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最新专利技术
  • 一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法_南昌大学_202610036933.9
    本发明涉及太阳电池技术领域，具体公开了一种低温焊料栅线硅异质结太阳电池及其制备方法。该太阳电池在硅异质结太阳电池表面与低温焊料栅线之间含有合金薄膜过渡层；所述的合金薄膜过渡层，其成份按质量百分比计为含铜和/或镍95‑100%、锡0‑5%；所...
    2026-03-04
  • 一种太阳能电池及光伏组件
    一种太阳能电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610036190.5
    本申请涉及光伏技术领域，特别是一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底以及依次层叠设置在基底第一表面上的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、缓冲结构、第一钝化层和电极。沿基底的厚度方向，电极位于缓冲结构的投影范围内，以使缓冲结构与电极贯穿第一钝化...
    2026-03-04
  • 一种光伏双面电池和组件
    一种光伏双面电池和组件_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610055581.1
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种光伏双面电池和组件，包括第一单元片和第二单元片，所述第一单元片与所述第二单元片叠合，在第一方向上，所述第一单元片设有第一表面和第二表面，所述第二单元片设有第三表面和第四表面，所述第二表面与所述第三表面相对...
    2026-03-04
  • 太阳能电池、印刷网板、制备方法和光伏组件
    太阳能电池、印刷网板、制备方法和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610045742.9
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、印刷网板、制备方法和光伏组件，电池包括：硅基底；栅线结构，位于硅基底的表面处，栅线结构包括多条主栅、多条细栅和多个鱼叉结构，鱼叉结构与主栅的端部连接，主栅与细栅的延伸方向相交，一部分细栅与鱼叉结...
    2026-03-04
  • 一种背接触电池、叠层电池及光伏组件
    一种背接触电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610043478.5
    本公开涉及光伏技术领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，背接触电池，包括基底及设于其第一侧的多根极性不同的第一细栅与第二细栅，二者沿第一方向间隔排布、沿第二方向延伸。第一边缘连接线与第一细栅电性连线，第二边缘连接线与第二细栅电性连线...
    2026-03-04
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511642875.6
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。包括太阳电池半成品和设置在太阳电池半成品上的电极结构，太阳电池半成品的材质包括硅，电极结构包括：接触层、及依次叠层设置于接触层上的扩散抑制层、导电层；导电层的材质包括第一金属，...
    2026-03-04
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511606051.3
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法，包括：电池基片、第一透明导电层、栅线结构及第二透明导电层，其中电池基片包括在第一方向上相对设置的第一受光面和第一背光面；第一透明导电层位于第一受光面和第一背光面；栅线结构位于第一透明导电层远离电池基片的...
    2026-03-04
  • 一种光电转换方法及其应用
    一种光电转换方法及其应用_赣南医科大学_202511701884.8
    本发明提供了一种光电转换方法及其应用。所述光电转换方法包括：使选定波长的光照射异质结器件，以使异质结器件产生光电流和/或光电势差；其中，异质结器件由直接接触的GaN层和单层石墨烯(SLG)组成，GaN层与SLG的接触面为GaN的N面或r面。...
    2026-03-04
  • 太阳能电池片及其制造方法
    太阳能电池片及其制造方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511793401.1
    本申请提供了一种太阳能电池片，包括：基底，包括相互背离的第一表面和第二表面，第一表面和第二表面中的至少一者设置有掺杂层，在掺杂层远离基底一侧设置有钝化层；钝化层具有开口区域和非开口区域；掺杂层相邻于开口区域的部分为第一掺杂部，掺杂层除了第一...
    2026-03-04
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(眉山)有限公司_202511639389.9
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及太阳电池及制备方法、光伏组件。本申请公开的太阳电池包括：硅基底；设置在硅基底表面的第一掺杂硅层，第一掺杂硅层中含有第一类掺杂原子和第二类掺杂原子，第一类掺杂原子包括硼、镓或铟中的一种或多种，第二类掺杂原子包括...
    2026-03-04
  • 一种基于Ta2NiSe5/ReSe2 I型异质结的自驱动偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用
    一种基于Ta2NiSe5/ReSe2 I型异质结的自驱动偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511897203.X
    本发明属于二维材料光电器件技术领域，更具体的说是涉及一种基于Ta22NiSe55/ReSe22 I型异质结的自驱动偏振敏感光电探测器及其制备方法和应用。该自驱动偏振敏感光电探测器包括由下至上依次为Si/SiO22衬底、Ta22NiSe55层...
    2026-03-04
  • 一种具有模拟神经形态功能的纳米流体光电能量转换异质膜及其制备方法和应用
    一种具有模拟神经形态功能的纳米流体光电能量转换异质膜及其制备方法和应用_河北师范大学_202511722349.0
    本发明提供了一种具有模拟神经形态功能的纳米流体光电能量转换异质膜及其制备方法和应用，属于纳米流体基神经形态模拟技术领域。本发明所述纳米流体光电能量转换异质膜由Ⅱ型异质结组成，所述Ⅱ型异质结由金属氧化物纳米颗粒负载于半导体纳米片堆叠的二维层状...
    2026-03-04
  • 不良电池片的处理方法
    不良电池片的处理方法_通威太阳能(成都)有限公司_202511757007.2
    本申请提供了一种不良电池片的处理方法，处理方法包括以下步骤：提供不良电池片，不良电池片包括硅衬底和非晶硅层，硅衬底的至少一侧表面为绒面，非晶硅层设于硅衬底的表面上；将不良电池片在150℃~250℃下进行退火处理，得到退火电池片；对退火电池片...
    2026-03-04
  • 一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法
    一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法_苏州大学_202610049811.3
    本申请涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种具有局域pn结的背接触TOPCon晶硅太阳电池及其制备方法。包括：S1、在n型硅衬底的背面形成TOPCon结构；S2、在n型硅衬底的正面和TOPCon结构的背面形成介质膜；S3、在背面的介质膜上印刷含...
    2026-03-04
  • 光伏电池及其制备方法、光伏组件
    光伏电池及其制备方法、光伏组件_润马光能科技(金华)有限公司_202511942339.8
    本申请公开了一种光伏电池及其制备方法、光伏组件，涉及光伏电池技术领域；方法步骤包括：步骤1：对衬底进行制绒、扩散、氧化处理，使所述衬底表面形成氧化硅层且形成PN结；步骤2：在所述衬底的至少一个预切片位置采用激光进行激光开膜处理，烧蚀PN结以...
    2026-03-04
  • 焊带取放设备和方法
    焊带取放设备和方法_无锡先导智能装备股份有限公司_202511850996.X
    本申请公开了一种焊带取放设备和方法。焊带取放设备包括搬运机构和定位机构；搬运机构包括两个沿第一方向间隔设置的夹持机构；定位机构设置于两个夹持机构之间，定位机构包括工装拾取组件、压针组件和限位组件；压针组件沿第三方向活动设置于工装拾取组件上；...
    2026-03-04
  • 一种TBC电池提高poly钝化效果的方法
    一种TBC电池提高poly钝化效果的方法_宜宾英发德睿科技有限公司_202511776467.X
    本发明公开了一种TBC电池提高poly钝化效果的方法，旨在解决传统LPCVD一步沉积i‑poly层与硼扩匹配性差、钝化效果不足的问题。该方法包括：在硅基底生长隧穿氧化层后，依次沉积三层差异化i‑poly层——前、后两层以低温低压形成致密结构...
    2026-03-04
  • 一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置
    一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置_河北冠德玻璃制品有限公司_202511775294.X
    本发明适用于光伏太阳能板生产技术领域，提供了一种光伏组件与玻璃基板热压复合生产装置，包括：固定架和支撑座，所述支撑座固定安装于固定架的中部；排气机构，所述排气机构设置于固定架的端部；升降支撑组件，所述升降支撑组件转动设置于支撑座上，且升降支...
    2026-03-04
  • 降低硅片间隙氧的方法和硅片
    降低硅片间隙氧的方法和硅片_晶科能源股份有限公司_202511724795.5
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种降低硅片间隙氧的方法和硅片，该方法包括：获取硅片；在硅片的表面形成损伤层；对形成损伤层的硅片进行第一退火处理；对第一退火处理后的硅片进行第二退火处理，第一退火处理的退火温度大于第二退火处理的退火温度，对第二...
    2026-03-04
  • 一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法
    一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法_河北大学_202511716422.3
    本发明提出了一种选区沉积制备透明锑基硫属薄膜及光电探测器的方法。本发明所提供的透明光电探测器结构包括透明玻璃衬底、图案化基底、光吸收层、宽带隙氧化物覆盖层和透明导电电极。所述的透明光吸收层为锑基硫属薄膜，选择性沉积在图案化基底上。锑基硫属薄...
    2026-03-04
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