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最新专利技术
  • 存储器系统及其操作方法、存储介质
    存储器系统及其操作方法、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411262772.2
    本申请实施例提供一种存储器系统及其操作方法、存储介质。其中，存储器系统包括：存储器装置；存储器控制器，与所述存储器装置耦接且被配置为：响应于第一编程操作过程中的掉电，将所述第一编程操作对应的待写入数据进行编码处理，得到编码数据；将所述编码数...
    2026-05-11
  • 存储器操作方法、存储器及存储系统
    存储器操作方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411217979.8
    本公开提供一种存储器操作方法、存储器及存储系统，涉及存储器技术领域。该方法包括：响应于获取存储器的温度为第一温度，在读取过程中的数据保存阶段，对数据输入开关单元施加第一导通电压；响应于获取存储器的温度为第二温度，在数据保存阶段，对数据输入开...
    2026-05-11
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质
    存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202411207799.1
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质。其中，存储器装置包括：存储单元阵列，存储单元阵列包括多个存储单元；以及外围电路，与存储单元阵列耦接并被配置为：对多个存储单元中的目标存储单元执行读取操作时，在耦接于目标存储...
    2026-05-11
  • 非易失性存储器装置及其操作方法
    非易失性存储器装置及其操作方法_三星电子株式会社_202510618638.X
    提供了一种非易失性存储器装置及其操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；页缓冲器单元，包括通过所述多条位线连接到所述多个存储器单元的页缓冲器；以及控制逻辑电路，被配置为：基于读取命...
    2026-05-11
  • 存储装置及存储系统
    存储装置及存储系统_铠侠股份有限公司_202510200827.5
    本发明的实施方式涉及一种存储装置及存储系统。本发明的实施方式的存储装置包含多个串、多个位线、多个字线、源极线及控制器。多个串各自包含串联连接的多个存储单元。多个位线分别连接于多个串各自的一端。多个字线分别连接于多个存储单元。源极线连接于多个...
    2026-05-11
  • 字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路
    字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路_华邦电子股份有限公司_202510135308.5
    本发明提供一种字线编码器、内存装置的控制方法和字线驱动电路。字线编码器包括字线驱动电路。字线驱动电路包括第一驱动晶体管和第二驱动晶体管。第一驱动晶体管的第一端接收第一信号，且第一驱动晶体管的控制端接收第一控制信号。第二驱动晶体管耦接到第一驱...
    2026-05-11
  • 半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
    半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质_长江存储控股股份有限公司_202411139689.6
    本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质，半导体器件包括存储阵列和与存储阵列耦接的外围电路，外围电路被配置为：在第一编程循环的验证阶段，对目标存储单元耦接的字线施加第一验证电压；在利用半导体器件进行运算阶段，对目标存...
    2026-05-11
  • 包括块选择电路的存储器装置
    包括块选择电路的存储器装置_爱思开海力士有限公司_202510310654.2
    公开了一种存储器装置。存储器装置包括：第一半导体层，包括减薄区、在第一方向上布置在减薄区的两侧的第一单元区和第二单元区；以及第二半导体层，包括与减薄区竖直重叠的通道晶体管区域、以及通过多条块选择信号线连接到通道晶体管区域的第一块选择电路区域...
    2026-05-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510100440.2
    本发明提供一种半导体存储装置，其能够提高动作速度。实施方式的半导体存储装置具备：位线；存储单元晶体管，与所述位线电连接；以及感测放大器模块，经由所述位线从所述存储单元晶体管读出数据；所述感测放大器模块包含：第1节点，能够与所述位线电连接；以...
    2026-05-11
  • 用于非易失性存储器的编程
    用于非易失性存储器的编程_意法半导体国际公司_202511164146.4
    本公开涉及用于非易失性存储器的编程。根据实施例，公开了一种用于为相变存储器(PCM)单元生成自适应置位脉冲电流的电路。该电路包括：第一电流数模转换器(IDAC)和第二IDAC，每个IDAC被配置为生成具有可编程曲线的偏置电流，该可编程曲线包...
    2026-05-11
  • 存储装置
    存储装置_铠侠股份有限公司_202510841018.2
    一种存储装置，第二导电体位于比第一导电体更靠第一方向。第三导电体沿第一方向延伸，与第一导电体以及第二导电体相交，并具有第一端以及第二端，第一端位于比第二端更靠第一方向。第一存储单元与第一导电体以及第三导电体连接。第二存储单元与第二导电体以及...
    2026-05-11
  • 存储器件、包括其的电子设备、以及制造存储器件的方法
    存储器件、包括其的电子设备、以及制造存储器件的方法_三星电子株式会社_202511223791.9
    本发明提供包括氧和硫属化物存储器件、包括存储器件的电子设备、以及制造存储器件的方法。存储器件可包括：在第一方向上延伸的多条位线；在第二方向上延伸的多条字线，其中所述第二方向与所述第一方向交叉；以及在所述多条位线和所述多条字线彼此交叉的点处的...
    2026-05-11
  • 10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片
    10T-SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片_安徽大学_202610129028.8
    本发明涉及集成电路领域，特别是一种10T‑SRAM单元、抗读写破坏的双端口SRAM电路、芯片。10T‑SRAM单元由5个PMOS管P1~P5和5个NMOS管N1~N5构成。P1、P2、N1～N4构成包含NMOS管型数据传输通道的6T‑SRA...
    2026-05-11
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510187931.5
    本申请涉及一种半导体存储装置。多个存储单元与多个字线及多个位线的交叉位置对应，使用氧化物半导体构成。字线控制电路使依照第1地址选择的第1字线的电压变化而使第1字线激活或失活。感测放大器电路检测并锁存连接于第1字线的多个第1存储单元的数据。读...
    2026-05-11
  • 存储器装置及存储器系统
    存储器装置及存储器系统_旺宏电子股份有限公司_202411922374.9
    本发明提供一种存储器装置及存储器系统。存储器装置包含存储器字串。存储器字串用以储存一储存数据，并比较一输入数据与该储存数据以产生一字串电流信号。存储器字串包含多个存储器单元。存储器单元包含串联耦接的多个开关元件。当该输入数据的一量化值等于该...
    2026-05-11
  • 能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置
    能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置_三星电子株式会社_202511159236.4
    示例实施例涉及一种能选择性地中断向执行单个操作的电路供电的存储器装置。该存储器装置包括电源线、接地源线、功率门控开关电路和具有多个字线驱动器电路的行译码器。字线驱动器电路基于译码后的行地址当中的第一最高有效位(MSB)信号被分为第一组和第二...
    2026-05-11
  • 具有选择元件的半导体器件
    具有选择元件的半导体器件_爱思开海力士有限公司_202511273578.9
    本申请涉及具有选择元件的半导体器件。半导体器件包括：包括第一子单元区域和第二子单元区域的单元区域；在第一方向上与单元区域的一侧相邻的第一外围电路区域；以及在与第一方向垂直的第二方向上与单元区域的另一侧相邻的第二外围电路区域。第一子单元区域包...
    2026-05-11
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511167989.X
    提供了一种存储器设备，其被配置为从外部主机设备接收处理命令。该存储器设备包括存储器内处理器和错误报告电路，存储器内处理器被配置为响应于处理命令执行存储器内处理操作，错误报告电路被配置为响应于处理命令向外部主机设备提供指示在存储器内处理操作期...
    2026-05-11
  • 存储器设备及其操作方法
    存储器设备及其操作方法_三星电子株式会社_202511108367.X
    一种存储器设备包括：存储器单元阵列，包括与对应于多个行的多个字线耦合的正常单元和每行激活计数(PRAC)单元；刷新控制电路，被配置为基于刷新命令来刷新对应于多个行的多个字线；以及激活生成电路，被配置为基于激活命令来生成行激活信号。行激活信号...
    2026-05-11
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_铠侠股份有限公司_202510234237.4
    实施方式提供能够抑制存储特性的劣化、或者能够使存储特性恢复的半导体存储装置及其控制方法。本实施方式的半导体存储装置具备存储器件，其包含由晶体管构成且能够保持数据的多个存储单元。控制器使用从第一电压到最高阈值电压为止的第一范围将数据写入多个存...
    2026-05-11
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