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最新专利技术
  • 背接触太阳能电池及其制备方法
    背接触太阳能电池及其制备方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202512012315.9
    本公开提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法，该背接触太阳能电池包括硅基底，交替设置在硅基底的第一表面的第一掺杂区、第二掺杂区和隔离区；第一掺杂区和第二掺杂区的掺杂极性相反；以及分别设置于第一掺杂区、第二掺杂区、隔离区远离硅基底的表面上的第...
    2026-03-10
  • 静电放电保护器件及芯片
    静电放电保护器件及芯片_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610083935.3
    本发明提供一种静电放电保护器件及芯片，所述器件包括：衬底；位于衬底内P型区与N型区；位于P型区内的第一N型掺杂区、第二N型掺杂区、第一P型掺杂区与第二P型掺杂区，第二P型掺杂区位于第一N型掺杂区与第二N型掺杂区之间，第一N型掺杂区位于第一P...
    2026-03-10
  • 一种可控硅静电防护器件及其制备方法
    一种可控硅静电防护器件及其制备方法_上海芯导电子科技股份有限公司_202511746326.3
    本发明公开了一种可控硅静电防护器件及其制备方法，在第二N阱表面设置金属块并和金属块肖特基接触，使第二N阱和金属块构成肖特基二极管，第二N阱内的N+注入区作为可控硅静电防护器件的阴极。又因为P+注入区与第一N阱构成的PN结二极管，且P+注入区...
    2026-03-10
  • 一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构
    一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构_西安电子科技大学广州研究院_202511722037.X
    本发明公开了一种双沟槽SiC功率cascode器件版图结构，该双沟槽SiC功率cascode器件版图结构由若干纵向分布单元构成，相邻纵向分布单元之间形成有深沟槽；每个纵向分布单元由若干横向分布单元构成，每个横向分布单元包括两个第一元胞结构、...
    2026-03-10
  • 显示面板及电子设备
    显示面板及电子设备_昆山国显光电有限公司_202511660933.8
    本申请提供一种显示面板及电子设备，所述显示面板包括：基板；位于基板一侧的阵列功能层，阵列功能层包括多个呈阵列分布像素驱动电路及多条走线；像素驱动电路包括数据写入晶体管和第一复位晶体管；多个像素驱动电路包括在第二方向上相邻的第一像素驱动电路和...
    2026-03-10
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_三星显示有限公司_202511742437.7
    本申请公开一种显示面板和显示装置。显示面板包括两个或更多个栅层以及一个或多个源‑漏层，两个或更多个栅层包括在第一方向上延伸的多个栅图案，一个或多个源‑漏层包括在与第一方向交叉的第二方向上延伸的多个源‑漏图案。两个或更多个栅层的栅图案沿与有效...
    2026-03-10
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511551463.1
    提供了半导体结构及其形成方法。半导体结构包括沿第一方向形成在衬底上方的多个第一纳米结构以及与第一纳米结构相邻形成的多个第二纳米结构。半导体结构包括沿第二方向形成在第一纳米结构上的第一栅极结构，并且第一栅极结构包括第一栅极介电层。半导体结构包...
    2026-03-10
  • 一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC-IGBT结构
    一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC-IGBT结构_济南千睿新广网络科技合伙企业(普通合伙)_202511756181.5
    本发明提供一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC‑IGBT结构，涉及功率半导体器件技术领域，包括，衬底承载模块，所述衬底承载模块包括N型硅衬底，对所述N型硅衬底进行外延处理形成所述n‑漂移层。沟槽栅控模块，所述沟槽栅控模块对所述...
    2026-03-10
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610083937.2
    本发明提供一种半导体结构及其制备方法，半导体结构的制备方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成图形化的光刻胶层，所述半导体衬底包括低压器件区域和中压器件区域，图形化的所述光刻胶层暴露出所述低压器件区域和中压器件区域的PMOS管或NMOS管中用于...
    2026-03-10
  • 双极结型晶体管工艺中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及结构
    双极结型晶体管工艺中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511794886.6
    本发明公开了一种双极结型晶体管工艺中集成PJFET器件和NJFET器件的方法及结构，方法包括：提供衬底，在衬底上形成双极结型晶体管、PJFET器件和NJFET器件的埋层结构、隔离结构以及外延层；在外延层中进行穿透掺杂和阱区掺杂；在外延层上方...
    2026-03-10
  • 在双极结型晶体管工艺中集成双栅JFET器件的方法及结构
    在双极结型晶体管工艺中集成双栅JFET器件的方法及结构_中国电子科技集团公司第二十四研究所_202511794837.2
    本发明公开了一种在双极结型晶体管工艺中集成双栅JFET器件的方法及结构，所述方法包括：提供衬底，并在衬底上形成双极结型晶体管和JFET器件的埋层结构、外延层及隔离结构；在外延层中进行穿透掺杂和阱区掺杂；在外延层上方形成集电极结晶区、基极结晶...
    2026-03-10
  • 场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法
    场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法_上海维安半导体有限公司_202511712979.X
    本发明提供一种场截止层制备方法及工艺监控方法、半导体器件制备方法，属于半导体功率器件技术领域，方法包括：提供晶圆预制件，包括位于外延层上表面的栅氧化层、位于栅氧化层上表面的多晶硅层、位于外延层中的体区以及位于体区中的第一注入区；对晶圆预制件...
    2026-03-10
  • 一种场截止层制备方法及半导体制备方法
    一种场截止层制备方法及半导体制备方法_上海维安半导体有限公司_202511712978.5
    本发明提供一种场截止层制备方法及半导体制备方法，属于功率半导体器件技术领域，包括：提供外延层；对外延层的正面进行涂胶，将带正面保护胶的外延层翻面，并对外延层的背面进行减薄；采用正面注入机台对外延层的背面进行离子注入，形成场截止层；再次翻面，...
    2026-03-10
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511551456.1
    公开了半导体结构和制造结构的方法。方法包括：在衬底上的基底结构上形成具有纳米结构层和牺牲纳米结构层的超晶格结构；在超晶格结构上形成多晶硅结构；以及在超晶格结构中形成S/D区域。S/D区域的S/D部分在纳米结构层之上延伸。方法还包括：修改S/...
    2026-03-10
  • 半导体器件、以及用于形成半导体器件的方法
    半导体器件、以及用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511560884.0
    在一些实施例中，提供了一种半导体器件。半导体器件包括：互连结构，设置在衬底上方，其中，互连结构包括设置在介电层中的导电部件；第一钝化层，设置在互连结构上方；第二钝化层，设置在蚀刻停止层上方；多个孔和多个沟槽，从第二钝化层的上表面延伸至第二钝...
    2026-03-10
  • 一种SiC MOSFET器件和制造方法
    一种SiC MOSFET器件和制造方法_珠海零边界集成电路有限公司_202511533429.1
    本发明公开了一种SiC MOSFET器件和制造方法，器件包括：至少两个第一沟槽，位于N型漂移区内；至少两个第二沟槽，分别位于第一沟槽的底部；P型掺杂埋层，位于第二沟槽的正下方的N型漂移区内；N型载流子存储区；P阱区，位于两个第一沟槽之间的N...
    2026-03-10
  • 沟槽栅碳化硅功率器件及其制备方法、芯片
    沟槽栅碳化硅功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202610056286.8
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种沟槽栅碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置十字形的沟槽栅极，并在沟槽栅极的十字交叉区域，设置P型深阱和P型重掺杂区的双层结构，并且第一方向沟槽栅极两侧为N型重掺杂区，第一方向沟槽栅极与P型重掺杂区...
    2026-03-10
  • 一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法
    一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法_安建科技(深圳)有限公司_202610062610.7
    一体式场板结构的功率半导体器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，为解决多层独立场板带来的制作工艺复杂，成本高的问题，本发明采用一体式单场板，配合第一阶梯状沟槽和第二阶梯状沟槽，有利于降低栅极与漏极间、栅极与源极间的电场尖峰，使电场分...
    2026-03-10
  • P型锡氧化物薄膜、薄膜晶体管和反相器电路及其制备方法
    P型锡氧化物薄膜、薄膜晶体管和反相器电路及其制备方法_湖南大学_202511805401.9
    本发明提供了一种P型氧化亚锡薄膜，其由Te含量为1‑10at%的Sn靶材经磁控溅射后封装并退火得到。本发明还提供了一种包括P型氧化亚锡薄膜薄膜晶体管和包括薄膜薄膜晶体管的反相器。同时，本发明还提供了所述薄膜晶体管和反相器的制备方法。
    2026-03-10
  • 一种零动态电阻退化的电势钳位碳化硅浮岛器件
    一种零动态电阻退化的电势钳位碳化硅浮岛器件_南京邮电大学_202511739089.8
    本发明公开了一种零动态电阻退化的电势钳位碳化硅浮岛器件，包括N型掺杂半导体外延层、P型掺杂半导体阱和M个P型局域重掺杂半导体浮岛；P型掺杂半导体阱布设在N型掺杂半导体外延层顶部；M个P型局域重掺杂半导体浮岛从上至下等距布设在P型掺杂半导体阱...
    2026-03-10
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