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最新专利技术
  • 存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法
    存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法_爱思开海力士有限公司_202510246310.X
    本公开提供一种存储器系统、控制器以及该存储器系统的操作方法。该存储器系统包括：至少一个存储器装置；以及控制器。控制器联接到至少一个存储器装置。控制器被配置为基于预设的内部资源是否被分配用于处理多个数据输入/输出(I/O)请求，改变在多个数据...
    2026-05-10
  • 增强数据写入功能的系统
    增强数据写入功能的系统_联华电子股份有限公司_202411331049.5
    增强数据写入功能的系统包含磁阻式随机存取存储器阵列、第一驱动电路、第二驱动电路及增强电路。第一驱动电路耦接在磁阻式随机存取存储器阵列，用以提供多个字线电压至磁阻式随机存取存储器阵列。第二驱动电路，耦接在磁阻式随机存取存储器阵列的一侧，用以提...
    2026-05-10
  • 具有用于阈值选择器开关的尖峰衰减的用于非易失性存储器的双极解码器
    具有用于阈值选择器开关的尖峰衰减的用于非易失性存储器的双极解码器_桑迪士克科技股份有限公司_202510485424.X
    对于使用阈值选择器开关(诸如双向阈值开关)的MRAM和其他存储器单元技术，当存取所选择的存储器单元(诸如用于读取)时，跨越该存储器单元的电压需要足以接通该阈值选择器开关。这会导致电流尖峰，该电流尖峰可损坏该存储器单元并且干扰写入其中的数据值...
    2026-05-10
  • 用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略
    用于非易失性存储器解码器的地址路径布线减少策略_桑迪士克科技股份有限公司_202510482825.X
    要对MRAM存储器单元进行编程，电流必须从该存储器单元对应的位线流动到其对应的字线，或者从该字线流动到该位线。为了实现这一点，位线解码器和字线解码器必须能够提供电流(当将线路驱动为正时)和吸收电流(当将该线路拉低为负时)以考虑该存储器单元的...
    2026-05-10
  • 灵敏放大电路及存储器
    灵敏放大电路及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411233528.3
    本申请公开了一种灵敏放大电路及存储器，该灵敏放大电路包括灵敏放大模块及第一开关单元，灵敏放大模块连接在目标位线与参考位线之间，并连接灵敏放大电压线，在电荷分享阶段，目标位线分享对应开启的存储单元存储的存储电荷；在感应阶段，灵敏放大电压线被驱...
    2026-05-10
  • 灵敏放大电路及存储器
    灵敏放大电路及存储器_兆易创新科技集团股份有限公司_202411230740.4
    本申请公开了一种灵敏放大电路及存储器，该灵敏放大电路包括灵敏放大模块及第一开关单元，灵敏放大电压线包括第一组灵敏放大电压线和第二组灵敏放大电压线；灵敏放大模块包括第一反相单元及第二反相单元，第一反相单元连接在目标位线与参考位线之间，并连接第...
    2026-05-10
  • 电压调控电路及存储器
    电压调控电路及存储器_长鑫科技集团股份有限公司_202610140929.7
    本公开提供了一种电压调控电路及存储器。所述电压调控电路包括：电源生成模块、选择控制信号生成模块和电压选择模块。电源生成模块被配置为生成多组晶体管衬底电压；其中，每组晶体管衬底电压分别对应灵敏放大器的至少一种状态。选择控制信号生成模块被配置为...
    2026-05-10
  • 存储器及其读取电路
    存储器及其读取电路_无锡华润上华科技有限公司_202411218891.8
    本发明涉及一种存储器及其读取电路，读取电路包括：第一信号生成电路，用于生成第一信号；基准信号生成电路，用于根据第一信号建立基准信号；位线预充电路，用于在接收到预充电信号时对位线进行预充电；比较电路，与基准信号生成电路、位线及被选中的存储单元...
    2026-05-10
  • 固态硬盘温度控制方法、装置、设备和可读存储介质
    固态硬盘温度控制方法、装置、设备和可读存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511771507.1
    本申请涉及存储技术领域，公开了一种固态硬盘温度控制方法、装置、设备和可读存储介质。该方法包括：获取所述固态硬盘的复合温度，并将所述复合温度与第一预设温度对比；若所述复合温度大于所述第一预设温度，则获取预先划分的每个闪存颗粒组的平均温度；将所...
    2026-05-10
  • 散热结构及其散热方法
    散热结构及其散热方法_知微电子有限公司_202511256776.4
    本发明提供一种散热结构及一种散热方法。散热结构包括一管道以及一气流产生装置。管道具有形成于管道内的一通道。散热结构设置在一半导体元件上、旁边或上方，且用来消散半导体元件产生的热量。气流产生装置用来产生流经管道内的通道的气流，以消散半导体元件...
    2026-05-10
  • 数据存储设备中的环境控制物质的盖间放置
    数据存储设备中的环境控制物质的盖间放置_西部数据技术公司_202510787562.3
    一种数据存储设备可包括：密封内部壳体，其中在该密封内部壳体内部的气体环境不同于标准空气环境；外盖，该外盖位于该密封内部壳体的至少一部分上方并且耦合到该密封内部壳体的该至少一部分；和位于该密封内部壳体和该外盖之间的环境控制物质。该密封内部壳体...
    2026-05-10
  • 一种存储装置
    一种存储装置_华为技术有限公司_202411219553.6
    本申请涉及存储技术领域，提供了一种存储装置，该存储装置包括驱动结构和两个带盘，驱动结构包括两个动力输出轴，每个动力输出轴与一个带盘传动连接，动力输出轴用于驱动带盘绕动力输出轴的轴线转动；每个带盘均具有在动力输出轴的轴线方向上相背的第一表面和...
    2026-05-10
  • 驱动机构、存储装置及电子设备
    驱动机构、存储装置及电子设备_华为技术有限公司_202411234205.6
    本申请涉及电子设备技术领域，公开了一种驱动机构，包括第一座体、第二座体、扭杆弹簧和致动器。其中，第二座体与第一座体沿第一方向相对设置。扭杆弹簧设于第一座体与第二座体之间，扭杆弹簧沿第一方向延伸，扭杆弹簧的一端与第一座体相连，另一端与第二座体...
    2026-05-10
  • 磁记录介质的制造方法
    磁记录介质的制造方法_株式会社力森诺科硬盘_202511207826.X
    能够效率良好地除去磁记录介质的表面的异物，利用润滑层的被覆率高的磁记录介质的制造方法。磁记录介质的制造方法为在基板上依次层叠有磁记录层和保护层的层叠体上形成润滑层的磁记录介质的制造方法，其包括：在层叠体上涂布第1润滑剂和第2润滑剂的工序，将...
    2026-05-10
  • 磁记录介质的制造方法
    磁记录介质的制造方法_株式会社力森诺科硬盘_202511160308.7
    本发明的目的在于提供能够效率良好地除去磁记录介质的表面的异物，利用润滑层的被覆率高的磁记录介质的制造方法。本发明涉及的磁记录介质的制造方法为在基板上依次层叠有磁记录层和保护层的层叠体上形成润滑层的磁记录介质的制造方法，其包括：在上述层叠体上...
    2026-05-10
  • 盘装置
    盘装置_株式会社东芝_202411670931.2
    本发明提供能够以不将斜坡以及HSA从壳体拆卸的方式拆卸磁盘的盘装置。根据本实施方式，盘装置具备磁盘、斜坡、HSA以及壳体。所述斜坡能够在覆盖所述磁盘的第1位置与从所述磁盘离开了的第2位置之间旋转。所述HSA能够向加载位置、卸载位置以及该HS...
    2026-05-10
  • 热辅助磁记录再现装置及其调整方法
    热辅助磁记录再现装置及其调整方法_株式会社东芝_202411589711.7
    本发明的实施方式涉及热辅助磁记录再现装置及其调整方法。根据实施方式，热辅助磁记录再现装置的调整方法是搭载有热辅助磁记录头和热辅助磁记录介质的热辅助磁记录再现装置的调整方法，将瓦记录带的开始区和保存有用户数据以外的信息的各区中的比特密度变更为...
    2026-05-10
  • 磁记录装置
    磁记录装置_株式会社东芝_202510922716.5
    提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头及控制部。磁头包括第1、第2磁极、磁元件、以及线圈。控制部构成为实施第1动作。在第1动作中，控制部构成为向磁元件供给记录时元件电流并且向线圈供给记录时线圈电流。记录时线圈电流...
    2026-05-10
  • 磁记录装置
    磁记录装置_株式会社东芝_202510889492.2
    提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头和控制部。磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件以及线圈。控制部构成为对第1动作和第2动作切换地加以实施。在第1动作中，控制部向磁元件供给第1记录时元件电流。在第2动作中，控制部...
    2026-05-10
  • 磁记录装置
    磁记录装置_株式会社东芝_202510888646.6
    本公开提供能够提高记录密度的磁记录装置。根据实施方式，磁记录装置包括磁头以及控制部。磁头包括第1磁极、第2磁极、磁元件、线圈、第1端子以及第2端子。控制部构成为实施第1动作。在第1动作中控制部构成为，向磁元件供给记录时元件电流并且向线圈供给...
    2026-05-10
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