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最新专利技术
  • 一种红光高压LED芯片及其制备方法
    一种红光高压LED芯片及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511696836.4
    本发明涉及一种红光高压LED芯片及其制备方法，红光高压LED芯片由若干个规则排布的单元芯粒组成，相邻单元芯粒之间设置有第一蚀刻沟槽和第二蚀刻沟槽，相邻单元芯粒之间采用通孔桥接电极实现电连接；通孔桥接电极包括依次连接的P侧连接段、桥接段和N侧...
    2026-02-28
  • 一种发光二极管及发光器件
    一种发光二极管及发光器件_厦门三安光电有限公司_202511543377.6
    本发明提供一种发光二极管及发光器件，发光二极管的半导体叠层包括自下而上依次堆叠的第一半导体层、有源层及第二半导体层，半导体叠层形成多个凸台结构，相邻的凸台结构之间为相互交错的间隔区，间隔区的第一半导体层中形成有凹槽结构，间隔区的投影面积之和...
    2026-02-28
  • LED显示设备的制造方法
    LED显示设备的制造方法_苏州秋水半导体科技有限公司_202310659165.9
    本申请公开了LED显示设备的制造方法，该方法包括利用第一转移基板将第一LED芯片按压于驱动基板的安装面上，其中第一LED芯片承载于第一承载面上，第一LED芯片相对于第一承载面具有第一高度差；将第一LED芯片背离第一转移基板的一侧固定于安装面...
    2026-02-28
  • 一种发光元件及其制备方法
    一种发光元件及其制备方法_朗明纳斯光电(厦门)有限公司_202511566718.1
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种发光元件及其制备方法，发光元件包括基板、发光单元、第一导电层、绝缘层和第二导电层，发光单元位于基板上，包括外延层和波长转换层，外延层中设置有若干导电孔，导电孔贯穿其中的第一半导体层和有源层并暴露第二半导...
    2026-02-28
  • 发光二极管及发光装置
    发光二极管及发光装置_中山市众象美光照明有限公司_202511549677.5
    本发明属于半导体二极管技术领域，公开了发光二极管及发光装置，包括发光二极管组件，所述发光二极管组件包括发光管，所述发光管底部设置有二极管引脚，所述二极管引脚底部设置有用于导电接触连接的导电球头，本发明发光二极管组件安装时，将发光管底部的二极...
    2026-02-28
  • 一种深紫外光电器件结构及其制作方法
    一种深紫外光电器件结构及其制作方法_广东省科学院半导体研究所_202511781879.2
    本申请提供了一种深紫外光电器件结构及其制作方法，涉及LED技术领域。该深紫外光电器件结构包括底座；位于底座上的光源；位于底座上的反射杯，反射杯盖设于光源上，且反射杯的内壁涂覆有紫外光高反射率的复合纳米颗粒阵列反射层；位于反射杯顶部的出光件。...
    2026-02-28
  • 发光装置和发光装置的制造方法
    发光装置和发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511729047.6
    本发明实施例提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述发光装置包括：基板；发光芯片，设置于所述基板上；第一荧光胶层，覆盖于所述发光芯片和所述基板上，所述第一荧光胶层包含第一荧光粉，所述第一荧光胶层具有凹凸不平的上表面；沉淀层，覆盖于所述...
    2026-02-28
  • 发光装置和发光装置的制造方法
    发光装置和发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511728994.3
    本发明实施例提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述发光装置包括：基板；发光芯片，设置于所述基板上；第一荧光胶层，覆盖于所述发光芯片和所述基板上，所述第一荧光胶层包括第一荧光粉；第二荧光胶层，覆盖于所述第一荧光胶层上，且所述第二荧光胶...
    2026-02-28
  • COB发光装置和COB发光装置的制造方法
    COB发光装置和COB发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511724910.9
    本发明实施例提供一种COB发光装置和一种COB发光装置的制造方法。所述COB发光装置，其特征在于，包括：基板，其上设有固晶区；多颗发光芯片，设置于所述基板的所述固晶区内；第一荧光胶层，覆盖于所述发光芯片的上表面并覆盖整个所述固晶区，所述第一...
    2026-02-28
  • 发光装置和发光装置的制造方法
    发光装置和发光装置的制造方法_普瑞光电(厦门)股份有限公司_202511724586.0
    本发明实施例提供一种发光装置和一种发光装置的制造方法。所述发光装置包括：基板；发光芯片，设置于所述基板上；第一荧光胶层，仅覆盖于所述发光芯片的上表面，所述第一荧光胶层包含第一荧光粉；沉淀层，覆盖于所述第一荧光胶层、所述发光芯片的侧面和所述基...
    2026-02-28
  • 一种深紫外LED的无机封装结构及其制备方法
    一种深紫外LED的无机封装结构及其制备方法_苏州紫灿科技有限公司_202511570739.0
    本发明提供一种深紫外LED无机封装结构及其制备方法，上述深紫外LED的无机封装结构既通过全无机封装设计(无有机粘接剂)避免了半无机封装中有机材料受紫外线照射黄化裂化失效的问题，保障了封装可靠性；又相比现有无机封装省去了透镜表面金属化步骤，极...
    2026-02-28
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_厦门三安光电有限公司_202511264591.8
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，发光二极管中形成有第一绝缘层，该第一绝缘层的第一部分环绕第一电极设置，第二部分环绕第二台面和第一台面之间的侧壁以及部分第二台面的表面设置。第一绝缘层的设置使得第一部分和第二部分在第一电极周围和第二电极周围...
    2026-02-28
  • 一种发光二极管及发光装置
    一种发光二极管及发光装置_湖北三安光电有限公司_202511588096.2
    本申请提供一种发光二极管及发光装置，本申请的发光二极管取消第二半导体层上方的电流阻挡层，因此减少了产生吸光的材料层，能够增加被反射的光；另外，通过改善金属电极的材料，选择具有高反射率的技术材料，例如Cr/Ag、Ti/Ni/Ag等，提高金属电...
    2026-02-28
  • 发光基板及其制备方法和显示装置
    发光基板及其制备方法和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411106295.0
    提供了一种发光基板及其制备方法和显示装置。发光基板包括衬底基板和设置在衬底基板上的多个发光芯片；发光芯片包括：第一电极和位于第一电极远离衬底基板一侧的发光主体，多个发光主体在第一方向和第二方向上成阵列排布；发光主体包括依次远离衬底基板设置的...
    2026-02-28
  • 一种高色域LED芯片结构及其制备方法
    一种高色域LED芯片结构及其制备方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511731978.X
    本发明适用于半导体LED显示技术领域，提供了一种高色域LED芯片结构及其制备方法，高色域LED芯片结构包括从下至上依次设置的衬底材料、缓冲层、第一半导体层、绿波量子阱层、电子空穴调节层、蓝波量子阱层、第二半导体层、电流阻挡层和电流扩展层，还...
    2026-02-28
  • 绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
    绿光Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED_江西兆驰集成科技有限公司_202610077889.6
    本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。绿光Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、第一应力平衡层、非掺杂GaN层、第二应力平衡层、N型GaN层、电子调控层、多量子阱层和P...
    2026-02-28
  • 一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法
    一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202610049138.3
    本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种显示屏用红光LED外延片及其制备方法，该红光LED外延片自下而上依次为GaAs衬底、缓冲层、DBR反射层、N型限制层、第一N型双稀释波导层、N型单稀释波导层、第二N型双稀释波导层，应变改善型发光有源层，...
    2026-02-28
  • 一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片
    一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片_江西兆驰半导体有限公司_202511669364.3
    本发明提供一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，涉及半导体器件技术领域，LED外延结构包括衬底以及层叠于衬底之上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层，多量子阱层包括浅量子阱层、层叠于浅量子阱层之...
    2026-02-28
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511649141.0
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统，可以提高太阳能电池的发电效率。包括：硅基底；硅基底的受光面具有若干凹陷部和若干凸起部；凸起部和凹陷部交替排列；凹陷部和凸起部的表面形成有绒面结构。
    2026-02-28
  • 高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统
    高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统_中国移动通信有限公司研究院_202511645352.7
    本申请涉及光电器件技术领域，提供一种高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统。高饱和光电二极管封装结构包括：光电二极管，光电二极管包括顶部电极和底部电极；高导热衬底，光电二极管以倒装方式设置于高导热衬底上；高导热衬底上设置有与顶部电极电连...
    2026-02-28
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