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  • 一种半导体存储装置,所述半导体存储装置包括:存储单元阵列,所述存储单元阵列包括多个存储单元行,每行包括多个易失性存储单元;以及刷新控制电路,所述刷新控制电路包括锤击地址寄存器并且被配置为对所述多个存储单元行执行刷新操作。所述刷新控制电路还被...
  • 本公开涉及半导体装置及其操作方法。公开了包括一个或多个存储单元的半导体装置及其操作方法。每个存储单元包括:第一晶体管,其配置为写入数据;第二晶体管,其配置为存储数据;和第三晶体管,其配置为刷新数据。存储单元包括:第一晶体管,其包括与写字线连...
  • 本发明提供一种内存装置及其内部电压测量方法。主内存芯片与从内存芯片的输出垫相耦接。当主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的其一导通时,主内存芯片的开关电路与从内存芯片的开关电路中的另一断开。
  • 存储单元包括磁阻效应元件、以及与磁阻效应元件连接的开关元件。使磁阻效应元件成为第一电阻状态的动作包括第一期间、第一期间之后的第二期间、第二期间之后的第三期间、第三期间之后的第四期间以及第四期间之后的第五期间。在第一期间,进行使磁阻效应元件成...
  • 本申请实施例提供一种一体式唱机,包括:支架,包括支撑板以及设置于支撑板下方的固定板,固定板设置有至少一个通孔;唱机,设置于支撑板上;音箱,包括音箱主体以及连接于音箱主体底部的至少一个音箱支脚,音箱主体设置于支撑板与固定板之间,音箱支脚穿过通...
  • 本公开涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括:列开关,其将全局位线电连接到位线或将全局位线与位线电断开;行开关,其将全局字线电连接到字线或将全局字线与字线电断开;以及存储单元,电连接在位线和字线之间。在写操作期间,列开关的导通程...
  • 本文描述一种用于表查找的存储器的处理单元。查找表LUT的多个元素(例如输出值)可从由存储在所述处理单元的寄存器的位置中的向量值中的每一向量值指示的存储器单元的相应列循序地预取。所述向量值中的每一者可在所述寄存器的所述位置当中移位一个位置以使...
  • 提供了一种易失性存储器装置、存储器控制器和存储器系统。一种存储器装置,包括:存储器单元阵列,其包括第一空间和第二空间;控制逻辑电路,其被配置为控制存储器单元阵列的操作,其中,控制逻辑电路被配置为响应于接收到以第一空间为目标的第一读取控制命令...
  • 本发明提供一种内存存储装置,包括存储单元阵列及控制器电路。存储单元阵列包括签署存储单元及选择存储单元。控制器电路耦接到存储单元阵列。控制器电路用以同时读取签署存储单元及选择存储单元。当签署存储单元读取通过时,控制器电路将选择存储单元的读取判...
  • 本公开涉及一种处理针对目标地址的读取命令的存储器系统和方法,存储器系统可以包括存储器介质和控制器。控制器可以:从主机接收请求读取存储器介质的目标地址中存储的目标数据的第一读取命令,从存储器介质读取目标数据,将所读取的目标数据存储在缓冲器中,...
  • 本公开提供了一种存储器装置、其操作方法及存储器系统。该存储器装置包含存储器阵列、电压产生器及阵列控制电路。存储器阵列包含第一及第二阵列。电压产生器耦接存储器阵列。阵列控制电路耦接存储器阵列及电压产生器,用以:在存储器阵列的读写阶段中,控制电...
  • 本公开提供了一种存储器装置及存储器系统。该存储器装置包含一存储器字符串。存储器字符串包含多个第一开关元件以及多个第二开关元件。第二开关元件与第一开关元件交错排列并且串联耦接。当存储器字符串具有一第一电导值时,第一开关元件的每一开关元件具有一...
  • 读出放大器电路、包括读出放大器电路的存储器装置以及存储器装置的感测方法。该读出放大器电路可以包括:第一位线;位线晶体管,位线晶体管电连接在第一位线和第一节点之间;第一控制晶体管,第一控制晶体管电连接在第一节点和第二节点之间;第一反相器,第一...
  • 本公开涉及存储装置及其操作方法。存储装置可以包括:存储单元阵列,其包括多个存储单元;断电温度确定电路,其被配置为基于存储单元阵列的特定区域中包括的至少一个存储单元的阈值电压的电平来生成断电温度码;控制电路,其被配置为基于断电温度码来生成电压...
  • 本申请公开的实施例属于存储技术领域,特别涉及一种存储器、存储器的控制方法、存储芯片和电子设备。其中,存储器包括存储控制器及存储芯片。存储控制器用于:确定从存储芯片读取的第一数据的失效率是否大于失效率阈值,在失效率大于失效率阈值时,控制存储芯...
  • 一种半导体存储器装置包括位线、存储器单元阵列、板电极结构、位线屏蔽结构和导电路径。存储器单元阵列包括连接到位线的存储器单元。多个存储器单元在与半导体基底的表面平行的第一方向和第二方向上布置。每个存储器单元包括在与半导体基底的表面垂直的第三方...
  • 本申请涉及一种只读存储阵列结构、只读存储器及其读取方法、电子设备。只读存储阵列结构包括:N×M个存储单元,N、M均为大于或等于2的整数;其中,N×M个存储单元中的至少一个辅助存储单元的NMOS晶体管的栅极,连接至N×M个存储单元中的目标存储...
  • 本发明公开了一种主动散热双体独立移动硬盘:包括壳体、设于壳体内的固态硬盘,壳体上侧右部内置有风扇一,壳体下侧左部内置有风扇二,壳体上侧左部设有上盖,壳体下侧右部设有下盖,上盖与风扇一之间设有PCB板,PCB板上设有主控芯片,风扇二与下盖之间...
  • 本发明提供一种应用于一旋转式半导体元件储放结构的防震装置,该旋转式半导体元件储放结构包含一储片塔,该储片塔是由一笼体及复数立设于该笼体周围的储片篓组所组成,且该复数储片篓组上具有复数的平置储位,而该防震装置具有一压片模组及一可驱动该压片模组...
  • 本发明的目的在于提供提高磁记录层的垂直取向性,进一步能够高记录密度化的磁记录介质的制造方法和具备通过该制造方法制造的磁记录介质的磁记录再生装置。本发明涉及的磁记录介质的制造方法为在非磁性基板上,依次具备基底层、种子层和磁记录层的磁记录介质的...
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