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最新专利技术
  • 聚乙烯初生纤维及其制备方法和聚乙烯纤维的制备方法
    聚乙烯初生纤维及其制备方法和聚乙烯纤维的制备方法_东华大学_202610078354.0
    本发明属于聚乙烯纤维制备技术领域，涉及一种聚乙烯初生纤维及其制备方法和聚乙烯纤维的制备方法。聚乙烯初生纤维的制备方法：控制聚乙烯熔体从喷丝孔挤出后，流入与喷丝孔一一对应且共轴的三段式竖直流道，按预设温度梯度降温冷却制得聚乙烯初生纤维，流道形...
    2026-03-07
  • 一种竹原纤维的联合脱胶工艺
    一种竹原纤维的联合脱胶工艺_柳州福瑞特汽车零部件有限公司_202511705295.7
    本发明公开了一种竹原纤维的联合脱胶工艺。包括以下步骤：S1、将竹子截断并剖成竹片，随后进行辊压，接着加入水中进行蒸煮，得到预处理竹片；S2、将预处理竹片加入软化液中，进行浸泡处理，得到软化竹片；S3、将软化竹片用水冲洗后梳解、开纤，随后加入...
    2026-03-07
  • 一种多重复合除杂的羽绒深度除杂装置
    一种多重复合除杂的羽绒深度除杂装置_江苏绒汇羽绒科技有限公司_202511626263.8
    本发明公开了一种多重复合除杂的羽绒深度除杂装置，包括底柱、净化除杂腔、筛分除杂腔、分散传料腔、杂质收集腔和左进料口；所述底柱上固定连接有净化除杂腔，净化除杂腔的前端外壁上开设有检查口，检查口的外侧设置有密封门，净化除杂腔的一侧外壁上开设有舱...
    2026-03-07
  • 一种运动发酵单胞菌终止子文库及其构建方法和应用
    一种运动发酵单胞菌终止子文库及其构建方法和应用_湖北大学_202511603524.4
    本发明涉及生物技术领域，尤其涉及一种运动发酵单胞菌终止子文库及其构建方法和应用。本发明通过终止子预测、引物设计、测序分析及效率计算，筛选获得高鲁棒性、稳定高效的运动发酵单胞菌终止子文库。该文库中的终止子序列重复性低，且与已知转录终止位点匹配...
    2026-03-07
  • 一种晶片防粘传输机构
    一种晶片防粘传输机构_苏州芯指南科技有限公司_202511676949.8
    本发明涉及一种晶片防粘传输机构，其包括机座、驱动电机、第一偏心轮、滑动件、支承组件和第二偏心轮，支承组件包括摆件和杆件；通过将杆件插入装片框以提取晶片，并借助驱动电机驱动第一偏心轮转动，以带动滑动件作上下方向往复运动，进一步通过滑动件驱动第...
    2026-03-07
  • 硅电极的刻蚀设备及刻蚀方法
    硅电极的刻蚀设备及刻蚀方法_杭州盾源聚芯半导体科技有限公司_202511626047.3
    本申请涉及刻蚀设备技术领域，并公开了一种硅电极的刻蚀设备，其中，硅电极的刻蚀设备包括，承载组件，承载组件用于承载硅电极；刻蚀组件，刻蚀组件包括沿第一方向依次间隔设置的若干个槽体，槽体朝上设置有开口，槽体在第二方向上具备第一深度，若干个槽体内...
    2026-03-07
  • 一种改善尖晶石NiZn铁氧体单晶小球铁磁共振线宽的处理方法
    一种改善尖晶石NiZn铁氧体单晶小球铁磁共振线宽的处理方法_西南应用磁学研究所(中国电子科技集团公司第九研究所)_202511739387.7
    本发明涉及铁氧体单晶材料技术领域，具体涉及一种改善尖晶石NiZn铁氧体单晶小球铁磁共振线宽的处理方法，包括以下步骤：将尖晶石NiZn铁氧体单晶小球，在高氧压高温条件下进行退火处理，并缓慢冷却至室温，退火结束后，释放压力即得。本发明采用高氧压...
    2026-03-07
  • 导热吸波SiC晶体的制备方法、导热吸波SiC晶体
    导热吸波SiC晶体的制备方法、导热吸波SiC晶体_嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司_202511836206.2
    本发明涉及一种导热吸波SiC晶体的制备方法、导热吸波SiC晶体，具体涉及半导体领域，所述制备方法包括：对含微管的碳化硅晶体在保护气氛下依次进行氧化处理和挥发处理，得到导热吸波SiC晶体。本发明提供的制备方法，通过对碳化硅晶体内微管壁进行氧化...
    2026-03-07
  • 一种双折射晶体及其制备方法
    一种双折射晶体及其制备方法_天津大学_202511732360.5
    本发明属于双折射晶体材料制备技术领域，涉及一种双折射晶体及其制备方法与应用；所述双折射晶体的化学式为(C66H77N22O)(NH22SO33)，属于正交晶系，空间群为Pna211；其晶胞参数为a=17.2986(5) Å；b=7.3895...
    2026-03-07
  • 一种1T’-MoTe2单晶的制备方法
    一种1T’-MoTe2单晶的制备方法_浙江光电子研究院_202511925903.5
    本发明提出一种1T’‑MoTe22单晶的制备方法，该方法包括：A、将钼粉、碲粉进行称量；B、将称量好的粉末倒入研钵中混合研磨；C、将研磨的合金粉末倒入刚玉坩锅中；D、将刚玉坩锅放置于S1石英玻璃管中；E、密封S1石英玻璃管；F、将S1石英玻...
    2026-03-07
  • 一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法
    一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法_锐诺光学科技(武汉)有限公司_202511724204.4
    本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体公开了一种用于改善长厚碳化硅晶体质量的生长装置及方法；装置包括坩埚桶、隔热硬毡、过滤多孔桶、生长机构和分区加热结构；隔热硬毡设于坩埚本体内，形成多个独立的原料腔室，各腔室设有过滤多孔桶；生长机构包含可升...
    2026-03-07
  • 一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法
    一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法_山东晶量新材料有限责任公司_202512011936.5
    本发明提供了一种近化学计量比铌酸锂晶体及其生长方法，涉及晶体生长技术领域。生长方法包括以下步骤：将坩埚内部从上到下分成第一温区和第二温区，第一温区位于上方，第二温区位于下方，将Li源/Nb源比为50/50的生长原料装填于第二温区处，富锂原料...
    2026-03-07
  • 一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用
    一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用_南开大学_202511639608.3
    本发明提供一种基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜及其生长方法和应用，属于铁电薄膜生长方法领域。所述基于Si衬底的无裂纹铌酸锂薄膜，衬底选自Si基片，靶材选自固相反应法制备的掺铒2.0 mol%~5.0 mol%的同成分铌酸锂陶瓷、掺铁5.0 m...
    2026-03-07
  • 一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用
    一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用_上海阿波罗机械股份有限公司_202511690222.5
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种钙钛矿单晶材料的制备方法及其应用。具体是一种在已制得的MAPbBr33单晶基础上，通过改变前驱体卤素组分比例，实现MAPbBr2.72.7Cl0.30.3单晶在其表面的外延生长，形成连续完整的单晶...
    2026-03-07
  • 蓝宝石晶体生长控制系统和方法
    蓝宝石晶体生长控制系统和方法_天通银厦新材料有限公司_202511625936.8
    本申请涉及电力物联网通信安全与实时计算技术领域，具体涉及一种蓝宝石晶体生长控制系统和方法，系统包括数据采集模块、历史数据库、预测控制模块和执行控制模块，数据采集模块包括静态特征数据及动态特征数据；静态特征数据包括目标重量、填料量、晶体晶向和...
    2026-03-07
  • 一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用
    一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用_河南省科学院半导体研究所_202511700500.0
    本发明属于双折射晶体材料技术领域，具体涉及一种具有大的双折射率的拓扑结构晶体及其制备方法和应用。所述具有大的双折射率的拓扑结构晶体的的化学式为KZn33B22O66F，属于六方晶系，空间群为P633/m，晶胞参数为α＝90°，β＝90°，γ...
    2026-03-07
  • 一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉
    一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511762453.2
    本公开提供了一种用于晶棒生长的控制装置、方法以及拉晶炉，装置应用于包含加热器和用于容纳硅熔体的石英坩埚的单晶炉中，装置包括环形气体导流结构和环状喷射结构，其中，环形气体导流结构，被配置为同轴地悬置于石英坩埚上方，并径向地位于单晶炉的待拉制晶...
    2026-03-07
  • 磷扩散方法和磷扩散炉
    磷扩散方法和磷扩散炉_拉普拉斯新能源科技股份有限公司_202511544913.4
    本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种磷扩散方法和磷扩散炉，以减少磷扩散工艺中留在过滤器内的固体量，延长过滤器的滤芯使用寿命。该磷扩散方法包括：打开炉体的炉门之后，抽取炉体内的尾气，以使空气进入炉体内，并使空气连同尾气依次流过冷却器和过滤器，...
    2026-03-07
  • 一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法
    一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法_国机金刚石(河南)有限公司_202511730882.1
    本发明属于超精密加工技术领域，涉及一种用于树脂切削抗粘附的单晶金刚石刀具表面处理方法。该方法先将切削过树脂工件的刀尖加热至树脂软化温度，用工具轻刮去除软化树脂，避免划伤刀具表面，初步降低刀具表面粗糙度。通过超精密抛光预处理，进一步降低刀具表...
    2026-03-07
  • 一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法
    一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法_哈工大郑州研究院_202511731761.9
    本发明公开了一种具有界面弱结合结构的可剥离多晶金刚石的MPCVD生长方法，涉及金刚石材料制备技术领域，通过构建缓释界面层、低温高甲烷浓度形核以及高温低甲烷渐变生长，实现金刚石膜的厚度可达100‑1000µm。通过力学模型调控冷却应力，并辅以...
    2026-03-07
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