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最新专利技术
  • 闪存电源控制电路及其控制方法、闪存控制器和电子设备
    闪存电源控制电路及其控制方法、闪存控制器和电子设备_珠海妙存科技有限公司_202511549246.9
    本申请公开了一种闪存电源控制电路及其控制方法、闪存控制器和电子设备，涉及闪存控制技术领域。闪存电源控制电路包括电压切换模块和电压检测模块；电压切换模块中：功率开关管包括栅极、均与闪存芯片的供电输入端连接的eMMC供电输出端、NAND供电输出...
    2026-04-08
  • 一种闪存颗粒、芯片、设备及数据处理方法
    一种闪存颗粒、芯片、设备及数据处理方法_华为技术有限公司_202411111121.3
    本申请提供一种闪存颗粒、芯片、设备及数据处理方法，涉及数据处理领域。该闪存颗粒包括控制模块和多个平面组，这多个平面组中的至少两个平面组可以在不同的开始时刻开始执行数据处理操作，这样避免闪存颗粒工作时的峰值电流过大供电不足的情况。
    2026-04-08
  • 一种大容量Nor Flash分区数据恢复方法及装置
    一种大容量Nor Flash分区数据恢复方法及装置_合肥中科智存科技有限公司_202511540362.4
    本申请提供一种大容量Nor Flash分区数据恢复方法及装置，涉及数据存储领域，解决了现有大容量Nor Flash的可靠性和性能不够高的技术问题。该方法包括：Nor Flash上电复位，从物理配置区获取单次数据恢复区域大小；当芯片接收擦除指...
    2026-04-08
  • 半导体储存装置
    半导体储存装置_华邦电子股份有限公司_202511745051.1
    本发明提供一种半导体储存装置，改善存储器区域的利用效率且便利性高。本发明的快闪存储器(100)包括存储器控制器(200)与NAND型存储器装置(300)。存储器控制器(200)包括：SRAM(210)，储存将逻辑地址转换成实体地址的转换表；...
    2026-04-08
  • 一种具备即写即读功能的多值RRAM读写电路及方法
    一种具备即写即读功能的多值RRAM读写电路及方法_北京理工大学_202511531861.7
    本发明属于模拟集成电路设计及存储器读写技术领域，提出了一种具备即写即读功能的多值RRAM读写电路。所述多值RRAM读写电路是一个可同时进行读写的多端口器件，写操作利用低压差线性稳压器为RRAM电路与标准电阻电路提供电压，产生镜像电流，将RR...
    2026-04-08
  • 一种具备保存和加载功能的D触发器电路
    一种具备保存和加载功能的D触发器电路_北京理工大学_202511531813.8
    本发明属于模拟集成电路设计、电路控制以及存储器技术领域，提出了一种具备保存和加载功能的D触发器电路。所述D触发器电路在同一物理空间内，利用CMOS开关实现保存状态和加载状态两部分电路的切换，保存状态时利用CMOS开关与MOS管分别向两个RR...
    2026-04-08
  • 用于低摆幅数据总线的数据电路
    用于低摆幅数据总线的数据电路_美光科技公司_202511699986.0
    本申请涉及用于低摆幅数据总线的数据电路。一种设备可包含数据总线，所述数据总线可在不同于与存储器阵列的一或多个组件相关联的第二电压的第一电压下传送数据。与所述数据总线耦合的晶体管可接收所述第二电压并发送第三电压。与所述晶体管耦合的先进先出FI...
    2026-04-08
  • 记忆体装置及其操作方法
    记忆体装置及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510519930.6
    一种记忆体装置及其操作方法。记忆体装置包含记忆体阵列、多个感测放大器、多个追踪电路及追踪电路启动器。记忆体阵列包含储存数据的多个位元单元、各自连接至对应行中的多个位元单元的多个字线及各自连接至对应列中的多个位元单元的多个位元线对。多个感测放...
    2026-04-08
  • 具有权重更新电路的记忆体内计算的装置及方法
    具有权重更新电路的记忆体内计算的装置及方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510366514.7
    一种具有权重更新电路的记忆体内计算的装置及方法。装置包括用于储存多个权重集合的记忆体阵列及用于读取多个权重集合的读取电路。第一权重缓冲器用于储存多个权重集合中的第一权重集合，写入驱动器电路用于在单个写入时脉周期期间将第一权重集合写入至第一权...
    2026-04-08
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_爱思开海力士有限公司_202510154116.9
    本公开涉及半导体集成电路装置。一种半导体集成电路装置包括：第一存储单元阵列和第二存储单元阵列，每个存储单元阵列包括在第一方向上延伸的多个字线、在与第一方向垂直的第二方向上延伸的多个位线、以及连接在多个字线与多个位线之间的多个存储单元；第一开...
    2026-04-08
  • 存储器及其操作方法
    存储器及其操作方法_华为技术有限公司_202411109202.X
    本申请实施例提供一种存储器及其操作方法，涉及存储技术领域，实现了存储器同时读写的功能。具体方案为：存储器包括时序控制器、存储阵列、多个写字线、多个读字线、多个写位线和多个读位线。存储阵列包括多个存储单元，位于同一行的存储单元与同一写字线和同...
    2026-04-08
  • 磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统
    磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统_北京宽温微电子科技有限公司_202610057096.8
    本发明提供磁芯随机存储器读参考电路架构设计方法及系统，涉及电路架构技术领域，包括在每个存储阵列中设置高阻与低阻参考单元列，分别包含晶体管与多晶硅电阻串联结构；配置参考位线，通过调节线宽使方块电阻与普通位线相等，且读取通路中晶体管数量与目标单...
    2026-04-08
  • 行译码器电路
    行译码器电路_华邦电子股份有限公司_202510146593.0
    本发明提供一种行译码器电路，适用于存储器装置。行译码器电路包括预译码器、多个译码器以及映射控制电路。预译码器经配置以接收行地址信息，且将行地址信息进行译码以提供行选择信号组。多个译码器依序对应于多个行地址范围。映射控制电路经配置以根据行选择...
    2026-04-08
  • 正交时钟校正电路、芯片及电子设备
    正交时钟校正电路、芯片及电子设备_平头哥(上海)半导体技术有限公司_202511535372.9
    本发明实施例公开了一种正交时钟校正电路、芯片及电子设备。通过在正交时钟校正电路中设置原相延迟线、反相延迟线和触发子单元，并基于原相延迟线对初始正交时钟信号的上升沿进行延迟，以及基于反相延迟线和触发子单元对初始正交时钟信号的下降沿进行延迟，本...
    2026-04-08
  • 存储器的操作方法以及存储器的操作装置
    存储器的操作方法以及存储器的操作装置_北京润科通用技术有限公司_202511544398.X
    本申请公开了一种存储器的操作方法以及存储器的操作装置。应用于现场可编程门阵列的控制单元，现场可编程门阵列还包括：多个缓存单元，每个数据缓存单元用于存储对存储器进行不同操作类型的数据，该方法包括：响应于对存储器进行操作的操作指令，获取多个缓存...
    2026-04-08
  • 非易失性存储器的操作方法、存储装置和存储装置的操作方法
    非易失性存储器的操作方法、存储装置和存储装置的操作方法_三星电子株式会社_202510825164.6
    公开非易失性存储器的操作方法、存储装置和存储装置的操作方法。包括存储控制器和非易失性存储器装置的存储装置的操作方法包括：生成分别与多条数据线对应的多条传输奇偶校验数据；通过所述多条数据线将写入命令、数据和所述多条传输奇偶校验数据发送到第一非...
    2026-04-08
  • 记忆体电路、电压提供电路及其操作方法
    记忆体电路、电压提供电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510351431.0
    本揭示文件提供一种记忆体电路、电压提供电路及其操作方法。记忆体电路包含记忆体阵列及电压提供电路。记忆体阵列包含多个记忆体单元。电压提供电路用以为多个记忆体单元中的一或多者提供操作电压，该操作电压自第一电压域移位至第二电压域。电压提供电路包含...
    2026-04-08
  • 一种提高闪存存储设备高低温环境稳定性的方法及系统
    一种提高闪存存储设备高低温环境稳定性的方法及系统_绵存(浙江)科技有限公司_202511621650.2
    本发明提供一种提高闪存存储设备高低温环境稳定性的方法及系统，包括插接模块，主闪存模块，测温模块以及备用闪存模块。本发明插接模块，主闪存模块，测温模块，降温模块和升温模块以及备用闪存模块相互配合的设置，有利于在闪存的过程中通过控制降温模块进行...
    2026-04-08
  • 读写组件、磁头模组以及磁带存储装置
    读写组件、磁头模组以及磁带存储装置_华为技术有限公司_202411111053.0
    本申请提供了一种读写组件、磁头模组以及磁带存储装置，读写组件包括基座、读组件和第一写组件，读组件和第一写组件分别固定安装于基座上，并在基座的宽度方向上间隔设置。读组件包括第一读磁头。第一写组件包括第一写磁头组，第一写磁头组包括在基座的长度方...
    2026-04-08
  • 一种磁读写装置、磁头及其制作方法
    一种磁读写装置、磁头及其制作方法_华为技术有限公司_202411113869.7
    本申请实施例公开了一种磁读写装置、磁头及其制作方法，涉及磁性读写技术领域，减小了现有磁轭磁导率低而限制了磁头的整体性能的问题。该磁头包括线圈和磁轭，磁轭包括软磁片和磁头本体。其中，软磁片的磁导率大于3000。并且，软磁片与磁头本体键合或粘合...
    2026-04-08
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