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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_株式会社东芝_202411735009.7
    本发明涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法中，准备具备第一主面及第二主面的半导体层，该半导体层包含第一导电型的第一半导体区域、位于第一半导体区域之上的第二导电型的第二半导体区域、以隔着绝缘区域与第二半导体区域相对的方式设置的控制...
    2026-03-19
  • 功率器件及其制造方法
    功率器件及其制造方法_上海鼎阳通半导体科技有限公司_202511856357.4
    本发明公开了一种功率器件，包括：层间膜。半导体衬底分成有源区和终端区。在有源区中形成形成有器件单元结构；在终端区形成有环绕在有源区周侧的场氧化层。在有源区中，层间膜覆盖在形成有器件单元结构的半导体衬底的顶部表面之上并形成有穿过层间膜的第一接...
    2026-03-19
  • 绝缘栅双极型晶体管器件
    绝缘栅双极型晶体管器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511758456.9
    本申请提供了一种绝缘栅双极型晶体管器件，包括：半导体基底，包括用于形成IGBT器件的器件区域；多个栅极结构，栅极结构位于器件区域的第一表面一侧；其中，每个栅极结构包括栅极焊盘和栅极配线图案，栅极配线图案与对应的栅极焊盘电连接，且每个栅极结构...
    2026-03-19
  • 隧穿场效应晶体管及其制造方法
    隧穿场效应晶体管及其制造方法_中国科学院微电子研究所_202511558311.4
    本公开提供了一种隧穿面积可调可控的隧穿场效应晶体管及其制造方法，该隧穿场效应晶体管包括衬底上的垂直堆叠的源层、漏层、外延生长的垂直沟道部和由沟道沿源极扩展的栅堆叠。源层具有底部以及从底部沿竖直方向凸起的凸台；漏层设置在源层上方；外延的沟道部...
    2026-03-19
  • 半导体器件和半导体器件的制造方法
    半导体器件和半导体器件的制造方法_瑞萨电子株式会社_202511139717.9
    本公开的各实施例涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。一种半导体器件包括具有上表面和下表面的半导体衬底、包含半导体元件的元件区域和在平面视图中包围元件区域的外围区域。外围区域中的半导体衬底包括N型漂移层、相对于N型漂移层被设置在上表面侧上的...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511057422.7
    本公开的目的在于提供抑制误开通的产生的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；第1主电极，以与第4半导体层接触的方式设置于半导体基板的第1主面侧；第2主电极，设置于半导体基板的与第1主面对置的第2主面侧；第1沟槽，以贯通第4半导体层...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511057085.1
    本公开的目的在于提供半导体装置，噪声低且开关损失低，能够抑制发射极－集电极间饱和电压VCE(sat)的增加。本公开的半导体装置具备：双层有源虚设沟槽，具有第1上层电极以及第1下层电极；和双层有源沟槽，具有第2上层电极以及第2下层电极，第1上...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511008937.8
    本公开的目的在于提供能够降低由动态雪崩导致的绝缘膜的劣化的半导体装置。本公开的半导体装置是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，具备：半导体基板；两级有源沟槽，其在设置于半导体基板的表面侧的沟槽的内...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510986111.2
    实施方式提供一种能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第四电极、第一、第二端子、半导体部件以及第一绝缘部件。半导体部件的至少一部分位于第一电极与第二电极之间。半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411784551.1
    本发明涉及半导体装置。半导体装置具备半导体层、第一电极、第二电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第三电极、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、以及第二导电型的第五半导体区域。第一电极及第二电极分...
    2026-03-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202411263002.X
    本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面依次形成有第一介质层和第二介质层以及位于所述第一介质层和第二介质层中的集电极；所述集电极和第二介质层表面依次形成有第三介质层、多晶硅层和第四介质层以及贯穿所...
    2026-03-19
  • 一种肖特基结加工方法、系统及肖特基结
    一种肖特基结加工方法、系统及肖特基结_西北工业大学_202511790876.5
    本发明提供了一种肖特基结加工方法、系统及肖特基结，将激光加工、酸溶液清洗和电化学沉积进行结合，形成了一种协同工艺，解决了传统肖特基结制备中真空环境依赖和图形化自由度受限的核心问题，通过激光在半导体表面直写出需求的微纳结构，避免了光刻掩模带来...
    2026-03-19
  • 一种Al/Cu2O/SnO2/Al含能PN结二极管的制备方法
    一种Al/Cu2O/SnO2/Al含能PN结二极管的制备方法_南京理工大学_202511771768.3
    本发明属于自毁芯片领域，具体涉及一种Al/Cu2O/SnO2/Al含能PN结二极管的制备方法。由下至上包括金属材料Al、半导体材料SnO2、半导体材料Cu2O和金属材料Al。半导体材料Cu2O和金属材料Al组成的铝热剂体系为含能区，半导体材...
    2026-03-19
  • 一种基于镍热氧化磁控溅射生长氧化镍的高耐压氧化镓异质结二极管及其制备方法
    一种基于镍热氧化磁控溅射生长氧化镍的高耐压氧化镓异质结二极管及其制备方法_复旦大学_202511609343.2
    本发明公开了一种基于镍热氧化磁控溅射生长氧化镍的高耐压氧化镓异质结二极管及其制备方法；本发明的氧化镓异质结二极管可应用于高耐压低导通损耗情景中，其制备方法包括：清洗氧化镓单晶衬底；在清洗干净的氧化镓单晶衬底的背面形成背部金属电极层；在氮气氛...
    2026-03-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_瑞萨电子株式会社_202511101551.1
    本公开涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成绝缘膜；选择性地去除绝缘膜；通过留下半导体衬底的表面的损伤层，在半导体衬底上形成金属膜，损伤层在绝缘膜被选择性地去除时被生成；通过选择性地去除金...
    2026-03-19
  • 一种超高压快恢复二极管及其制备方法
    一种超高压快恢复二极管及其制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511853671.7
    本发明涉及一种超高压快恢复二极管及其制备方法，所述方法包括步骤：选取N‑漂移层，在N‑漂移层的正面生长氧化层；在N‑漂移层的正面制备P型阳极层；在N‑漂移层的背面制备N型缓冲层；在N型缓冲层的背面制备多个沿横向间隔排列的P+区；在N型缓冲层...
    2026-03-19
  • 具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法
    具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法_泉镓科技(福州)有限公司_202511765569.1
    本发明涉及一种具有结终端扩展和沟槽复合终端结构的氧化镓功率二极管及其制备方法，该氧化镓功率二极管包括自下而上依次层叠设置的阴极金属层、高掺杂n型半导体衬底、低掺杂n型氧化镓外延层、p型半导体层、阳极金属层和钝化层；其中，低掺杂n型氧化镓外延...
    2026-03-19
  • 高压电容隔离器及其制造方法
    高压电容隔离器及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202610156455.5
    本发明公开了一种高压电容隔离器及其制造方法，属于微电子器件技术领域，该高压电容隔离器的制造方法，包括在基底表面生长下极板，在下极板的顶部沉积第一介质层；在第一介质层上沉积第二金属层，刻蚀第二金属层形成浮动导体环；在浮动导体环上依次沉积第二介...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511868002.7
    本申请提供一种半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有具有露出衬底的部分表面的开口的掩膜层；以掩膜层为掩膜，刻蚀形成具有平坦侧壁的第一子沟槽，对衬底执行沟槽形成工艺，以形成沟槽，沟槽具有凹凸起伏的侧壁，第一子沟槽构成沟...
    2026-03-19
  • 在包括半金属衬垫的衬底上形成半导体堆叠的方法
    在包括半金属衬垫的衬底上形成半导体堆叠的方法_ASMIP私人控股有限公司_202511206310.3
    描述了半金属衬垫和金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器(MIMCAP)以及制造或制作方法。MIM电容器结构包括由半金属的薄层或膜形成的衬垫，其为几纳米厚，例如厚度在约0.5nm至约5nm或更大的范围内。半金属衬垫夹在电极层和介电层(例如高或超...
    2026-03-19
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