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最新专利技术
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511689329.8
    本申请提供了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括：子像素，所述子像素包括驱动单元和发光单元；所述发光单元通过接触电极与所述驱动单元电连接；遮光结构，环绕至少部分所述发光单元侧壁。该显示面板可以提升显示面板的生产良率和显示效果。
    2026-03-10
  • 深紫外微型LED芯片及其制备方法
    深紫外微型LED芯片及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511480233.0
    本申请提供了一种深紫外微型LED芯片及其制备方法，该芯片包括：衬底(1)；形成于衬底(1)上的氮化铝缓冲层(2)，用于缓冲晶格失配；形成于氮化铝缓冲层(2)上的N型铝镓氮层(3)，用于提供电子并进行横向电流扩散；形成于设置于N型铝镓氮层(3...
    2026-03-10
  • 发光模块的封装结构
    发光模块的封装结构_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511565090.3
    本发明提供一种发光模块的封装结构，包括：发光器件；驱动电路芯片，以及基板，其中，基板上设置有第一导电结构和第二导电结构，驱动电路芯片的驱动信号焊盘通过第一导电结构与发光器件的第一端进行电连接，发光器件的第二端通过第二导电结构连接至基板的第一...
    2026-03-10
  • 层间缝隙填充装置和方法
    层间缝隙填充装置和方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511728330.7
    本发明公开了一种层间缝隙填充装置，包括：缝隙检测模块，用于对层间缝隙进行检测和定位。由多个喷头组成的喷头阵列，用于喷射有机树脂填充层间缝隙。紫外LED阵列，用于对有机树脂进行紫外固化。运动机构，喷头阵列、缝隙检测模块和紫外LED阵列都设置在...
    2026-03-10
  • LED封装阵列的制作方法及结构
    LED封装阵列的制作方法及结构_上海芯元基半导体科技有限公司_202511702077.8
    本发明提供了一种LED封装阵列的制作方法及结构，包括：将荧光片贴合在临时载板上，形成载板荧光片；贴合完成后，对载板荧光片进行表切处理，使得荧光片被切割为多个子荧光片，相邻子荧光片之间存在间隙，多个子荧光片的排列方式与阵列芯片中LED倒装芯片...
    2026-03-10
  • 一种多材料复合衬底及其制备方法
    一种多材料复合衬底及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511796843.1
    本发明公开了一种多材料复合衬底及其制备方法，所述复合衬底包括：衬底；反射层，沉积在衬底上，所述反射层为金属材料或合金材料；异质层，沉积在反射层上，所述异质层为无机非金属透光材料；复合介质层，沉积在异质层上，所述复合介质层自内向外依次为热扩散...
    2026-03-10
  • 一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用
    一种基于GaN同质衬底的Micro-LED器件及其设计方法、应用_苏州纳维科技有限公司_202610106797.6
    本申请涉及光电器件设计与制造技术领域，具体涉及一种基于GaN同质衬底的Micro‑LED器件及其设计方法、应用。包括GaN同质衬底和驱动基板；GaN同质衬底包括圆台结构，圆台结构的小端面处设置有有源发光结构，圆台结构的侧壁与其大端面之间的夹...
    2026-03-10
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202512035070.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置，该发光二极管包括半导体叠层和透明导电层，半导体叠层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，半导体叠层具有第一台面和第二台面，第一台面露出第一半导体层，第二台面露出第二...
    2026-03-10
  • 芯片封装结构、光学器件及芯片封装方法
    芯片封装结构、光学器件及芯片封装方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511812226.6
    本发明揭示了一种芯片封装结构、光学器件及芯片封装方法，芯片封装结构包括第一外延层，具有相邻的第一发光区和第一淬灭区；第二外延层，设置于所述第一外延层的一侧，所述第二外延层具有相邻的第二发光区和第二淬灭区，所述第一发光区和第二发光区彼此错开排...
    2026-03-10
  • 一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片
    一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511575809.1
    本发明提供一种高色域LED外延片及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，高色域LED外延片包括衬底以及层叠于衬底之上的外延层，外延层包括依次层叠的缓冲层、三维GaN层、未掺杂GaN层、N型GaN层、应力释放层、多量子阱层、电子阻挡...
    2026-03-10
  • 一种发光二极管外延结构及发光装置
    一种发光二极管外延结构及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511657125.6
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管外延结构及发光装置，其包括第一半导体层、超晶格层、有源层以及第二半导体层；有源层具有至少两组依次堆叠的周期结构，且每组周期结构的厚度范围为250～350埃；还包括位于超晶格层和有源层之间的...
    2026-03-10
  • 一种倒装结构Micro-LED器件及其制备方法
    一种倒装结构Micro-LED器件及其制备方法_苏州纳维科技有限公司_202610107276.2
    本申请涉及光电器件制造技术领域，具体涉及一种倒装结构Micro‑LED器件及其制备方法。包括：S1、获取衬底，在其上表面形成台面结构；S2、在台面结构上形成p电极结构，并在衬底上与台面结构相间隔位置处形成n电极结构; S3、涂覆光刻胶；S4...
    2026-03-10
  • 荧光硅树脂薄膜的整平方法
    荧光硅树脂薄膜的整平方法_广东谦德半导体科技有限公司_202511782190.1
    本发明公开了一种荧光硅树脂薄膜的整平方法，涉及LED封装应用领域。一种荧光硅树脂薄膜的整平方法, 在发生翘曲的荧光硅树脂薄膜背离离型膜的一侧平整覆盖丙烯酸酯胶系整平膜，然后室温放置或烘烤至平整，将丙烯酸酯胶系整平膜从荧光硅树脂薄膜上剥离，获...
    2026-03-10
  • GaN同质衬底上的倒装结构Micro-LED单元的设计方法、倒装Micro-LED器件
    GaN同质衬底上的倒装结构Micro-LED单元的设计方法、倒装Micro-LED器件_苏州纳维科技有限公司_202511732313.0
    本发明涉及光电器件设计与制造技术领域，具体涉及一种GaN同质衬底上的倒装结构Micro‑LED单元的设计方法、倒装Micro‑LED器件。该设计方法包括：在GaN同质衬底上MOCVD生长外延结构，随后在GaN同质衬底上制备反光杯结构；在反光...
    2026-03-10
  • 适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法
    适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法_广东中图半导体科技股份有限公司_202511730996.6
    本发明属于半导体技术领域，涉及一种适配高质量GaN基外延层的复合图形化衬底及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：S1、通过图形化转移工艺对衬底上的锥形结构的异质层进行刻蚀，以在异质层的侧壁上形成凹凸微结构；S2、在侧壁上具有凹凸微结构的异...
    2026-03-10
  • 一种电池组件及其制备方法
    一种电池组件及其制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610113459.5
    本发明提供一种电池组件及其制备方法，所述电池组件包括硅基底；所述硅基底上具有类金字塔结构，所述钝化膜层设置在所述类金字塔结构的表面；所述硅基底的表面包括第一区域和第二区域；所述第二区域位于所述硅基底的中部，所述第一区域位于所述硅基底的边缘区...
    2026-03-10
  • 一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置
    一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置_武汉高芯科技有限公司_202511752298.6
    本发明涉及一种具有双热界面材料的红外芯片低温测试装置，其包括从下至上依次设置的制冷设备、第一导热层、基板以及第二导热层；所述第一导热层位于所述制冷设备、基板之间，且分别与制冷设备表面、基板表面贴合；所述第二导热层位于所述基板、芯片之间，且分...
    2026-03-10
  • 一种长寿命光导开关及其制备方法
    一种长寿命光导开关及其制备方法_宁夏大学_202511691201.5
    本发明属于固态脉冲功率技术领域，公开了一种长寿命光导开关及其制备方法，封装外壳中设有基板，基板上设有光导开关晶片，光导开关晶片的阳极连接有阳极外导体引线，光导开关晶片的阴极连接有阴极外导体引线，光导开关晶片上还连接有光斑光纤，阳极外导体引线...
    2026-03-10
  • 一种光学传感器的共面封装结构
    一种光学传感器的共面封装结构_讯芯电子科技(中山)有限公司_202511636626.6
    本发明涉及光传感器技术领域，公开了一种光学传感器的共面封装结构，其包括：基板、发光芯片、收光芯片和垫块；基板具有第一侧面；发光芯片设于基板靠近第一侧面的一侧，发光芯片与基板电连接；发光芯片与第一侧面间隔布置；收光芯片设于基板靠近第一侧面的一...
    2026-03-10
  • 晶硅太阳电池及其制备方法
    晶硅太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511943853.3
    本公开提供了一种晶硅太阳电池及其制备方法。该晶硅太阳电池包括N型晶体硅衬底、第一钝化层、第二钝化层、N型非晶硅层、叠层结构、第一透明导电层和第二透明导电层。第一钝化层和第二钝化层位于N型晶体硅衬底的相对表面上。N型非晶硅层位于第一钝化层上。...
    2026-03-10
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