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最新专利技术
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610032730.2
    本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。制备方法包括：提供基底，基底包括间隔设置的第一器件区和第二器件区；于各器件区上形成初始叠层结构，初始叠层结构包括初始栅极结构和第一介质层，第一介质层位于初始栅极结构远离基底的一侧；...
    2026-03-04
  • 包括PCB的功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法
    包括PCB的功率半导体封装和用于制造功率半导体封装的方法_英飞凌科技股份有限公司_202511094695.9
    一种功率半导体封装包括：金属板，所述金属板包括第一侧和相对的第二侧；侧壁，所述侧壁沿着金属板的第一侧的边缘延伸并且围绕金属板的第一侧的内部部分；至少一个管芯载体，所述至少一个管芯载体布置在金属板的第一侧的内部部分之上；功率半导体管芯，所述功...
    2026-03-04
  • 功率模块和功率模块的制备方法
    功率模块和功率模块的制备方法_环旭(深圳)电子科创有限公司_202511712031.4
    本申请提供了一种功率模块和功率模块的制备方法，功率模块包括：基板，具有并排在绝缘层上的第一电路层和第二电路层；位于基板上的第一预封装功率芯片，具有位于同一面的源极和信号极、与源极相对设置在另一面上的漏极，第一预封装功率芯片的源极和信号极朝向...
    2026-03-04
  • 场板制作方法以及半导体器件
    场板制作方法以及半导体器件_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511544172.X
    本申请提供了一种半导体器件的场板制作方法，包括以下步骤：提供一半导体结构，所述半导体结构包括中间介质层、形成在所述中间介质层上的停止层和形成在所述停止层上的刻蚀介质层；图形化所述刻蚀介质层和停止层，以形成场板开口，同时所述停止层在所述场板开...
    2026-03-04
  • SiC外延晶片和SiC器件
    SiC外延晶片和SiC器件_株式会社力森诺科_202511122975.6
    本发明为SiC外延晶片和SiC器件。本实施方式的SiC外延晶片，具备SiC基板和位于所述SiC基板的一面的SiC外延层。所述SiC外延层具有缓冲层和漂移层。所述缓冲层位于所述漂移层与所述SiC基板之间且杂质浓度比所述漂移层高。所述缓冲层的杂...
    2026-03-04
  • 一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件
    一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件_南京邮电大学_202511739091.5
    本发明公开了一种具有分区掺杂浮岛的双源极横向碳化硅功率器件，包括碳化硅N型掺杂半导体外延层、P型掺杂半导体阱、两个源极金属和若干个P型掺杂半导体浮岛；若干P型掺杂半导体浮岛等距并列布设在P型掺杂半导体阱一侧的碳化硅N型掺杂半导体外延层顶部；...
    2026-03-04
  • 复合终端结构和半导体器件
    复合终端结构和半导体器件_珠海格力电子元器件有限公司_202511694689.7
    本申请提供了一种复合终端结构和半导体器件，该复合终端结构，包括：衬底结构；多个在预定方向上间隔设置的掺杂区，位于衬底结构中，掺杂区包括掺杂区本体和沟槽，沟槽位于掺杂区本体中，掺杂区的掺杂类型与衬底结构的掺杂类型不同，预定方向为元胞指向终端的...
    2026-03-04
  • 具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法
    具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511619221.1
    本发明公开了一种具有本征半导体隔离区的碳化硅功率器件及其制备方法，通过在n型外延源区上刻蚀沟槽，并在沟槽底部进行离子注入形成pp区，使得pp区与n型外延源区在垂直方向上错位分布，减小了两者之间的接触面积；在n型外延源区上通过斜角离子注入形成...
    2026-03-04
  • 高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法
    高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511603004.3
    本发明公开了一种高抗单粒子烧毁能力的碳化硅功率器件及其制备方法，该器件包括：n型衬底、n型外延漂移层和漏极金属；n型外延漂移层的上部中间设有JFET区，所述JFET区的两侧均间隔设置离子注入区；所述离子注入区中设有p型屏蔽区、隔离层、pp区...
    2026-03-04
  • 半导体终端结构及半导体器件
    半导体终端结构及半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510700189.3
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体终端结构及半导体器件。该半导体终端结构包括：衬底；外延层，位于衬底上方，外延层具有第一离子掺杂类型；多个结终端扩展层，形成于外延层内，多个结终端扩展层具有第二离子掺杂类型；多个结终端扩展层将部分...
    2026-03-04
  • 薄膜晶体管
    薄膜晶体管_三星显示有限公司_202511068988.X
    提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底；有源图案，包括第一区域、第二区域和沟道区；栅电极，与沟道区叠置；栅极绝缘层，在有源图案与栅电极之间；第一电极，连接到第一区域；以及第二电极，连接到第二区域。沟道区包括与栅电极的侧表面叠置的第一...
    2026-03-04
  • 碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片
    碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片_深圳天狼芯半导体有限公司_202610056174.2
    本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片，通过在沟槽栅极的交叉区域内，形成深入至N型漂移区的中央区域的P型深阱和阱区互联层，在N型漂移区内形成悬浮P阱，悬浮P阱位于沟槽栅极的下方并与沟槽栅极相对设置...
    2026-03-04
  • 一种功率半导体器件
    一种功率半导体器件_上海超致半导体科技有限公司_202610049792.4
    本发明公开了一种功率半导体器件，包括：第一半导体本体，用于形成耗尽型晶体管；第二半导体本体，位于第一半导体本体的第一表面，用于形成第一增强型晶体管，且与耗尽型晶体管串联连接；第三半导体本体，位于第一半导体本体的第一表面，用于形成第二增强型晶...
    2026-03-04
  • 沟槽栅场效应管、芯片及电子设备
    沟槽栅场效应管、芯片及电子设备_深圳方正微电子有限公司_202511697043.4
    一种沟槽栅场效应管、芯片及电子设备，沟槽栅场效应管包括：衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层、栅极、隔离层、漏极、源极和第一层间介电层。漏极、衬底、漂移层、第一离子掺杂层、第二离子掺杂层和源极依次层叠设置；第一离子掺杂层与第二离子掺...
    2026-03-04
  • MOS晶体管及其制造方法
    MOS晶体管及其制造方法_株式会社电装_202510751482.2
    MOS晶体管具有配置在沟槽内的栅极绝缘膜及栅极电极。半导体基板具有：多个底部p型层，分别在对应的所述沟槽的底面与所述栅极绝缘膜相接；多个中间n型层，分别配置在底部p型层的间隔内；及超结层，配置在比所述各底部p型层靠下侧的位置。所述超结层的各...
    2026-03-04
  • 射频横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
    射频横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511692024.2
    本发明提供一种射频横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。该晶体管包括：半导体衬底、设置在衬底上的栅极结构、源极区和漏极区；多晶硅插塞，设置在漏极区上方并与其电连接；金属硅化物层，设置在多晶硅插塞的顶部；以及导电接触件，与金属硅化物层电...
    2026-03-04
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411081077.6
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一基底、一栅极结构、一漏极区以及一源极区。基底包含一第一阶梯结构，其中第一阶梯结构包含一第一阶部、一连接部以及一第二阶部沿着一方向依序设置，且第二阶部高于第一阶部。栅极结构设置于连接部...
    2026-03-04
  • 一种碳化硅MOSFET及其制备方法和功率器件
    一种碳化硅MOSFET及其制备方法和功率器件_湖南虹安微电子有限责任公司_202511715266.9
    本发明实施例涉及一种碳化硅MOSFET及其制备方法以及功率器件，其中碳化硅MOSFET包括：N型衬底层；N型外延层，形成于N型衬底层的正面上；漏极层，形成于N型衬底层的背面上；第一P型阱区和第二P型阱区，均形成于N型外延层上，且分别位于N型...
    2026-03-04
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511748757.3
    本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件结构包括衬底、底部掺杂区、漂移区、第一掺杂区和多个相互独立的第二掺杂区，底部掺杂区位于衬底内；漂移区邻接于底部掺杂区上方；第一掺杂区与漂移区和底部掺杂区接触，第一掺...
    2026-03-04
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_广州增芯科技有限公司_202511748750.1
    本发明提供了一种半导体器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、底部掺杂区、漂移区、第一掺杂区和第二掺杂区，漂移区邻接于底部掺杂区上方；第一掺杂区位于底部掺杂区及漂移区的一侧，并与漂移区和底部掺杂区接触，第一掺杂区的顶部形成有第一...
    2026-03-04
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