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最新专利技术
  • 三维堆叠封装结构及其制作方法
    三维堆叠封装结构及其制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411161553.5
    本发明提供一种三维堆叠封装结构及其制作方法，包括：线路基板、封装主体和模塑封装层，线路基板包括贯通第一主面和第二主面的镂空部；封装主体包括依次叠置的第一倒装芯片、转接板和第二倒装芯片，转接板包括于其第一主面与第二主面之间延伸的导电柱。本发明...
    2026-03-13
  • 一种功率模块及逆变器
    一种功率模块及逆变器_中国第一汽车股份有限公司_202511573077.2
    本发明提供了一种功率模块及逆变器，该功率模块包括：塑封体，塑封体具有一端开口的容纳腔；衬板，衬板与塑封体连接，衬板位于塑封体的容纳腔内，衬板的第一安装面上设有互不相连的第一导电区、第二导电区和第三导电区；下层铜夹，下层铜夹的第一端与第一导电...
    2026-03-13
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202511008174.7
    本发明提供一种半导体装置，其抑制将半导体芯片与布线部件接合的接合材料产生损伤。半导体装置具有在上表面具有电极的半导体芯片、以及布线部件(13b)。布线部件(13b)包括经由接合材料与电极接合的第一接合部(131b)、向远离第一接合部(131...
    2026-03-13
  • 基于倒装接合的天线封装结构及其制造方法
    基于倒装接合的天线封装结构及其制造方法_财团法人工业技术研究院_202510238834.4
    本发明公开一种基于倒装接合的天线封装结构及其制造方法。基于倒装接合的天线封装结构包括重布线结构及设置于重布线结构的导线架结构。重布线结构包括彼此相对的第一表面及第二表面。导线架结构包括基底部、在基底部上沿着垂直方向延伸的第一承载部及邻近第一...
    2026-03-13
  • 实现可润湿翼侧的半导体封装件和相关方法
    实现可润湿翼侧的半导体封装件和相关方法_半导体元件工业有限责任公司_202411834550.3
    本公开涉及实现可润湿翼侧的半导体封装件和相关方法。一种衬底的具体实施可包括：第一组系杆；第二组系杆；和多根引线，该多根引线耦合在第一组系杆与第二组系杆之间。第一组系杆可与第二组系杆相交。第一组系杆和第二组系杆的每个交叉部可从多根引线下陷。
    2026-03-13
  • 功率半导体模块结构及其制备方法、埋入式基板
    功率半导体模块结构及其制备方法、埋入式基板_中国科学院微电子研究所_202411149641.3
    本发明涉及一种功率半导体模块结构及其制备方法、埋入式基板，属于埋入式基板封装领域，解决了现有埋入式基板结构存在以下问题中的至少一个：在实现高集成度和小型化的同时，难以兼顾散热和同侧信号引出的需求；为实现散热和同侧信号引出需增加结构复杂性，导...
    2026-03-13
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411179036.0
    一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，基底包括焊盘；在基底上形成第一钝化层，第一钝化层覆盖焊盘且暴露出焊盘的部分顶部表面，形成第一钝化层的过程中包括平坦化处理；在第一钝化层上形成重布线层；在第一钝化层上形成第二钝化层，第二钝化层覆盖重布...
    2026-03-13
  • 基于单短截线的同轴硅通孔与重布线层的非连续性补偿方法
    基于单短截线的同轴硅通孔与重布线层的非连续性补偿方法_西安电子科技大学_202511801180.8
    本发明公开了一种基于单短截线的同轴硅通孔与重布线层的非连续性补偿方法，包括：确定三维集成电路中需要与重布线层连接来进行信号传输的第一同轴硅通孔；在重布线层与第一同轴硅通孔的互连处设置非连续性补偿结构，该非连续性补偿结构包括重布线层中的一段金...
    2026-03-13
  • 一种高拉拔强度的玻璃基板BGA焊盘制备方法
    一种高拉拔强度的玻璃基板BGA焊盘制备方法_南京麦德材料有限公司_202511799848.X
    本发明属于玻璃基板技术领域，特别是涉及一种高拉拔强度的玻璃基板BGA焊盘制备方法。选择基板为玻璃基板，玻璃基板上需要制作BGA焊盘，在基板上覆盖或涂布感光膜形成感光层，在感光层上曝光图案，图案为圆环和圆盘，该圆环以外的BGA焊盘区域内设计为...
    2026-03-13
  • 一种TGV玻璃基板防裂结构及形成方法
    一种TGV玻璃基板防裂结构及形成方法_上海先封科技有限公司_202511772757.7
    本申请提供一种TGV玻璃基板防裂结构及形成方法，方法包括：对玻璃基板在通孔区域施加第一能量等级激光束形成贯穿玻璃的第一能量改质区域，在防裂结构区域施加第二能量等级激光束形成表面浅层改质区域，第一能量改质区域经湿法蚀刻形成通孔结构，表面浅层改...
    2026-03-13
  • 高深宽比DPC工艺产品金属不脱落的方法
    高深宽比DPC工艺产品金属不脱落的方法_浙江正瀚源半导体有限公司_202511763765.5
    本发明提供了一种高深宽比DPC工艺产品金属不脱落的方法。本高深宽比DPC工艺产品金属不脱落的方法包括以下步骤：A、准备：将成品的陶瓷基板和铜柱备用，基板制备过程中通过对应的模具在陶瓷基板边沿处成型出连接部一，所述连接部一伸出陶瓷基板内端的一...
    2026-03-13
  • 气密性的封装基板的制作方法
    气密性的封装基板的制作方法_珠海越亚半导体股份有限公司_202511508062.8
    本公开提供一种气密性的封装基板的制作方法。具体地，在金属板的一面施加介质层后增层制作多层线路基板，金属板另一面蚀刻出凹槽形成腔体，金属板作为气密性基板的挡坝，形成气密性封装基板。这样的技术方案，挡坝和基板一体化制作，避免了分开制作带来的质量...
    2026-03-13
  • 基于大面积均匀声场的封装基板孔内金属化装置及方法
    基于大面积均匀声场的封装基板孔内金属化装置及方法_广东工业大学_202511489090.X
    本申请提供了基于大面积均匀声场的封装基板孔内金属化装置及方法，其中，封装基板孔内金属化方法包括：在封装基板的底部贴第一保护膜，所述封装基板中包含若干个通孔，将导电浆料填充到所述封装基板的通孔内；在所述封装基板的顶部贴第二保护膜；将声反射扩散...
    2026-03-13
  • 电子装置及其制造方法
    电子装置及其制造方法_群创光电股份有限公司_202510367504.5
    本揭露提供一种电子装置及其制造方法，其包括以下步骤。提供载板，其中载板具有基底层以及设置于基底层上的暂黏层。提供设置于平台上的第一子穿孔基板。执行第一贴合步骤使基底层通过暂黏层与第一子穿孔基板贴合，以形成基板结构。提供第二子穿孔基板，且使第...
    2026-03-13
  • 封装基板及其制备方法和封装模组
    封装基板及其制备方法和封装模组_礼鼎半导体科技(深圳)有限公司_202411162203.0
    本申请提出一种封装基板及其制备方法和封装模组。本申请封装基板的制备方法，通过在曝光后的干膜(第二部分)上压合介电层，之后再去除第二部分从而在介电层内形成盲孔，使得形成的盲孔的孔径相较于镭射孔的孔径可大幅缩小，因此由盲孔制作形成的导电孔的孔径...
    2026-03-13
  • 芯片级DPC与AMB封装复合基板及其制备方法
    芯片级DPC与AMB封装复合基板及其制备方法_江苏新伊菲科技有限公司_202411133657.5
    本发明公开一种芯片级DPC与AMB封装复合基板及其制备方法，方法包括提供一基底，在基底表面上形成光刻结构层，在光刻结构层表面上刻蚀导热沟槽，在光刻结构层表面上沉积形成导热扩散层；在带有导热扩散层的基底表面上形成具有至少一个DPC区域和至少一...
    2026-03-13
  • 金属框架嵌埋基板及其制作方法
    金属框架嵌埋基板及其制作方法_南通越亚半导体有限公司_202511516164.4
    本公开提供一种金属框架嵌埋基板及其制作方法。具体地，通过电镀形成第一金属框架和第二金属框架，使得元器件的底部和侧壁均是金属框架，从而大大提升产品散热性能。同时，电镀得到第一金属框架的侧壁完全垂直基板，有助于减少嵌埋空腔的尺寸，进而提升产品的...
    2026-03-13
  • 一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件
    一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511815880.2
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种多晶硅熔丝结构的制造方法及半导体器件，其中方法包括：沉积介电保护层；在介电保护层上形成光刻胶层，保留多晶硅熔丝结构熔丝区的光刻胶层，以暴露其他非多晶硅熔丝结构熔丝区的介电保护层；刻蚀去除其他非多晶硅熔丝结...
    2026-03-13
  • 静电释放防护结构及其制造方法
    静电释放防护结构及其制造方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511745958.8
    本发明提供一种静电释放防护结构及其制造方法。该结构包括衬底、设置在衬底上的埋氧层、设置在埋氧层上的有源区以及横跨有源区的栅极结构。在有源区内设置有至少一个浅层隔离区，该浅层隔离区沿栅极结构的宽度方向延伸，将有源区在宽度方向上分隔为至少两个子...
    2026-03-13
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510163184.1
    根据一个实施例，一种半导体装置包括：第一端子和第二端子；与所述第一端子电连接的第一导电构件；设置在所述第一导电构件上的半导体芯片；设置在所述半导体芯片上并与所述第二端子电连接的第二导电构件；设置在所述第二导电构件上并覆盖所述半导体芯片的第一...
    2026-03-13
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