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  • 本发明公开了一种基于埋底界面修饰策略的纳米线光电探测器,本发明涉及半导体纳米材料以及光电探测器技术领域。该基于埋底界面修饰策略的纳米线光电探测器,通过BMIMHSO44埋底修饰优化SnO22与MAPbI33纳米线的界面能级匹配,在零偏压下形...
  • 本发明公开了一种基于硫掺杂HgTe量子点复合层光电探测器及其制备方法,属于光电探测技术领域,包括自下而上依次叠置的透明导电基底、电子传输层、无硫掺杂HgTe量子点层、硫掺杂HgTe量子点层、空穴传输层和金属电极层;其中,硫掺杂HgTe量子点...
  • 本发明公开了一种基于P3HT的PbS量子点红外光电探测器及其制作方法,属于红外光电探测领域。该探测器从下至上依次包括衬底、Au电极层、ZnO电子传输层、PbS量子点光敏层、P3HT空穴传输层和ITO透明电极层,其中P3HT空穴传输层为有机空...
  • 为抑制太阳能电池中的离子迁移,降低界面缺陷,消除迟滞效应并提升长期稳定性,本发明提供了一种太阳能电池,所述太阳能电池包括透明导电基底、电子传输层、复合功能界面层、钙钛矿层、空穴传输层和背电极;所述复合功能界面层包括无机氧化物钝化层,所述无机...
  • 本发明公开一种钙钛矿组件清边微结构及其制备方法,所述清边微结构包括形成于所述钙钛矿组件的清边区域的多个微凹槽,所述清边微结构的表面长度不小于所述钙钛矿组件的爬电间距。通过引入微凹槽结构,在有限清边宽度L下延长实际爬电间距K,在满足安全标准的...
  • 本申请涉及光伏电池技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括:钙钛矿活性层,包括钙钛矿活性材料;以及,界面修饰层,设置于所述钙钛矿活性层沿厚度方向的至少一侧表面,所述界面修饰层的材料包括具有式(Ⅰ)所示结构的化合物。在钙钛...
  • 本发明提出了一种2‑溴‑4‑甲基苯胺在无反溶剂碳基钙钛矿太阳能电池中的应用及制备方法,属于新型光伏器件与功能材料技术领域。本发明所用2‑溴‑4‑甲基苯胺作为添加剂加入所述无反溶剂碳基钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层中,2‑溴‑4‑甲基苯胺分子...
  • 本发明涉及一种有机分子修饰的钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用,属于界面修饰技术领域。本发明所述的有机分子修饰的钙钛矿太阳能电池,包括形成于电子传输层和钙钛矿吸光层之间的界面修饰层,所述界面修饰层的材料为N, N′‑双(4‑三氟甲氧基苯甲基...
  • 本发明涉及航空航天、车辆、船舶等领域用特种钢化玻璃技术领域,具体公开了一种抗湿热老化的钙钛矿PSC充电玻璃及其制备方法。所述充电玻璃由下至上依次包括玻璃基底、透明电极层、空穴传输层、锆掺杂钙钛矿活性层、电子传输层、金属电极层以及复合保护层;...
  • 本发明公开了一种基于不同氧含量的复合溅射缓冲层的钙钛矿太阳能电池,属于光伏器件制造技术领域。本发明的钙钛矿太阳能电池是在电子传输层与透明电极之间设有不同氧含量的复合溅射缓冲层;所述复合溅射缓冲层包括氧含量逐渐升高的至少两层金属氧化物层,氧含...
  • 本发明提供了一种锡基钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其中该锡基钙钛矿太阳能电池包括:导电基底、空穴传输层、锡基钙钛矿层、电子传输层和电极;其中,所述空穴传输层包括氧化镍层和自组装单分子SAM层,所述空穴传输层和所述电子传输层分别位于所述锡基钙...
  • 本申请涉及钙钛矿技术领域,尤其涉及一种钙钛矿层及其制备方法、太阳电池、光伏组件。该钙钛矿层,包括钙钛矿材料以及聚苯乙烯磺酸盐,聚苯乙烯磺酸盐的分子式为(C88H77SO33M)nn;其中,n为大于1的正整数,M选自Li或者Na中的至少一种。...
  • 本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,该太阳电池包括:基底,基底具有金字塔绒面结构,金字塔绒面结构包括塔底和塔尖;聚二甲基硅氧烷层,设置于基底的塔底上;钙钛矿层,覆盖于基底的塔尖和聚二甲基硅氧烷层上。本申请可以有效提升太阳电池的长...
  • 本申请提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件、电子设备。钙钛矿太阳能电池包括:层叠设置的封装层、第一电极层、和钙钛矿层,封装层和钙钛矿层位于第一电极层的两侧。钙钛矿太阳能电池还包括自修复层,自修复层位于封装层与第一电极层之间,自修...
  • 本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池,可应用于太阳能电池技术领域。该钙钛矿太阳能电池包括:玻璃基板;透明导电层,设置于玻璃基板上;空穴传输材料层,设置于透明导电层远离玻璃基板的一侧,其中,空穴传输材料层的材料包含咔唑核心骨架,且咔唑核心骨架的3...
  • 本公开涉及一种基于透明有机薄膜晶体管的神经接口装置及其制造方法,该装置包括自下而上依次设置的衬底、包括多个源极电极、多个漏极电极和多个第一电极的第一电极层、有机半导体层、第一绝缘层、包括多个栅极电极和多个第二电极的第二电极层、互联导线层、生...
  • 本发明公开一种亚1纳米栅长的碳纳米管环栅场效应晶体管,器件以单壁半导体碳纳米管为沟道,采用单层或多层石墨烯作为栅极材料,通过图形化角度刻蚀在欠覆盖区域介质台阶保留石墨烯,形成原子级厚度的全环绕栅极,实现物理栅长突破至亚1纳米尺度。栅介质层与...
  • 本发明涉及生物传感器技术领域,公开了一种有机电化学晶体管传感器及其制备方法和应用。所述有机电化学晶体管传感器包括柔性绝缘基底;设置于所述柔性绝缘基底上的源极、漏极和栅极;以及连接外部的导线和接线柱;所述源极与漏极之间设有半导体沟道层;所述导...
  • 本申请提供了晶体管、制备晶体管的方法和生物传感器,涉及生物检测技术领域,该晶体管包括:第一金属层,作为晶体管的第一电极;有机半导体层,位于第一金属层之上,有机半导体层包括带电基团,有机半导体层的第一部分固化有第一抗体,第一抗体用于与测试样本...
  • 本申请提供了一种LED灯珠及LED光源,属于LED照明技术领域,该LED灯珠包括基板、LED芯片及光转换层,所述LED芯片位于所述基板上,用于产生激发光,所述光转换层位于所述基板及所述LED芯片上,所述光转换层中至少具有可见光荧光粉、第一红...
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