技有限公司_202311010939.1
    本发明公开了一种基于固液结合的密闭结构的紫外封装装置，包括基板，所述基板的上端有紫外LED芯片，所述基板的最上端通过密封件密封连接有固体透明罩；本发明通过透明液体层的加入，实现了紫外LED芯片与固体透明罩的紧密结合，避免了通常空气层插入带来...
    2026-03-18
  • LED灯珠及显示模组
    LED灯珠及显示模组_深圳视爵光旭电子有限公司_202512030255.3
    本发明公开了一种LED灯珠及显示模组，属于LED显示技术领域。该LED灯珠包括灯珠外壳和底座，其改进在于，所述底座的底面设置有注胶槽，所述注胶槽包括若干个沿底座周向分布的注胶边槽。当灯珠焊接于电路板并进行灌胶后，灌封胶填充并固化于所述注胶槽...
    2026-03-18
  • 发光二极管
    发光二极管_台亚半导体股份有限公司_202411806113.0
    本发明提供一种发光二极管，所述发光二极管包括基板、半导体发光结构、P型电极和N型电极。半导体发光结构包括P型半导体层、发光层和N型半导体层，P型半导体层位于基板上，发光层位于P型半导体层上，且N型半导体层位于发光层上；其中P型半导体层包括彼...
    2026-03-18
  • 绝缘层上锗锡纳米线红外发光器件及其制备方法
    绝缘层上锗锡纳米线红外发光器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511739349.1
    本发明提供了一种绝缘层上锗锡纳米线红外发光器件及其制备方法，涉及硅基光电子领域。该器件包括：硅衬底；第一绝缘层，设置于硅衬底之上；锗锡纳米线层，设置于第一绝缘层之上，锗锡纳米线层包含通过窗口区且与硅衬底接触的籽晶区、从籽晶区延伸出的主条，以...
    2026-03-18
  • 一种具有低界面态密度的六边形micro-LED芯片及制备方法
    一种具有低界面态密度的六边形micro-LED芯片及制备方法_南京大学_202511856017.1
    本发明公开了一种具有低界面态密度的六边形micro‑LED芯片，其结构自下而上依次包括：衬底层、缓冲层、n‑GaN层、量子阱发光层和p‑GaN层，所述芯片的台面形状为临边夹角为60度的六边形。还公开了其制备方法。本发明提出了一种按GaN晶格...
    2026-03-18
  • 发光二极管
    发光二极管_厦门三安光电有限公司_202511662961.3
    本申请公开的发光二极管包括：半导体叠层，所述半导体叠层包括第一半导体层、第二半导体层、以及在所述第一半导体层和所述第二半导体层之间设置的有源层；绝缘层，形成在所述透明导电层上，所述绝缘层具有一系列开口；第二电极，形成于所述绝缘层之上，并与所...
    2026-03-18
  • 垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法
    垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法_武汉市精微科技有限公司_202511730606.5
    本申请提供了一种垂直结构Micro‑LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该垂直结构Micro‑LED芯片包括导电衬底、金属键合层、外延结构、量子点结构和钝化层，导电衬底、金属键合层和外延结构依次层叠，外延结构包括沿远离金属键...
    2026-03-18
  • 一种垂直型深紫外LED外延结构及其外延生长方法
    一种垂直型深紫外LED外延结构及其外延生长方法_武汉优炜芯科技有限公司_202511602585.9
    本发明提供了一种垂直型深紫外LED外延结构及其制备方法，包括自下而上依次层叠设置的衬底、本征层、牺牲层、第一电子注入层、刻蚀阻挡层、第二电子注入层、量子阱有源层、电子阻挡层和空穴注入层；其中，刻蚀阻挡层为n型掺杂的AlGaN材料或n型掺杂的...
    2026-03-18
  • 发光二极管芯片及制备方法
    发光二极管芯片及制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511523509.9
    本公开提供了一种发光二极管芯片及制备方法，所述发光二极管芯片包括N型层、多量子阱层、插入层、电子阻挡层以及P型层；其中，所述插入层包括依次层叠的多个周期结构，每个周期结构包括AlN子层和MgN子层。本公开可以提高发光二极管芯片的发光效率，从...
    2026-03-18
  • 一种提升发光效率的LED制备方法
    一种提升发光效率的LED制备方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511975262.4
    本发明适用于半导体技术领域，提供了一种提升发光效率的LED制备方法，依次包括蓝宝石衬底脱附处理、缓冲层生长、非掺杂GaN层生长、掺杂Si的N型GaN层生长、C掺杂GaN层生长、孔状图形制作、Fe和C共掺杂GaN层生长、多量子阱发光层生长、掺...
    2026-03-18
  • 一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法
    一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法_江西创炬电子科技有限公司_202511855530.9
    本发明涉及印刷电路板制造技术领域，尤其涉及一种应用于LED器件的铝基板集成制造方法，包括：步骤1：铝基板预处理步骤；步骤2：绝缘层形成步骤；步骤3：电路层形成步骤；步骤4：LED器件集成步骤；步骤5：后处理步骤，进行热老化处理，热老化温度和...
    2026-03-18
  • 基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统
    基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统_江苏欧密格光电科技股份有限公司_202511846254.X
    本发明公开了一种基于动态热特征分析的LED倒装芯片封装测试分选系统，其特征在于，包括：传送机构，用于承载并传送LED器件；测试工位，设置在所述传送机构的路径上，包括测试探针、光学测试模块以及红外热像模块；控制与分选系统，分别与所述测试探针、...
    2026-03-18
  • 一种提高LED外延质量的衬底处理方法
    一种提高LED外延质量的衬底处理方法_山东省工业技术研究院_202511731987.9
    本发明属于光电技术领域，提供一种提高LED外延质量的衬底处理方法。通过优化PVD(物理气相沉积)工艺进程，在蓝宝石表面进行多层次外延，形成Al2NO/AlN/AlGaN复合结构，进一步提高PVD层缓冲作用，从而降低缺陷密度，实现外延层质量的...
    2026-03-18
  • 发光二极管及其制造方法
    发光二极管及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411725352.3
    本发明提供一种发光二极管及其制造方法，发光二极管包含一基板、一反射镜层、一外延复合层及多个导电栓。其中反射镜层设置于基板上，外延复合层具有一四元化合物半导体层，四元化合物半导体层直接接触并电性连接反射镜层，且四元化合物半导体层与反射镜层间无...
    2026-03-18
  • 太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610155756.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、叠层电池、光伏组件，其中，该太阳能电池包括：硅基底，硅基底包括第一表面，在第一表面，沿第一方向间隔排布多个沟槽，沟槽沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相互交叉；多个微结构，位于沟槽的...
    2026-03-18
  • 背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511948273.3
    本发明公开了一种背接触太阳能电池、光伏组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。背接触太阳能电池包括设于硅基底背光面的第一区域、第二区域和隔离区，第一区域和第二区域上分别覆盖有第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层与硅基底的导电类型相反；第一区域...
    2026-03-18
  • 一种锗硅光电探测器
    一种锗硅光电探测器_重庆大学_202511855686.7
    本发明涉及光电子半导体器件，尤其涉及一种锗硅光电探测器，包括硅基底；设于硅基底上的二氧化硅层；设于二氧化硅层上的硅波导；设于波导上的锗吸收层；设于锗吸收层上的氮化钛TiN加热电阻以及电极系统。通过局部温控提升锗材料在工作波长处的光吸收系数；...
    2026-03-18
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