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  • 本发明涉及环网箱技术领域,且公开了一种二次融合环网箱,包括离心式过滤机构以及高频加热干燥机构,其内部设置有安装于下空心壳体底部且内部为空心状态的二号空心管道体、安放于二号空心管道体中心处且在受到交变磁场后内部产生涡流的金属棒以及在通入交变电...
  • 本发明公开了一种具备气体检测功能的电气柜, 涉及电气柜气体检测的技术领域,包括电气柜本体,设于所述电气柜本体一端的箱体背板,设于所述箱体背板两侧且位于所述电气柜本体两侧的箱体侧板,穿设于所述箱体侧板侧壁顶部的柜内稳压部件,嵌设于所述箱体背板...
  • 本发明涉及一种小型全密封固体绝缘开关,包括机构箱和绝缘筒,机构箱包括箱体和箱盖,绝缘筒包括采用环氧树脂制作的筒体以及处于筒体中的断路器组件、隔离开关组件和接地组件,筒体外表面设有采用热喷锌工艺制成的金属层,筒体密封固定在箱体上,断路器组件包...
  • 本发明涉及电力计量设施领域,具体涉及一种具有绝缘防护机构的电能计量箱,包括电表箱和电表本体,电表本体设置于电表箱内后侧壁,电表箱内底部竖向穿入有多条电线,电表箱内部设置有多组对应电线分布的绝缘防护组件,绝缘防护组件包括两组竖向延伸的滑轨,两...
  • 本发明涉及配电箱相关技术领域,公开了一种应用配电箱内的线路防护装置,包括箱体、上框架、下托板、上保护盖、侧滑板、断路器;所述箱体正面设置有正面开口,所述箱体侧面设置有侧面开口;所述箱体内设置有多组等距分布的固定架,固定架两侧滑动安装有安装座...
  • 本发明公开了一种采用三维立体布线框架的电缆制造设备的控制柜,涉及控制柜布线技术领域。本发明包括柜体,以及设置于柜体内部的控制器,柜体内部两侧分别设置有三维布线组件,每组三维布线组件上均安装有一组束线组件;三维布线组件包括丝杆,丝杆上活动连接...
  • 本发明公开了一种基于母排错位安装的标准化低压开关柜,包括柜体、支架组件、电气元件和插接组件;支架组件包括设在柜体内的滑轨卡接在滑轨上的支撑横梁;电气元件包括设在支撑横梁上的断路器、设在断路器上的进线导电铜排和出线导电铜排;插接组件包括设在进...
  • 本发明涉及电力设备技术领域,具体为一种用于接入电网设备的设备保护装置,包括配电开关柜、总开关、独立开关、电表以及设置在独立开关两端用于连接总开关与电表的电线,还包括有:承载板,此用于接入电网设备的设备保护装置,卡合件通过弧形杆、弧形槽及卡合...
  • 本申请涉及一种用于风电箱变中环境监测模块的快速安装结构,其包括监测单元、安装框和箱体,所述监测单元在所述安装框内放置若干个,所述安装框上设置有限制所述监测单元移动的安装组件,所述安装框为矩形框,且每个拐角处均连接有延伸板,所述箱体侧壁上设置...
  • 本发明属于负氧离子设备技术领域,具体涉及一种小型气激式负氧离子发生装置,包括壳体和设置于壳体中的分离器;壳体的顶部设有预留口,底部通过进气管连通于空压设备;壳体的上部区域还设有高浓度气体输出管,下部区域设有进水口;分离器包括混合筒以及至少两...
  • 本发明公开了一种半导体激光器及其显示装置,包括第一半导体层、第二半导体层和位于两者之间的有源层;第一半导体层和有源层之间包括有第一波导层,第二半导体层和有源层之间包括有第二波导层;第二波导层与第二半导体层之间设置有电子阻挡层,电子阻挡层在靠...
  • 本发明提供一种暗态带电激子荧光发射器件及其制备方法,暗态带电激子荧光发射器件包括衬底、金属层、二维半导体层和银纳米线;其中,二维半导体层与银纳米线接触部分的材质为单层二维材料,且金属层与银纳米线形成垂直堆叠的等离激元纳米谐振腔;等离激元纳米...
  • 本发明提供了一种深紫外激光器外延结构及其外延生长方法,上述深紫外激光器外延结构通过使第一波导层的Al组分从靠近电子注入层侧线性递增至靠近量子阱有源层侧,或者使第二波导层的Al组分从靠近量子阱有源层侧线性递减至靠近空穴注入层侧,形成以量子阱有...
  • 本申请公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法,涉及半导体激光器技术领域,该垂直腔面发射激光器的有源层中,量子阱层为InGaAs层,量子垒层包括电子阻挡层和/或空穴加速层,电子阻挡层为AlGaAs层,空穴加速层为GaAsP层、AlGaAsP...
  • 本发明公开了一种光子集成激光器的制备方法及结构,其方法包括:将器件分为七段功能区域,包括两个调制器区、两个增益区、两个前光栅区和一个共用后光栅区;通过两次对接生长分别形成调制器区的有源材料和光栅区的无源材料;在前后光栅区制作取样光栅后,生长...
  • 本发明提供了一种基于波形特征分析的激光波长锁定方法,包括以下步骤:获取激光探测信号的波形采样数据,确认激光探测信号的信号特征点以及计算信号特征点的索引平均值以及索引变化值;实时调整激光驱动信号的电压范围,直至激光驱动信号的电压范围与激光探测...
  • 本发明实施例提供了一种基于前馈补偿的激光器波长快速锁定与功率调制方法,涉及激光波长调制技术的技术领域;其方法包括:并行监测激光器的状态信息;基于所述状态信息生成补偿信号;对所述补偿信号进行融合分配处理,以得到复合控制信号;基于所述复合控制信...
  • 本发明提供基于动态波前整形的高稳定单模半导体激光器及控制系统,涉及半导体激光器技术领域,包括依次光学耦合的半导体激光增益模块、动态波前整形模块和单模筛选模块和激光输出模块,其中:半导体激光增益模块由量子阱结构增益芯片构成,增益芯片的有源区表...
  • 本发明公开了半导体激光治疗仪功率控制系统及方法,具体涉及激光设备控制技术领域,本发明通过基于治疗时间划分开始、持续、结束阶段,对应采用初始穿透、持续适应、渐进降功策略,在治疗持续阶段采集患者皮肤阻抗幅度、组织温度生物参数,结合由患者年龄、性...
  • 一种隔离式半导体激光器、光发射组件及光模块,包括一个前段DFB激光器和一个后段DFB激光器;其中前段DFB激光器的激射波长为 ,后段DFB激光器的激射波长为,且;后段DFB激光器被配置为由直流电流驱动;前段DFB激光器被配置为工作于直流偏置...
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