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最新专利技术
  • 提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法
    提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法_中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))_202511314555.8
    本申请涉及一种提高栅极抗干扰能力的单片集成功率器件结构及其制备方法，其中，单片集成功率器件结构包括衬底、功率器件结构和滤波结构，功率器件结构和滤波结构位于同一衬底上，实现了功率器件结构和滤波结构的单片集成，结构简单。滤波结构和功率器件结构的...
    2026-02-17
  • 一种液冷散热装置
    一种液冷散热装置_长沙科拓电气有限公司_202511682309.8
    本发明的一种液冷散热装置，涉及电子器件散热技术领域，包括壳体和水道，壳体的侧面设有冷却液的流入口和流出口，壳体的下表面设置有翅片状凸起；水道设置在壳体内部，且连接在流入口和流出口之间，扰流组件间隔布置在水道内。本发明无需依赖散热风扇，不受外...
    2026-02-17
  • 一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法
    一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法_深圳莹帆科技有限责任公司_202511629571.6
    本发明公开了一种气、液分离的高效散热系统及其加工方法，包括：散热器组件：包括3D_VC、散热鳍片，所述3D_VC由VC均温板以及固定于VC均温板上的多根热管组成，热管中空且内部腔室与VC均温板连通，多根所述热管分别嵌入散热鳍片并焊接；高压密...
    2026-02-17
  • 一种微通道热沉
    一种微通道热沉_天津城建大学_202511961588.1
    本发明公开了一种微通道热沉，包括上下叠置的基板和封装片，封装片上分别开有流体入口和流体出口，基板上设置有凹槽，中间设置带有分段式平行四边形肋壁的微通道，微通道两侧的凹槽区域为入口蓄液槽和出口蓄液槽。分段式平行四边形肋壁微通道热沉前半部分为尺...
    2026-02-17
  • 一种带有散热组件的嵌入式功率模块及逆变器
    一种带有散热组件的嵌入式功率模块及逆变器_江苏尊阳电子科技有限公司_202511906061.9
    本发明涉及一种带有散热组件的嵌入式功率模块，包括嵌入式模块、散热组件和连接材料；嵌入式模块的底部通过连接材料设置有散热组件；散热组件包括均温板和若干散热片；均温板通过连接材料贴装在嵌入式模块的底部；若干散热片均匀设置在均温板的底部。本发明还...
    2026-02-17
  • 一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构
    一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构_厦门大学_202511746801.7
    本申请公开了一种冷却工质直喷芯片的散热装置及封装结构，散热装置包括布置在封装体具有芯片组件一侧的散热主体，散热主体上设有冷却工质输入通道和冷却工质输出通道，冷却工质输入通道包括布置在其出口端并正对芯片组件背部的微孔阵列，微孔阵列与芯片组件之...
    2026-02-17
  • 一种半导体器件及半导体器件的制造方法
    一种半导体器件及半导体器件的制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511554532.4
    本发明公开了半导体器件及半导体器件的制造方法，包括：基板，包括第一区域和第二区域，第一区域形成有连接结构，第二区域形成有散热结构，散热结构包括多个散热层、间隔以及填充于间隔的导热材料，其中，在平行于基板表面方向上，间隔位于相邻的散热层之间。...
    2026-02-17
  • 半导体封装件及其制造方法
    半导体封装件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466214.2
    提供了半导体封装件及其制造方法。半导体封装件可以包含封装衬底和位于封装衬底上方的第一封装组件。第一封装组件可以包含第一半导体管芯和位于第一半导体管芯上方的散热衬底。散热衬底可以包括基部部分和位于基部部分的第一表面上的第一涂覆部分。第一涂覆部...
    2026-02-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511535155.X
    本申请公开了半导体器件及其制造方法，该方法通过提供基体，基体包括半导体衬底和栅极结构，栅极结构位于半导体衬底上，栅极结构包括金属栅；形成掩膜层覆盖金属栅；形成层间介质层覆盖基体，并覆盖掩膜层；利用掩膜层作为蚀刻停止层进行干法刻蚀，以暴露出掩...
    2026-02-17
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411119714.4
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为主要先提供一堆叠结构包含一浅沟隔离设于该第一基底下、一接触洞蚀刻停止层设于该浅沟隔离下、一层间介电层设于该接触洞蚀刻停止层下以及一第一金属内连线设于该层间介电层下。然后形成一第...
    2026-02-17
  • 深沟槽隔离结构及其制作方法
    深沟槽隔离结构及其制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511664153.0
    本申请提供一种深沟槽隔离结构及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，衬底内形成有深沟槽；依次执行第一氧化工艺与第二氧化工艺，在深沟槽的侧壁及底部依次形成第一氧化层与第二氧化层，第一氧化工艺为在含氯气体的氛围中进行氧化，第二氧化工艺为湿法氧化；...
    2026-02-17
  • 一种晶圆回温系统
    一种晶圆回温系统_北京烁科中科信电子装备有限公司_202511381910.3
    本发明公开了一种晶圆回温系统，包括：换热器、分子泵以及用于放置待回温晶圆的片库；所述分子泵通过管道连接至片库，以实现片库内抽真空；所述片库设有排废管道，以实现片库内的气体外排；所述换热器的进气口通过惰性气体输入管与外部惰性气体源连接，换热器...
    2026-02-17
  • 半导体衬底及其制备方法
    半导体衬底及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511339391.4
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法，所述制备方法包括：在1000~1250℃的温度范围内对经掺杂的基板进行不小于2小时的热处理，使所述基板中的掺杂元素向所述基板的表面扩散，以形成杂质阻挡层；在所述基板的所述杂质阻挡层上生长多晶硅层，以形成所...
    2026-02-17
  • 一种光刻胶干膜贴膜装置及方法
    一种光刻胶干膜贴膜装置及方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511658316.4
    本发明提供一种光刻胶干膜贴膜装置及方法，装置包括：由放膜单元、保护膜剥离单元、环切单元、贴膜单元和废膜收集单元构成的贴膜机构；位于环切单元的前段的标识墨点识别单元，由黄光光源、图像传感器和处理单元构成；黄光光源用于照射干膜表面，干膜中的异常...
    2026-02-17
  • 一种全覆盖式镀膜厚度测量方法、系统、装置及相关设备
    一种全覆盖式镀膜厚度测量方法、系统、装置及相关设备_广州市艾佛光通科技有限公司_202610011173.6
    本发明提供了一种全覆盖式镀膜厚度测量方法、系统、装置及相关设备，涉及镀膜厚度测量技术领域。该方法包括步骤：采集晶圆表面反射的第一反射光信号以及参照物反射的第二反射光信号；根据第二反射光信号，计算入射强度修正因子和空间位置偏移量；根据入射强度...
    2026-02-17
  • 一种晶向偏离度检测方法、设备
    一种晶向偏离度检测方法、设备_中环领先半导体科技股份有限公司_202511676106.8
    本申请提供一种晶向偏离度检测方法、设备，包括以下步骤：对旋转中的待测硅片进行晶向检测；实时采集获得的电流值及对应的角度值，形成电流‑角度数据序列；基于采集的电流值与角度值，计算得到晶向偏离度；对比晶向偏离度与设定阈值的大小，判断待测硅片的晶...
    2026-02-17
  • 键合对偏移量的测量方法及测量装置
    键合对偏移量的测量方法及测量装置_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202511563945.9
    本发明公开了键合对偏移量的测量方法及测量装置。方法包括：(1)分别获取待测键合对中上模块和下模块在第一水平方向相对的两个边界的图像，并根据图像确定此时上模块和下模块在第一水平方向上的偏移量，记为第一测量偏移量；(2)将所述待测键合对旋转18...
    2026-02-17
  • 在线监控赝栅去除工艺的方法、电子设备及可读存储介质
    在线监控赝栅去除工艺的方法、电子设备及可读存储介质_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511548224.0
    本发明公开了一种在线监控赝栅去除工艺的方法、电子设备及可读存储介质，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在待处理晶圆上设置受保护的第一测试图形和暴露的第二测试图形；对晶圆执行赝栅去除工艺；在该工艺之后，对两组测试图形进行在线量测，以获得第一...
    2026-02-17
  • 测试结构
    测试结构_华邦电子股份有限公司_202411309126.7
    本发明提供一种测试结构，包括以下构件。衬底包括阵列区与外围区。阵列区具有彼此相对的第一侧与第二侧。隔离结构位于衬底中。隔离结构在阵列区的衬底中定义出多个有源区。多个字线通过多个有源区，且绝缘于衬底。多个字线包括交替排列的多个第一字线与多个第...
    2026-02-17
  • 表面粗糙度测量方法、装置、电子设备和存储介质
    表面粗糙度测量方法、装置、电子设备和存储介质_上海光通信有限公司_202411053806.7
    本申请提供一种表面粗糙度测量方法、装置、电子设备和存储介质，根据晶圆粗糙层的凸起的第一高度以及相邻凸起之间的凹陷的第二高度计算实体体积比和空气体积比，第一高度和第二高度为相对于凹陷的最低点所在平面为基准面的高度，其中，实体体积比是第一高度与...
    2026-02-17
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