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最新专利技术
  • 半导体基体、半导体器件及其制备方法
    半导体基体、半导体器件及其制备方法_比亚迪股份有限公司_202511588473.2
    本申请提供一种半导体基体、半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体基体包括衬底和掩膜，衬底具有多个元胞区域；掩膜覆盖衬底，掩膜开设有多个注入窗口，注入窗口与元胞区域对应；注入窗口的开口面积与对应的元胞区域面积之比为开口面积占比，...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_碇基半导体股份有限公司_202510409719.9
    一种半导体装置包含主动层、源极电极、漏极电极、栅极电极以及多个第一P型氮化镓岛状物。主动层包含主动区。源极电极、漏极电极以及栅极电极设置于主动层的主动区上且延伸于第一方向。第一P型氮化镓岛状物设置在主动区上、漏极电极下方。漏极电极在主动区上...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411722812.7
    本发明的实施方式涉及半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有单元区域和包围单元区域的末端区域；第一绝缘膜，设置在半导体层上；以及半绝缘膜，设置在第一绝缘膜上。半导体层包含：第一导电型的第一半导体部，设置在单元区域及末端区域；以...
    2026-03-19
  • 一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管
    一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管_上海阿珀特信息科技有限公司_202511851871.9
    本发明公开了一种基于沟道边缘电场增强的薄膜晶体管，旨在解决TFT在有限面积内驱动电流不足的问题。通过将晶体管的半导体沟道构图为一种预设的二维微结构，如分形、多孔或锯齿结构，使沟道的总边缘长度(P)与宏观宽度(W)之比(P/W)远大于常规设计...
    2026-03-19
  • 薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置
    薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置_乐金显示有限公司_202511046430.1
    本发明涉及薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法和包括该薄膜晶体管的显示装置。本发明的另一实施例寻求提供一种薄膜晶体管，其包括：有源层；以及与有源层重叠的栅电极，其中有源层包括：沟道部分；设置在沟道部分的一侧的第一导电部分；以及设置在沟道部分的另...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件结构及其制备方法
    一种半导体器件结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511871363.7
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，通过分两步外延生长的方式，在衬底一侧先形成第一外延层，以在厚度相对较薄、初始为N型的第一外延层中形成P型柱区，使得第一外延层背离衬底一侧的至少部分形成电场调制区，电场调制区...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810998.6
    本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：基底，包括衬底和外延层，外延层位于衬底的一侧；多个源区结构位于外延层中，源区结构背离衬底的一侧表面位于外延层背离衬底的一侧表面中；栅极结构，位于外延层中，源区结构位于栅极结构在第一方向...
    2026-03-19
  • MOS器件和MOS器件的制备方法
    MOS器件和MOS器件的制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511810815.0
    本申请提供了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，MOS器件包括衬底、外延层、JFET区、栅极结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；JFET区位于外延层内；栅极结构位于JFET区远离衬底的一侧，栅极结构在衬底上的正投影和JFET...
    2026-03-19
  • 屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法
    屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法_无锡锡产微芯半导体有限公司_202511809125.3
    本发明涉及一种功率半导体器件及其制备方法，尤其是一种屏蔽栅功率半导体器件及其制备方法。按照本发明提供的技术方案，一种屏蔽栅功率半导体器件，所述功率半导体器件包括：半导体基板；有源区，分布于半导体基板的中心区，包括若干并列分布的SGT元胞，且...
    2026-03-19
  • 功率半导体器件
    功率半导体器件_北京燕东微电子科技有限公司_202511725318.0
    本申请涉及功率半导体技术领域，具体提供一种功率半导体器件，旨在解决如何有效提高功率半导体器件的动态性能的问题。为此目的，本申请的功率半导体器件包括：具有与阱区相同导电类型的掺杂区，该掺杂区设置在外延层内且至少包围沟槽栅结构一侧的侧壁，且掺杂...
    2026-03-19
  • 一种常关型宽禁带半导体器件
    一种常关型宽禁带半导体器件_广州华瑞升阳投资有限公司_202510635753.8
    本发明提供一种常关型宽禁带半导体器件，包括：n型半导体层，材料禁带宽度＞2.0eV；沟槽栅极结构，包括从n型半导体层第1主面向内延伸的栅极沟槽、经栅介质层埋入栅极沟槽中的栅电极，栅电极包括p型导电或金属电极材料；源极沟槽，从n型半导体层第1...
    2026-03-19
  • 半导体器件及制造方法
    半导体器件及制造方法_半导体元件工业有限责任公司_202510050708.6
    本公开提供了半导体器件及形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一边缘区域处的第一终止沟槽和在第二边缘区域处的第二终止沟槽。第一有源沟槽从该第一终止沟槽朝向该第二终止沟槽延伸并且终止于第一尖端区域，该第一尖端区域通过终止台面区域与该第二...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411797771.8
    实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体部、多个场板电极及栅极电极，半导体部具有：第一电极上的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设于第一半导体层上；以及第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层，与第二电极相接，第...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411616060.6
    半导体装置包含第一电极、第二电极、半导体部件、第三电极及第一绝缘部件。半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域及第二导电型的第五半导体区域。第一部分区域在从...
    2026-03-19
  • 半导体装置以及制造方法
    半导体装置以及制造方法_株式会社东芝_202411607240.8
    本发明的实施方式提供通过栅极电极的形状控制防止耐压降低的半导体装置以及制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、及设于第一电极与第二电极之间且与第一电极电连接的第一导电型的第一半导体层。在其之上具有第二导电型的第二半导体层，在第...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411607239.5
    半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；第二电极，与第一电极沿第一方向分离；多个控制电极，设于第一与第二电极之间，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；半导体层，设于第一与第二电极之间，具有与第一电极欧姆接触的第一半导体区域；多个绝缘部...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511716564.X
    本发明提供一种半导体器件，包括：基底；位于所述基底中的掺杂区；埋入式结构，从所述基底的上表面向下延伸，至少包括一接触金属，其中，所述接触金属与所述掺杂区接触，所述接触金属被配置为所述半导体器件的电极端。所述掺杂区被配置为所述半导体器件的漏极...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411735033.0
    实施方式的半导体装置具备碳化硅层、第一电极、多个第二电极、第三电极、导电层、第一导通部件、第二导通部件以及凹部。第一电极设置于碳化硅层的第一主面，多个第二电极设置于碳化硅层的第二主面。第三电极隔着第一绝缘区域与碳化硅层的第二碳化硅区域相对。...
    2026-03-19
  • 包括鳍形图案的半导体装置
    包括鳍形图案的半导体装置_三星电子株式会社_202510738489.0
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一有源图案，在基底上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基底上在第一方向上延伸，第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上与第一有源图案间隔开；多个纳米片，在第一有源图案上在与第一方向和第二方向...
    2026-03-19
  • 一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件
    一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件_无锡美偌科微电子有限公司_202511907315.9
    本发明公开了一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件，涉及功率半导体器件领域，包括有源区以及环绕包围所述有源区的终端区；有源区内包括沿第一方向平行交替设置的多个长元胞沟槽及短元胞沟槽；终端区内包括N个环绕包围有源区的终端沟槽，终端沟槽包括两个与第...
    2026-03-19
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