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最新专利技术
  • 一种具有压力反馈功能的光伏板层压机
    一种具有压力反馈功能的光伏板层压机_上海迪伐新能源设备制造有限公司_202511579254.8
    本发明公开了一种具有压力反馈功能的光伏板层压机，涉及层压机技术领域，光伏板层压机包括底座、输送装置、整平装置和层压装置，输送装置与底座紧固连接，输送装置用于将光伏件依次输送到整平装置和层压装置内，整平装置与底座紧固连接，整平装置用于去除光伏...
    2026-03-09
  • 背接触电池及其制备方法、光伏组件
    背接触电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511990236.9
    本公开的实施例提供了一种背接触电池及其制备方法、光伏组件，涉及太阳能电池领域，背接触电池包括：硅基体，背面包括第一区、第二区和间隔区，相邻的第一区和第二区通过间隔区隔开，第一间隔子区相对于第二间隔子区更靠近第一区；第一载流子收集层，具有第一...
    2026-03-09
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202511648047.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体涉及太阳能电池及其制备方法、光伏组件。本申请的太阳能电池包括：硅基体；硅基体具有相对设置的第一、第二表面；依次设置于第一表面的第一本征层、N型掺杂层和第一透明导电膜层；依次设置于第二表面的第二本征层、P型掺...
    2026-03-09
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_横店集团东磁股份有限公司_202511810621.0
    本公开涉及一种太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池的PN结的方块电阻为100Ω‑500Ω，所述PN结的深度在0.1μm以上，所述PN结的掺杂浓度在50×10‑21‑21cm‑3‑3以下，在所述PN结的方块电阻不变的情况下，所述PN结的掺杂浓...
    2026-03-09
  • ESD防护结构及其形成方法、半导体器件
    ESD防护结构及其形成方法、半导体器件_浙江创芯集成电路有限公司_202511800216.0
    本申请实施例提供一种ESD防护结构及其形成方法、半导体器件，所述形成方法，包括：提供基底；在基底上形成漂移区；在漂移区内形成隔离的第一掺杂层和第二掺杂层；形成位于漂移区内第一体区和第二体区；在第一体区内形成相互隔离的第三掺杂层、第四掺杂层和...
    2026-03-09
  • 改善高压器件隔离区域漏电的方法
    改善高压器件隔离区域漏电的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511679217.4
    本申请提供一种改善高压器件隔离区域漏电的方法，包括：步骤一，提供一衬底，衬底中形成的隔离区将衬底分为低压器件区、中压器件区和高压器件区，在衬底上形成中压器件氧化层；步骤二，去除部分中压器件氧化层，仅在中压器件区和隔离区中的高压器件隔离区域保...
    2026-03-09
  • 半导体器件、阵列基板以及显示面板
    半导体器件、阵列基板以及显示面板_绵阳惠科光电科技有限公司_202511687114.2
    本发明公开了一种半导体器件、阵列基板以及显示面板，涉及显示技术领域，其中，半导体器件包括基底、薄膜晶体管以及制冷层；薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层、栅极以及绝缘层，栅极设于基底，绝缘层设于基底，并覆盖栅极，半导体层设于绝缘层上，源极和漏...
    2026-03-09
  • 阵列基板及制作方法、显示装置
    阵列基板及制作方法、显示装置_昆山龙腾光电股份有限公司_202511783415.5
    本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示装置，阵列基板包括：衬底；设于衬底上的扫描线、栅极、栅极绝缘层、有源层以及保护层，保护层包括第一保护层和第二保护层，第一保护层位于有源层的沟道处，第二保护层位于栅极的边缘处，第二保护层的其中一部分与栅...
    2026-03-09
  • 阵列基板及制作方法、显示面板
    阵列基板及制作方法、显示面板_昆山龙腾光电股份有限公司_202511620953.2
    本发明公开了一种阵列基板及制作方法、显示面板，制作方法包括：在基底上方依次层叠设置第一金属层、第一半导体层、第二金属层以及光刻胶层，采用半色调掩膜工艺对第一金属层、第一半导体层以及第二金属层进行蚀刻，使第一金属层形成图案化的数据线和源极，第...
    2026-03-09
  • 半导体结构
    半导体结构_台湾积体电路制造股份有限公司_202511583223.X
    半导体结构包括：有源区域，包括半导体鳍基底、位于半导体鳍基底上方的纳米结构堆叠件以及位于半导体鳍基底上方并且连接至纳米结构中的至少一个的外延部件，有源区域在第一方向上纵向延伸。半导体结构还包括：栅极结构，包裹纳米结构的每个，栅极结构在垂直于...
    2026-03-09
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511571515.1
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括第一单元，第一单元包括第一晶体管；以及第二单元，在第一单元边界处邻接第一单元并包括第二电路的至少部分。第一单元在第一单元边界处包括一个或多个引脚层，一个或多个引脚层包括最高引脚层...
    2026-03-09
  • 一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件
    一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件_润新微电子(大连)有限公司_202610107267.3
    本发明属于半导体技术领域，具体公开一种内部集成二极管的耗尽型GaN芯片及级联器件，GaN芯片包括GaN主体结构和二极管结构，GaN主体结构具有源电极、漏电极和栅电极，GaN主体结构的栅电极与二极管结构的正极或负极相连接，二极管结构包括阴极欧...
    2026-03-09
  • 一种半导体结构的制备方法
    一种半导体结构的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610122489.2
    本发明公开了一种半导体结构的制备方法，属于半导体技术领域。且所述半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上设置有缓冲氧化层，所述缓冲氧化层上设置有栅极结构和侧墙，所述侧墙包括内层氮化层、中间氧化层和外层氮化层，相邻所述栅极结构...
    2026-03-09
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海光通信有限公司_202411111001.3
    本申请涉及一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构于衬底内隔离出有源区；浅沟槽隔离结构的顶面与有源区的顶面不齐平；形成多个间隔排布的牺牲图形，各牺牲图形的顶面平齐；至少部分...
    2026-03-09
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610083772.9
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层和第一金属层，所述介质层内形成有凹槽，所述第一金属层至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部；对所述凹槽进行照射处理，使所述第一金属层中位于所述凹槽内的部分产生载流子，且所述载...
    2026-03-09
  • HKMG的栅极功函数的调节工艺方法
    HKMG的栅极功函数的调节工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511784122.9
    本发明公开了一种HKMG的栅极功函数的调节工艺方法，包括：步骤一、在半导体衬底上形成界面层和高介电常数层。步骤二、在高介电常数层的顶部表面上形成氧化镧层。步骤三、对氧化镧层进行图形化刻蚀以将第一区域外部的氧化镧层去除以及将第一区域的氧化镧层...
    2026-03-09
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511821442.7
    本申请公开了半导体结构及其制备方法，半导体结构包括：衬底；位于衬底一侧表面的第一外延层；位于第一外延层内的多个电场调制区，电场调制区的顶面位于第一外延层的顶面；电场调制区与第一外延层的掺杂类型相反；位于第一外延层背离衬底一侧的第二外延层；第...
    2026-03-09
  • 二维电子气电荷密度控制
    二维电子气电荷密度控制_纳维达斯半导体有限公司_202511727163.4
    本公开涉及二维电子气电荷密度控制。公开了用于控制氮化镓(GaN)装置中的二维电子气(2DEG)电荷密度的结构和相关技术。在一个方面，一种GaN装置包含化合物半导体衬底、形成于所述化合物半导体衬底中的源极区、形成于所述化合物半导体衬底中并与所...
    2026-03-09
  • 薄膜晶体管、显示面板及显示终端
    薄膜晶体管、显示面板及显示终端_TCL华星光电技术有限公司_202511718739.0
    本申请涉及一种薄膜晶体管、显示面板及显示终端。薄膜晶体管包括有源部，有源部包括第一沟道部、设置于第一沟道部两端的第一接触部和第二接触部、设置于第一沟道部和第一接触部之间的第一功能部、设置于第一沟道部和第二接触部之间的第二功能部；其中，第一功...
    2026-03-09
  • 金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应管及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202610108045.3
    本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法，金属氧化物半导体场效应管包括至少一个元胞结构；元胞结构包括：衬底；漂移区，具有第一导电类型；第一阱区，具有第二导电类型；JFET区；第二阱区，具有第二导电类型；屏蔽层，位于JFET区远离漂...
    2026-03-09
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