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最新专利技术
  • 一种CPO异质整合封装结构及制作方法
    一种CPO异质整合封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511454415.0
    本发明公开了一种CPO异质整合封装结构及制作方法，包括：步骤一：准备电子IC，在所述电子IC上方制作铜凸块一；步骤二：准备玻璃载板一，在所述玻璃载板一上设置扇出型铜针，并将所述电子IC设置在所述玻璃载板一上；步骤三：准备光学IC，在所述光学...
    2026-02-16
  • 芯片到晶圆混合键合方法及半导体器件
    芯片到晶圆混合键合方法及半导体器件_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562021.7
    本发明提供一种芯片到晶圆混合键合方法及半导体器件，方法包括：将以铟镓砷为代表的作为第二代半导体晶圆的来料晶圆切割为多个单颗芯片，然后重新排列至载体硅晶圆上，形成重组的铟镓砷芯片+晶圆；将重组的铟镓砷芯片+晶圆作为整体，与读出电路晶圆进行晶圆...
    2026-02-16
  • 高密度多层芯片晶圆堆叠方法及半导体器件
    高密度多层芯片晶圆堆叠方法及半导体器件_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562018.5
    本发明提供一种高密度多层芯片晶圆堆叠方法和半导体器件，方法包括：芯片等离子体活化和清洗：对晶圆进行电性测试并切割，筛选出电性合格的芯片，对合格芯片进行等离子体活化与清洗，并旋涂去离子水；芯片到晶圆混合键和：取出芯片(B)，与晶圆(A)执行芯...
    2026-02-16
  • 具有混合键合用金属焊垫修复功能的芯片封装方法
    具有混合键合用金属焊垫修复功能的芯片封装方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562017.0
    本发明提供一种具有混合键合用金属焊垫修复功能的芯片封装方法，包括：步骤S1，对需要混合键合的芯片或晶圆采用铜大马士革工艺，形成包括导电孔和金属焊垫的导电图案层；步骤S2，利用化学机械平坦化工艺对导电图案层进行表面平坦化处理，去除金属焊垫表面...
    2026-02-16
  • 基于芯片晶圆键合重组的新型载体晶圆制造方法
    基于芯片晶圆键合重组的新型载体晶圆制造方法_北京芯力技术创新中心有限公司_202511562016.6
    本发明提供一种基于芯片晶圆键合重组的新型载体晶圆制造方法，包括：通过熔融键合工艺将芯片正面向下地键合到具有凹槽结构的载体晶圆内；将芯片背面朝外，从背面减薄，实现芯片整体厚度的精细平坦化减薄；将芯片和凹槽结构的载体晶圆作为一个整体，与另一片晶...
    2026-02-16
  • 用于混合键合的方法和结构
    用于混合键合的方法和结构_ASMIP私人控股有限公司_202511038299.4
    本技术的各种实施例可以提供一种用于制造半导体结构的方法。该方法可以包括：接收具有介电层和导电特征的源衬底，仅在导电特征的顶表面上选择性地沉积阻挡层，改性介电层的顶表面，以及在改性介电层之后去除阻挡层。该方法还可以包括在沉积阻挡层之前清洁介电...
    2026-02-16
  • 一种集成电路外壳复合封接结构及其封接方法
    一种集成电路外壳复合封接结构及其封接方法_西安赛尔电子材料科技有限公司_202511473870.5
    本发明公开了一种集成电路外壳复合封接结构及其封接方法，包括：外壳，其内部形成有用于容纳芯片的腔体；封接孔，贯穿设置于所述外壳；金属芯柱，贯穿设置于所述封接孔内；陶瓷环，套设于所述金属芯柱外，所述陶瓷环的内壁设有金属化层，所述金属化层通过焊接...
    2026-02-16
  • 半导体器件及制备方法、芯片、电子设备
    半导体器件及制备方法、芯片、电子设备_华为技术有限公司_202411048422.6
    本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、芯片、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的外延层，外延层包括有源区和环绕有源区的终端区；设置在外延层的终端区上的第一介质层；设置在第一介质层上的第二介质层；设置在第二...
    2026-02-16
  • 一种用于连接金刚石构件与封装管壳的器件结构
    一种用于连接金刚石构件与封装管壳的器件结构_西安交通大学_202610021391.8
    本发明涉及电子器件封装技术领域，公开了一种用于连接金刚石构件与封装管壳的器件结构，包括金刚石构件、梯度中间层、弹性预紧构件和封装管壳；所述金刚石构件嵌入所述封装管壳的壳体；所述梯度中间层设置于所述金刚石构件与所述封装管壳之间；所述梯度中间层...
    2026-02-16
  • 一种板级封装TMV结构及其加工方法
    一种板级封装TMV结构及其加工方法_成都奕成集成电路有限公司_202511740409.1
    本发明公开了一种板级封装TMV结构及其加工方法，加工方法包括：在玻璃一面上涂可分离胶，再通过物理气相沉积方法制备种子层，并在种子层压制干膜形成第一介质层；第一介质层上开孔；开孔位置的种子层上做电镀形成第一层柱；继续压制干膜形成第二介质层，通...
    2026-02-16
  • 一种电子器件的封装结构及制备方法
    一种电子器件的封装结构及制备方法_中车株洲电力机车研究所有限公司_202511661249.1
    本发明公开一种电子器件的封装结构，包括：管壳，设置在外壳底部的上表面设有覆铜层的陶瓷基板，功率芯片，用于连接覆铜层和功率芯片下表面的导电连接层，用于连接覆铜层和功率芯片上表面的键合线，填充在所述功率芯片周围的高热导率灌封材料；灌封在所述高热...
    2026-02-16
  • 一种高密度载板及其制备方法和在电子封装中的应用
    一种高密度载板及其制备方法和在电子封装中的应用_哈尔滨工业大学_202511568498.6
    本发明公开了一种高密度载板及其制备方法和在电子封装中的应用，属于集成电路芯片封装技术领域。本发明解决了现有高密度载板存在的无法同时具备高密度垂直互连能力、优异散热性能和良好高频特性的问题。本发明利用具有规则纳米级孔道结构的AAO作为基板，通...
    2026-02-16
  • 用于焊点故障冗余及高带宽应用的封装-封装互连
    用于焊点故障冗余及高带宽应用的封装-封装互连_美光科技公司_202511077692.4
    本申请案涉及用于焊点故障冗余及高带宽应用的封装‑封装互连。本公开中介绍一种半导体装置封装组合件。所述半导体装置组合件包含多个半导体装置封装，所述多个半导体装置封装中的每一者包含：封装衬底，其具有顶面及底面；一或多个半导体裸片，其安置于所述封...
    2026-02-16
  • 能够使用覆盖部件组装区段而不覆盖引线区段的热塑性结构制造的封装
    能够使用覆盖部件组装区段而不覆盖引线区段的热塑性结构制造的封装_英飞凌科技股份有限公司_202511022389.4
    一种封装(100)，包括：部件组装区段(102)；至少一个电子部件(104)，所述至少一个电子部件(104)与所述部件组装区段(102)组装在一起；至少一个引线区段(106)，所述至少一个引线区段(106)与所述至少一个电子部件(104)和...
    2026-02-16
  • 半导体封装和制造半导体封装的方法
    半导体封装和制造半导体封装的方法_三星电子株式会社_202511018352.4
    提供了底部填充材料易于进入间隙的半导体封装及制造半导体封装的方法。其中，半导体封装具有管芯和设置在管芯的一个表面上的多个柱状物，并且管芯的与管芯一个表面上具有柱状物的区域对应的厚度小于管芯的与管芯一个表面上没有柱状物的区域对应的厚度。
    2026-02-16
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510490709.2
    提供了半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：第一再分布基板，所述第一再分布基板包括多个上基板焊盘，所述多个上基板焊盘包括第一上基板焊盘；第一半导体器件，所述第一半导体器件通过所述第一上基板焊盘与第一连接端子的接合安装在所述第一再分...
    2026-02-16
  • 一种芯片倒装封装方法
    一种芯片倒装封装方法_中科华艺(天津)科技有限公司_202610018388.0
    本发明提供了一种芯片倒装封装方法，在晶圆上成型的芯片的焊窗处涂覆第一焊料，使得焊柱第一端与焊窗焊接固定；将固化剂填充至焊柱之间，打磨焊柱使得第二端处于同一平面并在焊柱端面制作可焊层后去固化剂，将焊柱第二端与涂有第二焊料的框架或基板相固定，使...
    2026-02-16
  • 半导体器件和制造扇出Quilt封装的方法
    半导体器件和制造扇出Quilt封装的方法_星科金朋私人有限公司_202510986884.0
    一种半导体器件具有形成在第一载体上的衬底。半导体管芯安装在衬底上。在第二载体上形成互连结构。在衬底或互连结构上形成铜柱。互连结构设置在衬底上方，其中铜柱和半导体管芯在衬底和互连结构之间。在将互连结构设置在衬底上方之后，移除第一载体和第二载体...
    2026-02-16
  • 选择性形成的键合焊盘结构
    选择性形成的键合焊盘结构_德州仪器公司_202510986348.0
    本申请涉及一种选择性形成的键合焊盘结构。一种形成集成电路IC封装的方法包含在第一电镀工艺(1300)中电镀籽晶层(206)，以在IC结构(100)的有源电路区上方形成所述IC结构(100)的键合焊盘结构(102)的多晶铜层(208)。所述方...
    2026-02-16
  • 半导体装置
    半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510014649.7
    本公开涉及半导体装置。一种半导体装置包括：基础芯片，其包括第一基础焊盘、第二基础焊盘和第三基础焊盘；以及核心芯片，其包括第一路径、第二路径以及第三路径，第一路径包括第一多个核心焊盘，第二路径包括第二多个核心焊盘，以及第三路径包括第三多个核心...
    2026-02-16
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