Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种芯片及半导体制造设备
    一种芯片及半导体制造设备_贝澳科技(深圳)有限责任公司_202511798139.X
    本发明公开了一种芯片及半导体制造设备，涉及芯片及半导体制造技术领域，包括主体机构，所述主体机构包括机体，所述机体的底面固定安装有机台，所述机台的上表面固定安装有隔板，所述机台的内壁固定安装有三个清洗箱，所述机台的上表面开设有排水槽，所述机体...
    2026-03-08
  • 一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备
    一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备_无锡海浥半导体科技有限公司_202511790873.1
    本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种多功能半导体晶圆清洗干燥设备，包括：微泡清洗模块、马兰戈尼干燥模块、低压干燥模块和IR灯管加热模块，所述四个模块集成在一个设备腔体中，通过控制单元预设多种工作模式，灵活组合各技术模块。本发明解决了现...
    2026-03-08
  • 半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器
    半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器_上海华力集成电路制造有限公司_202511728298.2
    本发明公开了一种半导体晶圆湿法清洗方法、存储介质及控制器，所述半导体晶圆湿法清洗方法，包括通过旋转干燥去除晶圆表面清洗液的步骤，其特征在于，所述旋转干燥步骤执行时采用以下操作：晶圆在一可升降的清洗杯内进行旋转；控制清洗杯在旋转干燥开始后的预...
    2026-03-08
  • 一种半导体生产晶圆清洗机
    一种半导体生产晶圆清洗机_淮安豪杰创芯半导体设备有限公司_202511688467.4
    本发明公开了一种半导体生产晶圆清洗机，涉及半导体制造技术领域，包括，机体，其内部设置有用于放置待清洗晶圆的清洗花篮，清洗花篮的内壁上对称设置有两组卡托件，卡托件至少包括，支撑轴，可转动地设置于清洗花篮内，支撑轴的轴线垂直于清洗花篮的前后端面...
    2026-03-08
  • 一种智能碳氢清洗机及其使用方法
    一种智能碳氢清洗机及其使用方法_苏州圣澳源环保科技有限公司_202511686620.X
    本发明公开了一种智能碳氢清洗机及其使用方法，具体涉及硅片清洗技术领域，用于解决现有碳氢清洗工艺中溶剂残留导致硅片表面界面特性改变、影响后续光刻工艺质量的问题；通过在线监测系统获取硅片表面溶剂残留浓度和接触角数据，识别溶剂残留组分的挥发性与极...
    2026-03-08
  • 一种键合片解键合的方法
    一种键合片解键合的方法_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202512057260.3
    本发明涉及一种键合片解键合的方法。所述键合片包括晶圆，所述晶圆包括相对设置的镀银面和器件面；载体，所述载体通过键合介质层，与器件面键合；所述键合片解键合的方法包括以下步骤：在所述镀银面设置耐高温膜；热滑移解键合，分离晶圆与载体；去除所述耐高...
    2026-03-08
  • 具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构
    具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构_重庆奕能科技有限公司_202511604274.6
    本申请公开了一种具有背面金属层的晶圆的划片方法及晶圆结构，划片方法包括：在所述晶圆第二表面的所述划片槽区域形成第一凹槽；在所述晶圆的第二表面上形成背面金属层，所述背面金属层填充所述第一凹槽并沿所述第一凹槽形成第二凹槽。本申请的具有背面金属层...
    2026-03-08
  • CMP机台及CMP方法
    CMP机台及CMP方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511767483.2
    本发明公开了一种CMP机台，包括：研磨模块，清洗模块和洗边模块。洗边模块用于在CMP研磨之前对晶圆进行洗边。研磨模块用于对晶圆进行CMP研磨。清洗模块用于对CMP研磨后的晶圆进行清洗。研磨模块、清洗模块和洗边模块整合在同一CMP机台中，用于...
    2026-03-08
  • 一种晶圆的减薄方法
    一种晶圆的减薄方法_昆山麦沄显示技术有限公司_202511708720.8
    本申请公开了一种晶圆的减薄方法，包括预设晶圆减薄目标厚度，在晶圆背离需减薄面制作深度与目标厚度一致的孔洞，填充与晶圆材料不同的检测材料；通过有机材料将晶圆临时键合于玻璃或蓝宝石载盘，进行机械预减薄；将晶圆放入集成质谱仪的电感耦合等离子体刻蚀...
    2026-03-08
  • 刻蚀方法及半导体工艺设备
    刻蚀方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511652036.2
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种刻蚀方法及半导体工艺设备。所提供的刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底包括硅衬底和形成于硅衬底中的金属柱，向工艺腔室内通入刻蚀气体，使刻蚀气体电离形成等离子体，以刻蚀硅衬底表面，使金属柱的上表面高于硅...
    2026-03-08
  • 形成半导体器件的方法
    形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511594428.8
    方法包括：在第二层上方形成第一层；对第一层实施激光处理工艺，其中，激光处理工艺包括将激光束定向至第一层中，其中，激光束修改第一层；以及在对第一层实施激光处理工艺之后，对第一层实施平坦化工艺以去除第一层，其中，平坦化工艺暴露第二层。本申请的实...
    2026-03-08
  • 低能质子辐照提升β-Ga2O3器件性能的工艺方法
    低能质子辐照提升β-Ga2O3器件性能的工艺方法_哈尔滨工业大学_202511794761.3
    本发明提供了一种低能质子辐照提升β‑Ga22O33器件性能的工艺方法，涉及电子元器件技术领域，所述方法包括：通过在预设的环境温度下，基于辐照实验参数，采用预设的入射方式对β‑Ga22O33肖特基二极管进行不同注量的低能质子辐照确定辐照过程数...
    2026-03-08
  • 半导体膜层掺杂方法及半导体结构
    半导体膜层掺杂方法及半导体结构_中国科学院电工研究所_202511760618.2
    本申请提供了一种半导体膜层掺杂方法，包括：提供一半导体衬底，半导体衬底中掺杂有目标元素，目标元素的掺杂浓度大于1；将半导体衬底加热至第一温度，在半导体衬底上沉积目标膜层，沉积过程中，目标元素扩散至目标膜层中，得到目标掺杂膜层，其中，第一温度...
    2026-03-08
  • 绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法
    绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法_南京邮电大学_202511805622.6
    本发明公开了绝缘体上碳化硅的P型掺杂调控及横向功率器件制备方法，包括步骤1、选取退火温度；步骤2、将P型掺杂层的掺杂浓度顶层设为最高，底层设为最低；步骤3、设计离子注入次数M；步骤4、M个P型掺杂层浓度从下至上依次增大；步骤5、设计每层铝离...
    2026-03-08
  • 基于绝缘体上硅与重掺杂工艺的高温压阻芯片制造方法
    基于绝缘体上硅与重掺杂工艺的高温压阻芯片制造方法_上海映矽传感技术有限公司_202511786504.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种基于绝缘体上硅与重掺杂工艺的高温压阻芯片制造方法，包括：提供绝缘体上硅晶圆，对顶层硅执行分步离子注入，利用低能浅层投射在顶层硅中上部建立压阻敏感区；执行梯度锁定退火，限制杂质纵向扩散并维持纵向浓度梯度...
    2026-03-08
  • 氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器
    氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器_材料科学姑苏实验室_202610114544.3
    本申请涉及一种氧化镓外延片及其制备方法、日盲紫外光电探测器，包括：提供生长衬底；持续通入铝源和氮源，交替通入和中断硅源，以交替生长硅掺杂的第一氮化铝层和非掺杂的第二氮化铝层，以在生长衬底上直接外延生长氮化铝缓冲层；其中，氮化铝缓冲层的厚度范...
    2026-03-08
  • 可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件
    可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件_苏州纳维科技有限公司_202511749818.8
    本发明公开一种可剥离的氮化镓外延结构的制备方法和氮化镓器件，该方法包括：于氮化镓衬底上表面形成掩膜层；于掩膜层上形成多个凹槽，凹槽暴露出氮化镓衬底；于凹槽对应位置形成连接结构；于连接结构和掩膜层的上表面形成氮化镓外延结构，得到外延片；对外延...
    2026-03-08
  • 一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法
    一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202511806992.1
    本发明涉及一种用于稳定重掺红磷衬底器件击穿电压的外延工艺方法，包括以下步骤：S100、提供具有不同电阻率档位的重掺红磷衬底；S200、根据衬底的电阻率档位与预设阈值的比较结果，选择对应的外延工艺条件：当衬底电阻率低于预设阈值时，选择包含氢气...
    2026-03-08
  • 晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法及应用
    晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法及应用_贵阳学院_202511799570.6
    本发明提供了一种晶圆级二维半导体异质结薄膜自底向上的制备方法，该方法包括：衬底基片处理、晶圆级第一过渡金属二硫族化合物薄膜的制备和晶圆级二维异质结薄膜制备。还提供了应用，晶圆级二维半导体异质结薄膜用于气敏传感、生物化学传感、光电探测或电子器...
    2026-03-08
  • 层叠结构及其制备方法
    层叠结构及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511683488.7
    本申请提供了层叠结构及其制备方法，所述层叠结构包括：硅衬底、氮化硅层和多晶硅层，其中，所述氮化硅层位于所述硅衬底与所述多晶硅层之间，并且，所述氮化硅层中的氮元素与硅元素的比例在所述氮化硅层的靠近所述硅衬底的第一端大于所述氮化硅层的远离所述硅...
    2026-03-08
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证