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最新专利技术
  • 模组化的高可靠性高压脉冲电路
    模组化的高可靠性高压脉冲电路_广州弈芯科技有限公司_202511869768.7
    本发明涉及高压脉冲技术领域，公开了模组化的高可靠性高压脉冲电路，包括：直流电源，用于整个高压脉冲电路提供直流输入电能；升压单元，用于将直流输入电能通过脉冲调制技术转换为高压脉冲能量；故障旁路保护单元，用于在高压脉冲电路出现故障时，自动将故障...
    2026-03-23
  • 一种基于并行查找表的多速率成型滤波器结构
    一种基于并行查找表的多速率成型滤波器结构_南京天际易达通信技术有限公司_202511763554.1
    本发明公开了一种基于并行查找表的多速率成型滤波器结构，涉及卫星通信技术领域，本发明通过根据设定系统最小采样分辨率以及成型滤波器的抽头个数，设计对应的FIR滤波器的系数并按照并行方式进行存储，设计完成后根据配置NCO的累加步长，产生目标符号速...
    2026-03-23
  • 有源巴伦电路、射频前端装置和通信系统
    有源巴伦电路、射频前端装置和通信系统_广州瀚辰信息科技有限公司_202511719195.X
    本申请涉及一种有源巴伦电路、射频前端装置和通信系统，有源巴伦电路包括相互连接的第一放大电路和第二放大电路，第一放大电路通过第一输出端、第二输出端分别输出第一电压信号和第二电压信号至第二放大电路中的交叉耦合单元，交叉耦合单元分别对第一电压信号...
    2026-03-23
  • 具有平衡啁啾的声学谐振器和滤波器设备
    具有平衡啁啾的声学谐振器和滤波器设备_株式会社村田制作所_202511549323.0
    提供了一种声学谐振器，包括：基板；压电层，由基板支撑；以及叉指换能器(IDT)，在压电层的表面处。IDT包括一对母线以及从第一母线和第二母线延伸以彼此交错的多个电极指。至少一部分电极指的相应宽度在从第一母线和第二母线的相应第一端到第一母线和...
    2026-03-23
  • 一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备
    一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备_浙江星曜半导体有限公司_202511719478.4
    本发明提供了一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备，涉及半导体技术领域。通过在汇流条背离压电衬底的一侧限定出多个间隔排布的第一区域，在第一区域对应设置第一膜层，并且满足第一膜层中的声传播速度与汇流条中的声传播速度不同这一要求，使得对应第一膜层...
    2026-03-23
  • 一种弹性波装置及其制备方法
    一种弹性波装置及其制备方法_无锡市好达电子股份有限公司_202511778581.6
    本发明公开了一种弹性波装置及其制备方法，弹性波装置包括：压电性基板；叉指换能器电极，叉指换能器电极包括沿第一方向间隔交替排布的第一电极指和第二电极指；第一横模抑制结构，位于压电性基板的一侧以及叉指换能器电极远离压电性基板的一侧，第二电极指的...
    2026-03-23
  • 电声换能器及制备方法、声表面波谐振器和声表面波装置
    电声换能器及制备方法、声表面波谐振器和声表面波装置_无锡市好达电子股份有限公司_202511772389.6
    本发明公开了一种电声换能器及制备方法、声表面波谐振器和声表面波装置，电声换能器包括：叉指换能器电极，叉指换能器电极包括沿第一方向排布的多个电极指，多个电极指包括沿第一方向间隔交替排布的多个第一电极指和多个第二电极指，第一电极指和第二电极指沿...
    2026-03-23
  • SAW谐振器装置和SAW谐振器装置的制造方法
    SAW谐振器装置和SAW谐振器装置的制造方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202411186530.X
    本发明提供了一种SAW谐振器装置和SAW谐振器装置的制造方法，SAW谐振器装置包括衬底层、压电层和电极层，压电层设置在衬底层的一侧，压电层具有朝向衬底层的第二界面和相对于第二界面远离衬底层的第一界面，压电层具有至少一个由第一界面向第二界面的...
    2026-03-23
  • 射频电源匹配器及半导体工艺设备
    射频电源匹配器及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411146929.5
    本申请实施例提供了一种射频电源匹配器及半导体工艺设备，其中，所述射频电源匹配器包括：控制模块和检测模块；控制模块用于与射频电源连接，控制模块设有电流信号输入端口，检测模块设有第一电流检测器、第二电流检测器、第一开关和第二开关；第一电流检测器...
    2026-03-23
  • 一种陶瓷微波LTCC多层带通滤波器的等效电路及其滤波器
    一种陶瓷微波LTCC多层带通滤波器的等效电路及其滤波器_深圳市麦捷微电子科技股份有限公司_202511959055.X
    一种陶瓷微波LTCC多层带通滤波器的等效电路及其滤波器，本发明以LTCC(低温共烧陶瓷)技术为基础，由四阶带交叉耦合滤波器电路构成，采用集总参数模型设计实现陶瓷微波LTCC多层带通滤波器的特殊电性能要求。本发明有效实现了陶瓷微波LTCC多层...
    2026-03-23
  • 一种滤波装置及车载电控发电系统
    一种滤波装置及车载电控发电系统_格至控智能动力科技(上海)有限公司_202511662248.9
    本申请涉及新能源汽车电子技术领域，尤其是涉及一种滤波装置及车载电控发电系统。滤波装置包括DC‑link集成件、正极供电通路与负极供电通路，DC‑link集成件包括壳体、设置于壳体内的散热结构及DC‑link电容；正极供电通路与负极供电通路之...
    2026-03-23
  • 一种免高压式跳频滤波器及其制造方法
    一种免高压式跳频滤波器及其制造方法_贵阳顺络迅达电子有限公司_202512019318.5
    本发明公开了一种免高压式跳频滤波器及其制造方法，属于跳频滤波器技术领域，包括PCB电路板，PCB电路板上布置有108‑225MHz通道跳频滤波器和225‑512MHz通道跳频滤波器，108‑225MHz通道跳频滤波器和225‑512MHz通...
    2026-03-23
  • 基于自适应增益放大器的抗干扰信号稳定传输电路
    基于自适应增益放大器的抗干扰信号稳定传输电路_西安邮电大学_202610140075.2
    本发明公开了基于自适应增益放大器的抗干扰信号稳定传输电路，包括：第一放大单元，其通过共模形式输入待处理信号和第一调节信号，以输出第一放大信号；滤波单元，其通过差模形式输入第一放大信号，以输出滤波信号；第二放大单元，其通过共模形式输入滤波信号...
    2026-03-23
  • 一种可变增益CTLE结构及收发机
    一种可变增益CTLE结构及收发机_上海韬润半导体有限公司_202610129968.7
    本发明提供了一种可变增益CTLE结构及收发机，该结构包括：负载模块，具有第一接入点和第二接入点；跨导模块，由若干个跨导单元组成，每个跨导单元均包括对称设置的第一支路和第二支路；第一支路一端与第一接入点连接，另一端连接第一电流源；第二支路一端...
    2026-03-23
  • 一种可级联传输的短波收信放大电路和短波通信系统
    一种可级联传输的短波收信放大电路和短波通信系统_武汉船舶通信研究所(中国船舶集团有限公司第七二二研究所)_202511761630.5
    本申请属于射频放大电路技术领域，具体公开了一种可级联传输的短波收信放大电路和短波通信系统。本申请通过滤波模块滤除上一级信号中的直流与干扰，得到纯净射频信号，为后续处理奠定基础；继而通过放大模块提升信号强度，克服单级传输衰减；关键之处在于，均...
    2026-03-23
  • 一种多通道扫描阀设备
    一种多通道扫描阀设备_中国空气动力研究与发展中心低速空气动力研究所_202511799620.0
    本发明涉及信号测量及信号调理领域，特别是涉及一种多通道扫描阀设备，包括扫描阀主体、信号采集组件及信号调理组件；所述信号采集组件通过所述信号调理组件采集所述扫描阀主体的扫描信号；所述信号调理组件包括三运放仪表式差分运放；所述信号调理组件的差分...
    2026-03-23
  • 多模式功率管理设备
    多模式功率管理设备_QORVO美国公司_202511796460.4
    提供了一种多模式功率管理设备。在本文所公开的实施例中，所述多模式功率管理设备可以被配置成跨宽调制带宽范围(例如，80 KHz到200 MHz以上)在不同功率管理模式下操作。所述多模式功率管理设备包含在单独管芯中实施的功率管理集成电路(PMI...
    2026-03-23
  • 一种多MOS管叠加的功率放大电路及驱动电路
    一种多MOS管叠加的功率放大电路及驱动电路_季华实验室_202610144757.0
    本申请涉及功率放大电路技术领域，具体提供了一种多MOS管叠加的功率放大电路及驱动电路，其包括：推挽放大电路；分压电阻串，设置在第一电源电压和第二电源电压之间；多个电容；第一MOS管串包括多个串联且类型与第一主MOS管的类型相同的第一类型MO...
    2026-03-23
  • 具有动态偏置的功率放大器电路及射频芯片
    具有动态偏置的功率放大器电路及射频芯片_深圳飞骧科技股份有限公司_202610132702.8
    本发明提供了一种具有动态偏置的功率放大器电路及射频芯片，包括输入匹配模块、功率放大模块、偏置电路模块、输出匹配模块和功率检测模块，其中偏置电路模块的输出端连接功率放大模块，用于根据其输入端输入的控制电压的大小，为功率放大模块提供对应的偏置电...
    2026-03-23
  • 一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件的制作方法
    一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件的制作方法_苏州英诺迅科技股份有限公司_202411185738.X
    本发明公开了一种栅极正压偏置的N沟道耗尽型GaN HEMT器件的制作方法，其包括：步骤1：使N沟道耗尽型GaN HEMT器件的栅极电压设置为正偏置电压；步骤2：为N沟道耗尽型GaN HEMT器件提供漏源电流；步骤3：N沟道耗尽型GaN HE...
    2026-03-23
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