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最新专利技术
  • 埋嵌框架、内埋基板及制备方法、电源装置及电子设备
    埋嵌框架、内埋基板及制备方法、电源装置及电子设备_华为技术有限公司_202411069417.3
    本申请实施例公开了一种埋嵌框架、内埋基板、电源装置、电子设备及内埋基板的制备方法。该埋嵌框架包括芯部保持体、第一布线层和第一绝缘层；芯部保持体包括相对设置的两侧板面，第一布线层设置在芯部保持体的一侧板面上，第一绝缘层覆于第一布线层的外部；该...
    2026-03-03
  • 多层堆叠存储器封装方法及封装结构
    多层堆叠存储器封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511695340.5
    本公开实施例提供一种多层堆叠存储器封装方法及封装结构，该方法包括：提供多个硅转接芯片和多个存储器芯片，硅转接芯片设置有多个贯穿其厚度的硅通孔；将硅转接芯片和存储器芯片平铺设置；形成包裹硅转接芯片和存储器芯片的第一塑封层；在第一塑封层的第一表...
    2026-03-03
  • 封装件及其形成方法
    封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511523605.3
    本发明实施例提供一种封装件及其制造方法。该封装件包括半导体管芯、绝缘层包封体以及重布线结构。重布线路结构包括介电层和嵌入介电层中的堆叠的通孔结构。堆叠的通孔结构包括第一通孔插塞、包括多个第一掺质的第一扩散层、第二通孔插塞和包括多个第二掺质的...
    2026-03-03
  • 基板
    基板_三星电子株式会社_202511095892.2
    一种基板包括：核心层，包括有源区域和虚设区域，在有源区域中安装有半导体芯片，虚设区域围绕有源区域；多个贯通通路，设置在有源区域中并且穿过核心层；多个虚设贯通通路，设置在虚设区域中并且穿过核心层；多个上连接焊盘，在有源区域中设置在核心层的上表...
    2026-03-03
  • 半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法
    半导体装置、基板单元及基板单元的制造方法_铠侠股份有限公司_202510027855.1
    一个实施方式提供能够抑制不良状况的发生的半导体装置、基板单元及半导体装置的制造方法。一个实施方式的半导体装置具备基板、电子部件、多个接合部、以及第1金属部。所述基板具有第1面、位于所述第1面的相反侧的第2面、以及跨所述第1面的第1边缘与所述...
    2026-03-03
  • 基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构
    基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构_杭州电子科技大学_202511682599.6
    本发明涉及一种基于双面冷却和全对称布局的功率模块封装结构。它解决了现有技术中双面冷却封装结构无法协同实现低寄生电感、高效均匀散热与高机械可靠性的问题。它包括功率模块主体，功率模块主体上下两侧分别设置有上层基板和下层基板，上层基板和下层基板周...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411096146.0
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一互连通孔结构，从第一面嵌于第一基底结构中；第二互连通孔结构，从第二面嵌于第一基底结构，第二互连通孔结构与第一互连通孔结构的位置相对应，且与第一互连通孔结构相连接。与直接从第一面贯穿第一基底结构...
    2026-03-03
  • 一种功率模组、功率设备及光伏发电系统
    一种功率模组、功率设备及光伏发电系统_华为数字能源技术有限公司_202411091325.5
    本申请公开了一种功率模组、功率设备及光伏发电系统。功率模组包括基板、第一功率器件、共烧陶瓷模块以及封装体。第一功率器件位于基板的一表面，第一功率器件与基板电连接。共烧陶瓷模块位于第一功率器件的背离基板的一侧，共烧陶瓷模块与第一功率器件间隔设...
    2026-03-03
  • 一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法
    一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法_深圳市唯亮光电科技有限公司_202511968384.0
    本申请涉及一种带有可润湿侧翼的框架单元、封装结构及其制备方法。框架单元包括金属基板，金属基板上形成有焊盘区域和连接筋，连接筋从焊盘区域伸出，连接筋上形成有可润湿侧翼，可润湿侧翼的根部为上宽下窄的渐变型截面。本申请能够在全金属连接筋的特定位置...
    2026-03-03
  • 一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺
    一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺_泰州麒润电子有限公司_202511691641.0
    本发明涉及引线框架生产技术领域，具体涉及一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺，其中铜带包括具有异形截面的铜基合金主体，铜基合金主体上同时存在成梯度分布的纳米级、亚微米级和微米级三级析出相，纳米级分布于晶内盒位错区、亚微米级和...
    2026-03-03
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511652155.8
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括多个间隔排布的管脚，所述管脚包括导电支撑部和导电引出部，所述导电支撑部包括相对设置的顶面和底面，所述导电引出部电连接于所述导电支撑部的底面，所述导电引出部至少包括底部焊接层...
    2026-03-03
  • 半导体模块装置
    半导体模块装置_英飞凌科技股份有限公司_202511115764.X
    公开了一种半导体模块装置，包括：第一衬底，包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层，其中，第一金属化层包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分；两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括第一接触焊盘、第二接触焊盘...
    2026-03-03
  • 用于增强热操作的模制功率半导体封装
    用于增强热操作的模制功率半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511115762.0
    本公开内容涉及用于增强热操作的模制功率半导体封装。一种半导体装置包括：管芯载体；第一半导体管芯，至少包括第一负载电极和第二负载电极，其中，第一半导体管芯安装在管芯载体上，其中，第一负载电极电连接至管芯载体；第一组外部连接件，电和热地连接至管...
    2026-03-03
  • 利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装
    利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装_意法半导体国际公司_202511095340.1
    本公开涉及利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括引线框架封装的电气系统，其利用集成绝缘层将引线框架封装内的集成电路与一个或多个电气组件电绝缘。示例引线框架封装包括集成电路基板和集...
    2026-03-03
  • 一种半导体封装结构及封装方法
    一种半导体封装结构及封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511760012.9
    本发明公开一种半导体封装方法，包括以下步骤：制备带有第一层再布线层的晶圆或芯片；将晶圆或芯片，或晶圆或芯片及支撑材料贴装到载板上，塑封，去除载板，将第一层再布线层暴露出来；在第一层再布线层上制作第二层再布线层，电镀金属线路层及支撑框架；按需...
    2026-03-03
  • 多层堆叠芯片封装方法及封装结构
    多层堆叠芯片封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511699656.1
    本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供临时载板并在其上形成多个导电柱；将多个芯片的背面固定于临时载板；形成包裹芯片和导电柱的第一塑封层，并露出芯片的正面和导电柱的表面；在第一塑封层的第一表面形成分别与导电柱以及...
    2026-03-03
  • TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备
    TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610048743.9
    本发明公开了一种TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备，所述TGV大方板电镀后的处理方法包括以下步骤：S10、获取TGV电镀后的待处理基板；S20、将电镀后的所述待处理基板按照预设切割方式切割成多个独立的晶圆；S30、将切割后的...
    2026-03-03
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511727368.2
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端，载板结构用于连接集成电路和印制电路板，本申请实施例中，通过先在第一临时衬底上制备第一布线层，然后在第一布线层上制备基板，可以降低第一布线层的制备难度，减少第一布线层的制备过程中损坏...
    2026-03-03
  • 一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法
    一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701776.0
    本发明提供一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法，属于半导体封装技术领域，旨在提高金属在中介层的附着性能，所述制备方法包括：提供基材；其中，所述基材包括中介层，所述中介层包括多个通孔；将所述基材置于第一反应腔内，并在第一预设温度下向所述第一反应...
    2026-03-03
  • 一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极
    一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701615.1
    本申请提供一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极，涉及半导体加工技术领域，包括：提供玻璃基板；在玻璃基板上形成至少一个通孔，通孔的深宽比大于10 : 1；基于远端等离子化学气相沉积工艺，在第一温度下，在通孔内形成阻障层，阻障层...
    2026-03-03
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