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最新专利技术
  • 高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统
    高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统_中国移动通信有限公司研究院_202511645352.7
    本申请涉及光电器件技术领域，提供一种高饱和光电二极管封装结构及光纤射频传输系统。高饱和光电二极管封装结构包括：光电二极管，光电二极管包括顶部电极和底部电极；高导热衬底，光电二极管以倒装方式设置于高导热衬底上；高导热衬底上设置有与顶部电极电连...
    2026-02-28
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511752260.9
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括切片电池主体，切片电池主体具有切割面，切割面上覆盖有钝化层，钝化层含有X‑H键和/或X‑O‑H键，X为钝化层中与H原子键合的元素；切片电池主体包括捕氢层，捕氢层由捕氢原子自切割面...
    2026-02-28
  • 一种太阳能电池及其制作方法
    一种太阳能电池及其制作方法_扬州乾照光电有限公司_202512002932.0
    本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，包括衬底；外延结构，所述外延结构设于所述衬底的一侧表面上；欧姆接触层，所述欧姆接触层设于所述外延结构背离所述衬底的表面；栅线电极，所述栅线电极与所述欧姆接触层形成接触；背电极，所述背电极设于所述衬底背...
    2026-02-28
  • 无主栅背接触电池组件及光伏系统
    无主栅背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511570604.4
    本发明公开了一种无主栅背接触电池组件及光伏系统，所述无主栅背接触电池组件包括沿第一方向排布的无主栅背接触电池片，所述无主栅背接触电池片的背光面具有沿第一方向交替排列且极性相反的栅线、沿第二方向交替排列且极性相反的pad点，所述pad点与极性...
    2026-02-28
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610068239.5
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，该太阳能电池包括：硅基底，硅基底的背光面上包括沿第一方向交替设置的掺杂区域，相邻的掺杂区域之间设置沟槽区域，沟槽区域与相邻掺杂区域之间具有斜面，斜面上至少具有一个台阶面。使...
    2026-02-28
  • 晶硅热电子太阳能电池及光伏组件
    晶硅热电子太阳能电池及光伏组件_成都特频微电子科技发展有限公司_202511770771.3
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开了晶硅热电子太阳能电池及光伏组件，包括硅衬底，硅衬底包括P型区和位于P型区光照面一侧的n型区；硅衬底的光照面设置有银收集栅电极，硅衬底的背侧设置有银引出电极；硅衬底内在银收集栅电极相对应的位置设置有Ag...
    2026-02-28
  • 一种超快光电导材料结构及太赫兹光电导器件
    一种超快光电导材料结构及太赫兹光电导器件_南京大学_202411105031.3
    本发明公开了一种超快光电导材料结构，其特征在于，包括衬底层和稀土掺杂的In1‑x‑1‑x‑yyGaxxAlyyAs半导体功能层，其中在稀土掺杂的In1‑x‑y1‑x‑yGaxxAlyyAs半导体功能层中，稀土材料以岛状结构分布，且稀土材料形...
    2026-02-28
  • 硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法
    硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法_北京智创芯源科技有限公司_202511766453.X
    本发明涉及一种硅基碲镉汞材料、红外焦平面探测器及其制备方法。本发明的硅基碲镉汞材料，包括：硅衬底和生长在在所述硅衬底正面的碲化镉缓冲层和碲镉汞层；所述硅衬底背面设置有光学超表面结构，所述光学超表面结构由周期排列的微结构单元组成；所述微结构单...
    2026-02-28
  • 背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件
    背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610079119.5
    本申请涉及一种背接触电池的制备方法、背接触电池和光伏组件。背接触电池的制备方法包括：提供硅基底，硅基底包括沿其厚度方向相对设置的第一面和第二面，在第一面形成第一纹理结构，对硅基底进行第一扩散处理，在硅基底的第一面形成具有第一导电类型的第一扩...
    2026-02-28
  • 一种背入射式光电探测器及其制备方法
    一种背入射式光电探测器及其制备方法_无锡华兴光电研究有限公司_202511762841.0
    本申请公开了一种背入射式光电探测器及其制备方法，可用于半导体器件制备领域，该方法中，首先，将完成正面工艺的光电探测器晶圆倒置于绝缘基底上进行键合；而后，通过刻蚀去除光电探测器晶圆衬底侧预设区域内的衬底以及部分功能层，暴露光电探测器晶圆中的金...
    2026-02-28
  • 电池串的制备方法、焊带和光伏组件
    电池串的制备方法、焊带和光伏组件_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511722619.8
    本申请实施例提供一种电池串的制备方法、焊带和光伏组件，其中电池串的制备方法，包括：接收电池片基体；在电池片基体的表面镀设第一状态导电浆料，形成细栅和/或主栅图案，第一状态导电浆料的粘度为50 Pa·s~100 Pa·s、触变指数为1.5~3...
    2026-02-28
  • 采用一次外延过程同时获得刚性太阳电池和柔性太阳电池的方法
    采用一次外延过程同时获得刚性太阳电池和柔性太阳电池的方法_中电科蓝天科技股份有限公司_202511667275.5
    本发明公开了一种采用一次外延过程同时获得刚性太阳电池和柔性太阳电池的方法，从单一锗晶圆上，通过一次外延过程，可以获得一个高性能的刚性三结砷化镓太阳电池和一个高性能的柔性砷化镓三结/双结太阳电池，单次昂贵的外延生长过程可同时产出两片完整的、高...
    2026-02-28
  • 一种基于Zn0.9Fe0.1O/MoO3异质结的紫外光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于Zn0.9Fe0.1O/MoO3异质结的紫外光电探测器及其制备方法和应用_哈工大苏州研究院_202511644232.5
    本发明公开了一种基于Zn0.90.9Fe0.10.1O/MoO33异质结的紫外光电探测器及其制备方法和应用，属于光探测技术领域。本发明解决了现有ZnO作为紫外光电检测材料使用时存在的响应速度和探测率待提高的问题。本发明通过磁控溅射方法将Mo...
    2026-02-28
  • 异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法
    异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法_欧昊新能源电力(甘肃)有限责任公司_202511558366.5
    本发明涉及太阳能电池镀膜技术领域，具体是异质结太阳能电池PVD段缩短首阴极镀膜距离的提效方法，包括以下步骤：S1、对硅片进行吸杂制绒处理；S2、在CVD设备中依次镀制背面本征层、正面本征层、正面掺杂层和背面掺杂层；S3、将硅片送入PVD设备...
    2026-02-28
  • 一种纳米压印全开口细栅精准成型装置
    一种纳米压印全开口细栅精准成型装置_苏州达阳光电科技有限公司_202511534105.X
    本发明公开了一种纳米压印全开口细栅精准成型装置，涉及光伏板制造技术领域，解决了现有的技术方案存在定位调整自由度不高、自动化程度低流程分散的技术问题，包括主机体和压印头，所述主机体上固定安装有C形架，所述C形上安装有压印调整结构，所述压印调整...
    2026-02-28
  • 一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法
    一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法_眉山琏升光伏科技有限公司_202511418372.0
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种基于纳米材料增强吸光的太阳能电池及其制备方法，包括金属有机框架纳米颗粒、DMF(N, N‑二甲基甲酰胺)、乙醇和水。将金属有机框架纳米颗粒引入晶硅异质结电池的制绒工序，形成具有纳米级多孔结构的表面，...
    2026-02-28
  • 太阳能电池的制备方法及太阳能电池
    太阳能电池的制备方法及太阳能电池_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411111874.4
    本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，制备方法包括如下步骤：对硅基底进行表面处理；依次在硅基底背面制备隧穿层与本征多晶硅层；在所述本征多晶硅层上分别形成图案化的N型掺杂源层、P型掺杂源层，并使得所述N型掺杂源层与所述P型掺杂源层...
    2026-02-28
  • 半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器
    半导体结构、半导体结构的制造方法及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610064029.9
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法和图像传感器，该半导体结构包括：基底；形成于基底表面的隔离结构；隔离结构包括层间隔离结构和区间隔离结构；设置于基底上的光电功能层；光电功能层用于基于光电效应实现光电信号转换；光电功能层包括多个沿基...
    2026-02-28
  • 基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元
    基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元_天津大学_202511771697.7
    本发明涉及CMOS图像传感器(CIS)领域，为提供一种基于梯度掺杂形成类PN结虚拟势垒的BSI‑CIS像素结构，通过虚拟势垒内建电场的动态调控，实现可见光范围内量子效率的显著提升。为此，本发明，基于类PN结虚拟势垒背照式图像传感器像素单元，...
    2026-02-28
  • 硅探测器及其制造方法
    硅探测器及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511658470.1
    本发明提供一种硅探测器及其制造方法。该硅探测器包括硅衬底、设置于硅衬底正面的有源区以及设置于硅衬底背面的磷掺杂层。其制造方法包括：提供硅衬底并在其正面形成有源区；对硅衬底背面进行减薄；向减薄后的背面注入磷离子形成磷掺杂层；以及对硅衬底进行退...
    2026-02-28
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