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最新专利技术
  • 一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法
    一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法_绍兴华源新材料科技有限公司_202511813392.8
    本发明公开了一种TOPCon组件用光伏背板及其制备方法，该TOPCon组件用光伏背板包括由上到下依次复合的外层、第一阻隔层、中间层、第二阻隔层和内层。本发明通过加入包覆处理的金刚石和包覆处理的蒙脱土产生协同作用，提升了光伏背板的强度、散热性...
    2026-02-17
  • 一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法
    一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法_赛威(天津)工业有限公司_202511710091.2
    本发明公开了一种飞秒焊接光伏玻璃的无胶膜封装方法，属于光伏组件制造技术领域。该工艺通过飞秒激光与玻璃材料的非线性相互作用，激活界面硅氧键的重构与共价键合，实现光伏玻璃的全域无介质封装。创新点在于开发了双波段飞秒激光协同作用机制，构建了玻璃界...
    2026-02-17
  • 一种基于铁电极化的光能电池技术
    一种基于铁电极化的光能电池技术_孙俏_202411061109.6
    本发明是一种基于铁电极化的光能电池技术。所属技术领域是可再生能源，新能源，清洁能源，属于国家重点产业。所要解决的技术问题是硅电p‑n结太阳能电池的转换效率比较低，其光伏发电系统存在间歇性、波动性、不确定性的问题。解决该问题的技术方案的要点是...
    2026-02-17
  • 一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法
    一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法_无锡华兴光电研究有限公司_202511751683.9
    本发明属于太阳能电池技术领域，具体涉及一种非晶碳/砷化镓双结太阳能电池及其制备方法。本发明提供的太阳能电池包括依次层叠设置的下电极、衬底、缓冲层、下电池、隧道结、上电池、透明导电层、减反射层和上电极；所述下电池为GaAs同质结，包括层叠设置...
    2026-02-17
  • 一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法
    一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511721066.4
    本申请公开了一种全背接触选择性掺杂太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池领域，太阳能电池包括N型基底硅片，N型基底硅片的正面包括依次堆叠的前表面场、氧化铝和减反射膜，N型基底硅片的背面包括依次堆叠的隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、氧化铝和钝化层，...
    2026-02-17
  • 一种背接触电池和光伏组件
    一种背接触电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511483706.2
    本申请公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，用于降低对接结构的遮光影响，降低背接触电池背面不同区域之间的色差。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层和多列电连接部。第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的...
    2026-02-17
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511453396.X
    本发明提供一种半导体器件，包括基底，位于所述基底中具有第一掺杂类型的第一阱区，位于所述基底中具有第二掺杂类型的第二阱区，第一阱区与第二阱区分离设置；位于所述第一阱区中具有第一掺杂类型的第一掺杂区，位于所述第二阱区中具有第一掺杂类型的第二掺杂...
    2026-02-17
  • 沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法
    沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511654798.6
    本申请提供一种沟槽版图结构、掩膜版、沟槽结构及其制作方法，所述版图结构包括：第一沟槽图案和第二沟槽图案，其中所述第一沟槽图案包括多个第一子沟槽图案，相邻所述第一子沟槽图案之间具有间隔区域，所述第一子沟槽图案与所述第二沟槽图案的宽度差异小于第...
    2026-02-17
  • 标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线
    标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线_英特尔公司_202510914482.X
    本发明题为“标准单位单元的偏离前侧和背侧互连迹线”。本文提供了在标准单位单元内形成半导体装置的技术，该标准单位单元具有与背侧金属迹线偏离的顶侧金属迹线。设置堆叠式晶体管，使得一个装置的源极或漏极区域垂直位于另一个装置的源极或漏极区域之上。可...
    2026-02-17
  • 薄膜晶体管单元和包括该薄膜晶体管单元的显示装置
    薄膜晶体管单元和包括该薄膜晶体管单元的显示装置_乐金显示有限公司_202510987803.9
    本发明提供了一种薄膜晶体管单元，包括：衬底基板；设置在衬底基板上并且彼此并联连接的第一和第二下部薄膜晶体管；设置在第一和第二下部薄膜晶体管上并且彼此并联连接的第一和第二上部薄膜晶体管，其中第一上部薄膜晶体管包括第一上部有源层和设置在其上的第...
    2026-02-17
  • 一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备方法
    一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511651989.7
    本发明公开了一种耐高温短沟SOI CMOS器件结构及制备，基于薄硅膜SOI材料，在完成阱、栅氧、多晶、源漏相关工序后，在器件漏端靠近沟道区上方生长一层SiN，再形成金属硅化物和引线，最终实现耐高温短沟SOI CMOS器件的制备；发明通过对漏...
    2026-02-17
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511498327.0
    根据本公开实施例的半导体结构包括：未掺杂半导体部件，位于衬底中；第一底部纳米结构和第二底部纳米结构，位于衬底上方；底部外延部件，位于未掺杂半导体部件上方以及第一底部纳米结构和第二底部纳米结构之间；第一隔离层，位于第一底部纳米结构上方；第二隔...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511490160.3
    提供了半导体器件及其形成方法。半导体器件可以包括第一介电层、位于第一介电层中的第一源极/漏极区域、位于第一源极/漏极区域的侧壁上的第一纳米结构、位于第一纳米结构周围的第一栅极结构、电连接至第一源极/漏极区域的第一导电接触件以及位于第一导电接...
    2026-02-17
  • 芯片及其制备方法、电子设备
    芯片及其制备方法、电子设备_华为技术有限公司_202411095025.4
    本申请提供一种芯片及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，从而避免第一垂直环栅晶体管受到金属边界效应的影响。该芯片包括衬底，设置在衬底上的第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管和第二晶体管分别包括：设置于衬底上的沟道；分设于沟道两端的第一极...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备_华为技术有限公司_202411081351.X
    本申请实施例提供了一种半导体器件及其制备方法、集成电路、电子设备，涉及电子设备技术领域。半导体器件包括衬底、鳍结构、第一导电部、栅极和侧墙层。鳍结构设于衬底上，鳍结构包括沿第一方向间隔设置的多个子鳍；第一方向平行于衬底。第一导电部设于子鳍的...
    2026-02-17
  • 半导体装置和制造该半导体装置的方法
    半导体装置和制造该半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510963794.X
    提供一种半导体装置和一种该半导体装置的制造方法。在一个方面，半导体装置包括：第一晶体管，其中，第一晶体管包括以第一沟道长度堆叠在第一有源图案上的第一沟道图案、以及第一源极和漏极图案；以及第二晶体管，其中，第二晶体管包括以大于第一沟道长度的第...
    2026-02-17
  • 具有耦合的背侧触点的堆叠的半导体器件
    具有耦合的背侧触点的堆叠的半导体器件_英特尔公司_202510920910.X
    本文提供了用于形成具有堆叠的半导体器件的集成电路的技术，所述堆叠的半导体器件的源极或漏极区域经由匹配的背侧连接耦合在一起。在示例中，FET(场效应晶体管)器件可形成于两个不同的衬底上且在其背侧处键合在一起，使得每一器件下方的背侧触点在键合界...
    2026-02-17
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510404225.1
    一种半导体器件包括：衬底，具有第一区域和第二区域；第一沟道层和第二沟道层，分别位于第一区域和第二区域上，第一栅电极位于第一沟道层上，第二栅电极位于第二沟道层上；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，分别位于第一栅电极的至少一侧和第二栅电极...
    2026-02-17
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510276726.6
    一种半导体装置可包括：下有源图案，在第一方向上延伸并且包括下沟道图案和在下沟道图案的侧面上的下源极/漏极图案。所述半导体装置还可包括：上有源图案，在第二方向上与下有源图案间隔开并且包括上沟道图案和在上沟道图案的侧面上的上源极/漏极图案。所述...
    2026-02-17
  • 半导体器件
    半导体器件_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511390565.X
    本公开提供了一种半导体器件，属于半导体技术领域。所述半导体器件包括：连接母线、第一焊盘、连接线、氮化物晶体管以及氮化物二极管；所述氮化物晶体管的栅极通过所述连接母线与所述氮化物二极管的阳极连接，所述氮化物二极管的阴极通过所述连接线与所述第一...
    2026-02-17
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